1979年，MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成)，其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期，用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。[2]在那个时候，硅芯片的结构是一种较...

  有无缓冲区决定了IGBT具有不同特性。有N*缓冲区的IGBT称为非对称型IGBT，也称穿通型IGBT。它具有正向压降小、犬断时间短、关断时尾部电流小等优点，但其反向阻断能力相对较弱。无N-缓冲区的IGBT称为对称型IGBT，也称非穿通型IGBT。它具有较强的正反向阻断能力，但它的其他特性却不及非对称型IGBT。如图2-42(b...

  熔体熔断所需用的时间就较长，甚至如果热量积累的速度小于热扩散的速度，熔断器温度就不会上升到熔点，熔断器甚至不会熔断。所以，在一定过载电流范围内，当电流恢复正常时，熔断器不会熔断，可继续使用。因此，每一熔体都有一小熔化电流。相应于不同的温度，小熔化电流也不同。虽然该电流受外界环境的影响，但在实际应用中可以不加考虑。一般定义熔体的...

  晶闸管是具有高耐压容量与大电流容量的器件。国内外主要制作的大功率晶闸管都是应用在高压直流输电中。所制造出的大功率晶闸管，大直径可达6英寸，单阀片耐压值高可达11KV，的通流能力高可达4500A。在该领域比较的有瑞士的ABB以及国内的株洲南车时代。[1]为提高晶闸管的通流能力、开通速度、di/dt承受能力，国外在普通晶闸管的基础...

  电容C2始终接入电路，此时振荡频率降低。4．同类电路工作原理分析如图所示，电路中的VD1为开关二极管，控制电压通过R1加到VD1正极，控制电压是一个矩形脉冲电压，波形见图中所示。当控制电压为0V时，VD1不能导通，相当于开路，这时对L1和C1、L2和C2电路没有影响；当控制电压为高电平时，控制电压使开关二极管VD1导通，VD1...

  TC=℃）------通态平均电流VTM=V-----------通态峰值电压VDRM=V-------------断态正向重复峰值电压IDRM=mA-------------断态重复峰值电流VRRM=V-------------反向重复峰值电压IRRM=mA------------反向重复峰值电流IGT=mA--------...

  检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。6、肖特基二极管的作用及其接法-变容变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的...

  熔断器起什么保护作用?熔断器的作用熔断器是一种结构简单，却十分有效的保护保护。它串接在线路中，当电路严重过载或发生短路故障时熔体熔化，分断电路，保护其他电器电器的。。熔断器其实就是一种短路保护器，用于配电系统喝控制系统，主要进行短路保护保护严重过载保护。熔断器一种简单而有效的保护电器电器在电路中主要起短路保护作用作用绝缘主要由...

  措施：在三相变压器次级星形中点与地之间并联适当电容，就可以减小这种过电压。与整流器并联的其它负载切断时，因电源回路电感产生感应电势的过电压。变压器空载且电源电压过零时，初级拉闸，因变压器激磁电流的突变，在次级感生出很高的瞬时电压，这种电压尖峰值可达工作电压的6倍以上。交流电网遭雷击或电网侵入干扰过电压，即偶发性浪涌电压，都必须...

  广泛应用在斩波或逆变电路中，如轨道交通、电动汽车、风力和光伏发电等电力系统以及家电领域。此外，半导体功率模块主要包括igbt器件和fwd，在实际应用中，为了保证半导体功率模块能够保证安全、可靠的工作，通常在半导体功率模块的dcb板上增加电流传感器以及温度传感器，以对半导体功率模块中的器件进行过电流和温度的实时监控，方便电路进行...

  当时没注意，板子回来后发现上面敷铜除了为，很多地方地不通了，由于是射频的板子，所以就彻底废了。5月2号投了一个板子，没有加急。算一下四天应该时间来的及，没算清楚，竟然到现在5月7号，还没有发货，还在表面处理。电话问了客服，竟然说还发布出来。急...电容补偿柜中熔断器出现故障,波宏告诉你怎么办来源：电子元器件论坛查看：1125回...

  其目的为了使熔丝在过载情况下迅速断开。快速熔断器就突出“快”，也就灵敏度高，当电路电流一过载，熔丝在焊点的作用下，迅速发热，迅速断开熔丝，好的快速熔断体其效率相当高，主要用来保护可控硅和一些电子功率元器件。快速熔断器快速熔断器的结构、工作原理和特性快速熔断器快速熔断器的结构熔断器由磁壳、导电板、熔体、石英砂、消弧剂、指示器六部...