企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器(TVS),专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD5311X可提供高达±20kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准,能承受高达4A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装,为标准无铅且无卤素产品。

主要特性:

截止电压:5V

根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线瞬态保护:±20kV(接触放电)

根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:4A(8/20μs)

极低电容:CJ=0.25pF(典型值)

极低漏电流:IR<1nA(典型值)

低钳位电压:VCL=22V(典型值)@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域:

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流,保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口,确保数据传输的稳定性。紧凑、环保,广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息,请查阅手册或联系我们。 WS4665D-8/TR 功率电子开关 封装:WDFN-8(2x2)。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD6003A

中文资料WILLSEMI韦尔WNMD6003A,WILLSEMI韦尔

      WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。

特性:

沟槽技术

超高密度单元设计

优异的ON电阻,适用于更高的直流电流

极低的阈值电压

小型SOT-23封装

应用:

继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器

DC-DC转换器电路

电源开关

负载开关

充电应用

    WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔ESD63124DESD5441N02-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。

中文资料WILLSEMI韦尔WNMD6003A,WILLSEMI韦尔

WSB5546N-肖特基势垒二极管

特性:

· 低反向电流

· 0.2A平均整流正向电流

· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。

· 快速开关和低正向电压降

· 反向阻断

应用:

· 电源管理

· 信号处理

· 电子设备保护

    总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器

产品描述

     WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。

   封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。

产品特性:

输入电压范围:2.7~5.5V

开路LED保护:38V(典型值)

参考电压:200mV(±5%)

开关频率:1MHz(典型值)

效率:高达92%

主开关电流限制:1.2A(典型值)

PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM

调光占空比:0.5%~100%

应用领域:

智能手机

平板电脑

便携式游戏机

    WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 WL2851E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

中文资料WILLSEMI韦尔WNMD6003A,WILLSEMI韦尔

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器(TVS),专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性:DFN1006-2L封装:紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素:符合环保要求,适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性:

· 截止电压:±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护:±30kV(接触放电)

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护:5.5A(8/20μs)

· 典型电容:CJ=27pF

· 极低泄漏电流:IR=0.1nA

· 低钳位电压:在IPP=16A(TLP)时,VCL=20V。

· 固态硅技术:确保器件性能稳定和长寿命。

应用:

· 计算机及其外设:如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器,专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备,ES9DN12BA都能提供强大的保护,确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WD3139F-6/TR LED驱动 封装:TSOT-23-6。中文资料WILLSEMI韦尔WCR1K2N65T

WL2815D30-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装:UDFN-4-EP(1x1)。中文资料WILLSEMI韦尔WNMD6003A

WL2803E:极低压差、500mA、CMOSLDO(低压差线性稳压器

产品描述

     WL2803E系列是一款具有极低压差、低静态电流和高电源抑制比(PSRR)的CMOSLDO。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。由于采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,使其成为需要高输出电流的消费者和网络应用的理想选择。

     WL2803E系列提供从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列还提供了过热保护(OTP)和限流功能,以确保在错误条件下芯片和电源系统的稳定性,并使用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。

    封装与环保信息:WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,并符合无铅和无卤素环保要求。

产品特性

输入电压:2.5V~5.5V

输出电压:1.2V~3.3V

输出电流:500mA

PSRR:65dB@1KHz

压差电压:130mV@IOUT=0.5A

输出噪声:100uV

静态电流:150μA(典型值)

应用领域

LCD电视

机顶盒(STB)

计算机和图形卡

网络通信设备

其他便携式电子设备  

      WL2803E是一款高性能LDO,压差低、PSRR高、静态电流低。适用于消费电子产品和网络应用,输出电压准确稳定。具备过热保护和限流功能,增强可靠性。您如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WNMD6003A

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