接下来是单晶硅生长,**常用的方法叫直拉法(CZ法)。如下图所示,高纯度的多晶硅放在石英坩埚中,并用外面围绕着的石墨加热器不断加热,温度维持在大约1400 ℃,炉中的气体通常是惰性气体,使多晶硅熔化,同时又不会产生不需要的化学反应。为了形成单晶硅,还需要控制晶体的方向:坩埚带着多晶硅熔化物在旋转,把一...
多功能一体化机械臂,包括机械臂主体,所述机械臂主体由设置在该机械臂主体底部的底座、设置在底座顶部的后臂及设置在后臂顶部的前臂构成的,该种多功能一体化机械臂,改进了原有产品的缺点,本实用新型多功能一体化机械臂具有成本费用较低、占地面积较小和驱动充足的特点,本机械臂*由底座、前臂和后臂构成的,实现了占地面积小的特点,且在生产过程中由于体积较小,厂家生产成本费较低,同时工人在使用时,移动较为方便,设有的安全离合器、液压器和液压室,实现了本新型机械臂驱动充足的特点,在使用过程中完全依靠程序芯片控制,液压器液压精细不会各支承、连接件的刚性也要有一定的要求,以保证能承受所需要的驱动力。晶圆运送机械吸臂新报价
半导体晶圆有时在处理室内暴露在高温中。因此,机械手有时输送高温的半导体晶圆。若高温的半导体晶圆与手部接触,则手部的温度上升,并且配置在前臂连杆与手部之间的关节的温度也上升。由此,安装于关节的轴承的温度上升。轴承的温度上升促进该轴承内的润滑剂的劣化。因此,与配置在上臂连杆与前臂连杆之间的关节的轴承相比,配置在前臂连杆和手部之间的关节的轴承的维护频率较高。晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能的集成电路产品。
晶圆的原始材料是硅,而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼,**化,并经蒸馏后,制成了高纯度的多晶硅,其纯度高达99.9%。 汕头库存晶圆运送机械吸臂工厂手端的定位由各部关节相互转角来确定,其误差是积累误差,因而精度较差,其位置精度也更难保证。
晶圆是半导体行业的关键元件,随着半导体行业的迅速发展,晶圆的搬运技术逐渐成为制约行业发展的关键因素。晶圆搬运机械手是IC装备的**之一,其性能的优劣直接影响晶圆的生产效率和制造质量,体现着整个加工系统的自动化程度和可靠性。在晶圆加工系统中包含两类晶圆搬运机械手:大气机械手(FI robot) 和真空机械手(Vacuum robot)。前者将晶圆从晶圆盒中取出并放到预对准设备上,工作环境满足一定的大气洁净度要求,控制精度要求相对较低。后者将晶圆从预对准设备上取下,搬运到各个工位进行刻蚀等工艺流程加工,并将加工完的晶圆搬运到接口位置,等待大气机械手放回晶圆盒。这些工艺流程需要在真空环境下进行,机械手必须要完全满足真空洁净度要求,控制精度和可靠性要求极高。
有用于输送半导体晶圆的机械手。具体地,该机械手将半导体晶圆插入到处理室(process chamber),或者将半导体晶圆从处理室中取出。传送室(transfer chamber)连结于处理室。机械手配置在该传送室内。利用机械手使半导体晶圆在传送室与处理室之间移动。传送室相当于小的无尘室。传送室防止灰尘等杂质附着于半导体晶圆。在传送室内保持空气(或者气体)清洁。另外,传送室内有时被保持为真空。要求使在传送室内工作的机械手不产生杂质的方法。单轴机械手臂作为一个组件在工业中应用***。
技术实现要素:
本实用新型要解决的技术问题是:现有机械手臂易出现碰撞损伤,且传送晶圆效率较低。
为了解决上述问题,本实用新型的一个实施例提供了一种机械手臂,其包括:托板;固定在所述托板上的绒毛垫,所述绒毛垫至少部分裸露于所述托板的用于承载晶圆的表面,并适于在与所述表面之上的晶圆接触时利用范德华力吸附晶圆。
可选地,所述绒毛垫包括托垫和绒毛,所述托垫固定在所述托板上,所述绒毛固定在所述托垫上。
可选地,所述托板设有贯穿所述表面的螺纹通孔,所述托垫嵌设在所述螺纹通孔内,并通过与所述螺纹通孔螺纹配合的螺钉固定在所述托板上。
可选地,所述绒毛为硅树脂橡胶绒毛或聚酯树胶绒毛。
可选地,所述机械手臂上所有绒毛的黏合力之和为6N以上。
可选地,所述绒毛垫上的绒毛排列成环形。
可选地,所述绒毛垫的数量为三个以上,各个所述绒毛垫之间间隔排布。 如刚性差则会引起手臂在垂直平面内的弯曲变形和水平面内侧向扭转变形.广州质量晶圆运送机械吸臂哪里好
机械手臂根据结构形式的不同分为多关节机械手臂.晶圆运送机械吸臂新报价
近年来全球硅晶圆供给不足,导致8英寸、12英寸硅晶圆订单能见度分别已达2019上半年和年底。目前国内多个硅晶圆项目已经开始筹备,期望有朝一日能够打破进口依赖,并有足够的能力满足市场需求。硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式***存在于岩石、砂砾中,硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤:硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型。一,晶柱制造步骤硅提纯:将沙石原料放入一个温度约为2000℃,并且有碳源存在的电弧熔炉中,在高温下,碳和沙石中的二氧化硅进行化学反应(碳氧结合,得硅),提纯得纯度约为98%的纯硅,又称冶金级硅,这对微电子器件来说依然不够纯,因为半导体材料的电学特性对杂质的浓度相当的敏感,因而对冶金级硅作进一步提纯:将粉碎的冶金级硅与气态的氯化氢进行氯化反应,生成液态的硅烷,然后通过蒸馏和化学还原工艺,得到了高纯度的多晶硅,其纯度达99%,成为电子级硅。 晶圆运送机械吸臂新报价
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