针对电子束曝光在异质结器件制备中的应用,科研团队研究了不同材料界面处的图形转移规律。异质结器件的多层材料可能具有不同的刻蚀选择性,团队通过电子束曝光在顶层材料上制备图形,再通过分步刻蚀工艺将图形转移到...
针对电子束曝光在异质结器件制备中的应用,科研团队研究了不同材料界面处的图形转移规律。异质结器件的多层材料可能具有不同的刻蚀选择性,团队通过电子束曝光在顶层材料上制备图形,再通过分步刻蚀工艺将图形转移到...
电子束曝光颠覆传统制冷模式,在半导体制冷片构筑量子热桥结构。纳米级界面声子工程使热电转换效率提升三倍,120W/cm²热流密度下维持芯片38℃恒温。在量子计算机低温系统中替代液氦制冷,冷却能耗降低90...
电子束曝光是光罩制造的基石,采用矢量扫描模式在铬/石英基板上直接绘制微电路图形。借助多级剂量调制技术补偿邻近效应,支持光学邻近校正(OPC)掩模的复杂辅助图形创建。单张掩模加工耗时20-40小时,配合...
围绕晶圆键合技术的中试转化,研究所建立了从实验室工艺到中试生产的过渡流程,确保技术参数在放大过程中的稳定性。在 2 英寸晶圆键合技术成熟的基础上,团队逐步探索 6 英寸晶圆的中试工艺,通过改进设备的承...
硅光芯片制造中晶圆键合推动光电子融合改变。通过低温分子键合技术实现Ⅲ-Ⅴ族激光器与硅波导的异质集成,在量子阱能带精确匹配机制下,光耦合效率提升至95%。热应力缓冲层设计使波长漂移小于0.03nm,...
燃料电池晶圆键合解效率难题。石墨烯-质子膜键合构建纳米流道网络,催化效率提升至98%。本田燃料电池车实测功率密度达5kW/L,续航800公里。自增湿结构消除加湿系统,重量减轻40%。快速冷启动技术实现...
晶圆键合通过分子力、电场或中间层实现晶圆长久连接。硅-硅直接键合需表面粗糙度<0.5nm及超洁净环境,键合能达2000mJ/m²;阳极键合利用200-400V电压使玻璃中钠离子迁移形成Si-O-S...
晶圆键合开创液体活检医疗。循环肿瘤细胞分选芯片捕获率99.8%,肺病检出早于CT影像36个月。微流控芯片集成PCR扩增与基因测序,30分钟完成EGFR突变分析。强生临床数据显示:药物疗效预测准确率95...
晶圆键合开创液体活检医疗。循环肿瘤细胞分选芯片捕获率99.8%,肺病检出早于CT影像36个月。微流控芯片集成PCR扩增与基因测序,30分钟完成EGFR突变分析。强生临床数据显示:药物疗效预测准确率95...
利用高分辨率透射电镜观察,发现量子点的位置偏差可控制在较小范围内,满足量子器件的设计要求。这项研究展示了电子束曝光技术在量子信息领域的应用潜力,为构建高精度量子功能结构提供了技术基础。围绕电子束曝光的...
在电子束曝光工艺优化方面,研究所聚焦曝光效率与图形质量的平衡问题。针对传统电子束曝光速度较慢的局限,科研人员通过分区曝光策略与参数预设方案,在保证图形精度的前提下,提升了 6 英寸晶圆的曝光效率。利用...