企业商机
碳化硅基本参数
  • 产地
  • 内蒙
  • 品牌
  • 上海铈威
  • 型号
  • 面议
  • 是否定制
碳化硅企业商机

碳化硅MOSFET和碳化硅二极管用于太阳能,UPS,工业,汽车等应用:主要集中在光伏储能中的逆变器,数据中心服务器的UPS电源,智能电网充电站等需要转换效率较高的领域。但是随着近些年电动和混合动力汽车(xEV)的发展,SiC也在这个新领域迅速崛起,辐射的产业包括能源(PV,EV充电,智能电网等)、汽车(OBC,逆变器)、基础设施(服务器)等。与常规硅相比,WBG材料具有相对较宽的能带隙(在价带和导带之间)。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是当今使用较普遍的WBG材料。表1显示了WBG和Si基材料的主要特性。 晶体上彩虹般的光泽则是因为其表面产生之二氧化硅保护层所致。宝山区碳化硅厂商

目前碳化硅的抛光方法主要有:机械抛光、磁流变抛光、化学机械抛光(CMP)、电化学抛光(ECMP)、催化剂辅助抛光或催化辅助刻蚀(CACP/CARE)、摩擦化学抛光(TCP,又称无磨料抛光)和等离子辅助抛光(***)等。化学机械抛光(CMP)技术是目前半导体加工的重要手段,也是目前能将单晶硅表面加工到原子级光滑较有效的工艺方法,是能在加工过程中同时实现局部和全局平坦化的实用技术。CMP的加工效率主要由工件表面的化学反应速率决定。通过研究工艺参数对SiC材料抛光速率的影响,结果表明:旋转速率和抛光压力的影响较大;温度和抛光液pH值的影响不大。为提高材料的抛光速率应尽量提高转速,虽然增加抛光压力也可提高去除速率,但容易损坏抛光垫。杨浦区碳化硅批发商碳化硅的硬度很大,莫氏硬度为9.5级,只次于世界上较硬的金刚石(10级)。

碳化硅、氮化镓的市场潜力还远未被全部挖掘:5G、智慧交通、新能源已经成为全球发展的方向,但作为上游材料的氮化镓、碳化硅的市场潜力其实还远未被全部挖掘。因为如果从产业链中游来看,我国第三代半导体器件市场有着巨大的增长空间,或能成为倒逼上游材料发展的一大动力。半导体产业发展至今经历了三个阶段,一代半导体材料以硅为反映;第二代半导体材料砷化镓也已经普遍应用;而以氮化镓和碳化硅、氧化锌、氧化铝、金刚石等宽禁带为反映的第三代半导体材料,相较前两代产品性能优势显着。

对比热数据,全SiC模块显示出比传统硅模块更低的热阻。这是由于与Si相比,SiC具有更高的热传导率和更好的热扩散能力:在此布局中,4个SiC二极管芯片在相同的空间上代替1个硅二极管。SiC器件更低的热阻是特别重要的,因为在这种情况下硅芯片使用了21 cm2的总面积,而全SiC模块只用了10 cm2。与硅模块的通态损耗相比,全SiC模块的通态损耗更高。SiC肖特基二极管的正向压降也是这样。全SiC模块的动态损耗非常低:SiC MOSFET的开关损耗比硅IGBT低4倍,SiC肖特基二极管的损耗低8-9倍。 碳化硅有黑碳化硅和绿碳化硅两个常用的基本品种。

在模块层面上,SiC主要有两个好处:更小的芯片尺寸和更低的动态损耗。在系统层面上,这些优势可被以多种方式利用。低动态损耗带来输出功率的明显增加,将提供减轻重量和减小体积的机会。值得一提的是,无需额外的冷却能力就可实现功率的增加。因为与硅器件相比,SiC带来实际的损耗减少,可能在相同的冷却条件下得到更高的输出功率。低的功率损耗能提高能效,允许设计高效率的逆变器,例如用于太阳能和UPS应用。此外,低动态损耗使得SiC器件非常适用于20kHz以上的较高开关频率。利用高开关频率,可以减少LC滤波器的成本和尺寸。根据所使用的芯片面积,在4kHz的低开关频率下也可以展示SiC的优点。SiC的其它优点涉及到增强的散热和正温度系数,这对并联的的SiC芯片很重要。所有这一切都使得SiC在普遍的可能应用范围内成为非常有吸引力的材料。碳化硅至少有70种结晶型态。金山区碳化硅厂

碳化硅还大量用于制作电热元件硅碳棒。宝山区碳化硅厂商

碳化硅(SiC)功率器件耐高温、抗辐射、具有较高的击穿电压和工作频率,适于在恶劣条件下工作,特别是与传统的硅(Si)功率器件相比,碳化硅功率器件可将功耗降低一半,因此可大幅度降低开关电源、电机驱动器等电路的热耗、体积和重量。虽然,碳化硅功率器件在近几年才向市场推广,但目前已应用于混合动力汽车和电动汽车设备中,正因其在很多方面具有普通硅功率器件****的优点,把碳化硅功率器件向航天电子产品中推广就具有了很重要的实际意义。 碳化硅功率器件在航天电子产品中的应用:根据上述分析,结合航天实际,碳化硅功率器件在航天电子产品中的应用主要集中在下面几个领域。宝山区碳化硅厂商

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