规则设置子流程：层叠设置→物理规则设置→间距规则设置→差分线规则设置→特殊区域规则设置→时序规则设置◆层叠设置：根据《PCB加工工艺要求说明书》上的层叠信息，在PCB上进行对应的规则设置。◆物理规则设置（1）所有阻抗线线宽满足《PCB加工工艺要求说明书》中的阻抗信息，非阻抗线外层6Mil,内层5Mil。（2）电源/地线：线宽>=15Mil...

  工艺方面注意事项（1）质量较大、体积较大的SMD器件不要两面放置；（2）质量较大的元器件放在板的中心；（3）可调元器件的布局要方便调试（如跳线、可变电容、电位器等）；（4）电解电容、钽电容极性方向不超过2个；（5）SMD器件原点应在器件中心，布局过程中如发现异常，通知客户或封装工程师更新PCB封装。布局子流程为：模块布局→整体布局→层叠方...

  叠层方案，叠层方案子流程：设计参数确认→层叠评估→基本工艺、层叠和阻抗信息确认。设计参数确认（1）发《PCBLayout业务资料及要求》给客户填写。（2）确认客户填写信息完整、正确。板厚与客户要求一致,注意PCI或PCIE板厚1.6mm等特殊板卡板厚要求;板厚≤1.0mm时公差±0.1mm，板厚＞1.0mm是公差±10%。其他客户要求无法...

  DDR的PCB布局、布线要求4、对于DDR的地址及控制信号，如果挂两片DDR颗粒时拓扑建议采用对称的Y型结构，分支端靠近信号的接收端，串联电阻靠近驱动端放置（5mm以内），并联电阻靠近接收端放置（5mm以内），布局布线要保证所有地址、控制信号拓扑结构的一致性及长度上的匹配。地址、控制、时钟线（远端分支结构）的等长范围为≤200Mil。5、...

  DDR的PCB布局、布线要求1、DDR数据信号线的拓扑结构，在布局时保证紧凑的布局，即控制器与DDR芯片紧凑布局，需要注意DDR数据信号是双向的，串联端接电阻放在中间可以同时兼顾数据读/写时良好的信号完整性。2、对于DDR信号数据信号DQ是参考选通信号DQS的，数据信号与选通信号是分组的；如8位数据DQ信号+1位数据掩码DM信号+1位数据...

  模块划分（1）布局格点设置为50Mil。（2）以主芯片为中心的划分准则,把该芯片相关阻容等分立器件放在同一模块中。（3）原理图中单独出现的分立器件，要放到对应芯片的模块中，无法确认的，需要与客户沟通,然后再放到对应的模块中。（4）接口电路如有结构要求按结构要求，无结构要求则一般放置板边。主芯片放置并扇出（1）设置默认线宽、间距和过孔：线宽...

  SDRAM模块SDRAM介绍：SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory（同步动态随机存储器）的简称，是使用很的一种存储器，一般应用在200MHz以下，常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指时钟频率与SDRAM控制器如CPU前端其时钟频率与CPU前端...

  DDRII新增特性，ODT（ On Die Termination）,DDR匹配放在PCB电路板上，而DDRII则把匹配直接设计到DRAM芯片内部，用来改善信号品质，这使得DDRII的拓扑结构较DDR简单，布局布线也相对较容易一些。说明：ODT（On-Die Termination）即芯片内部匹配终结，可以节省PCB面积，另一方面因为数据...

  电源电路放置优先处理开关电源模块布局，并按器件资料要求设计。RLC放置（1）滤波电容放置滤波电容靠近管脚摆放（BGA、SOP、QFP等封装的滤波电容放置），多与BGA电源或地的两个管脚共用同一过孔。BGA封装下放置滤波电容：BGA封装过孔密集很难把所有滤波电容靠近管脚放置，优先把电源、地进行合并，且合并的管脚不能超过2个，充分利用空管脚，...

  整板扇出（1）对板上已处理的表层线和过孔按照规则进行相应的调整。（2）格点优先选用25Mil的，其次采用5Mil格点，过孔扇出在格点上，相同器件过孔走线采用复制方式，保证过孔上下左右对齐、常见分立器件的扇出形式（3）8MIL过孔中心间距35MIL以上，10MIL过孔中心间距40MIL以上，以免将平面层隔断；差分过孔间距一般为30Mil（或...

  规则设置子流程：层叠设置→物理规则设置→间距规则设置→差分线规则设置→特殊区域规则设置→时序规则设置◆层叠设置：根据《PCB加工工艺要求说明书》上的层叠信息，在PCB上进行对应的规则设置。◆物理规则设置（1）所有阻抗线线宽满足《PCB加工工艺要求说明书》中的阻抗信息，非阻抗线外层6Mil,内层5Mil。（2）电源/地线：线宽>=15Mil...

  SDRAM各管脚功能说明：1、CLK是由系统时钟驱动的，SDRAM所有的输入信号都是在CLK的上升沿采样，CLK还用于触发内部计数器和输出寄存器；2、CKE为时钟使能信号，高电平时时钟有效，低电平时时钟无效，CKE为低电平时SDRAM处于预充电断电模式和自刷新模式。此时包括CLK在内的所有输入Buffer都被禁用，以降低功耗，CKE可以直...