WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于...
查看详细WNM2030是一种N型增强型MOS场效应晶体管,采用先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM203...
查看详细ESD5431Z-2/TR:电子设备的瞬态电压守护神 ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的双向瞬态电压抑制器,专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电...
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查看详细ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器 产品描述: ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件,免受...
查看详细WAS7227Q是一款高性能、双刀双掷(DPDT)CMOS模拟开关,可在+2.5V至+5.5V的单一电源供电下工作。它专为在手持设备和消费电子产品中切换高速USB2.0信号而设计,如手机、...
查看详细WS3222是一款具有可调OVLO(过压锁定)阈值电压的过压保护(OVP)负载开关。当输入电压超过阈值时,该设备将关闭内部MOSFET,断开输入到输出的连接,以保护负载。当OVLO输入设定...
查看详细WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比(PSRR)的CMOS低压差线性稳压器(LDO)。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构,WL28...
查看详细WNM6002是一种N型增强型MOS场效应晶体管,利用先进的沟槽和电荷控制设计,提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于电源开关、负载开关和充电电路。标准产品WNM6002为...
查看详细WNM2021:单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET 产品描述 WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的RDS(ON)和...
查看详细WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,...
查看详细WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构,无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流,以在高功率操作或高环境温度下限制芯片...
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