铅盐探测器一般指基于PbS和PbSe等IV-VI族半导体材料制作的PC探测器,它们中的PbS探测器早在二战期间就已经投入到***的实际应用之中｡直至现在,红外热像仪因其低廉的生产成本与室温下优良的灵敏度等优势,这类探测器仍占据着一定比例的商用市场,许多**制造商对此均有涉足,如美国CalSensors､NewEngland Photodetectors､Thorlabs､TJT,西班牙New Infrared Technologies以及日本滨松(Hamamatsu)等｡然而,由于银盐材料的介电常数很高,这类探测器的响应速度比一般的光子探测器都要慢,这一劣势很大程度上限制了相应的大规模FPA探测器的发展,截至2014年,铅盐FPA探测器像元达到了320x256中等规模｡手持红外热像仪为例，一手拿着热像仪，就能完成电路检测、和电力、设备维护等人工巡检的工作。DIAS红外热像仪
受限于俄歇复合的存在,红外热像仪HgCdTe探测器的在室温下的性能较差,如何降低HgCdTe材料内俄歇复合的几率是HgCdTe探测器发展道路上亟需攻克的一大难题。HgCdTe FPA探测器在气象和海洋监视､***侦察､导弹预警以及天文观测等许多方面都有无可替代的重要地位｡我国***的风云气象卫星系列都装备了HgCdTe FPA探测器用于获取全球气象资料,为数值天气预报业务的实施和各种灾害性天气的预警预报提供了强有力的数据支持,为我国在全球范围内实现高时效性的高精度成像观测能力､高精度的大气温湿度垂直分布探测能力奠定了坚实的基础｡DIAS红外热像仪红外热像仪是利用红外探测器和光学成像物镜接受被测目标的红外辐射能量分布图形反映到光敏元件上。
红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡
红外热像仪具有许多优点，如非接触式测量、响应速度快、测量范围广等。它可以测量难以接近或高温物体的温度，无需破坏被测物体，因此在各个领域得到了很广的应用。然而，红外热像仪也存在一些限制，如受到环境温度、湿度、气体成分等因素的影响，可能导致测量精度下降。此外，不同物体的发射率也会影响红外热像仪的测量结果。因此，在使用红外热像仪时，需要根据实际情况进行校准和修正，以获得更准确的温度信息。总的来说，红外热像仪是一种功能强大、应用很广的温度测量设备。随着技术的不断发展，红外热像仪的性能将不断提升，为各个领域提供更精确、更便捷的温度测量解决方案。***代作为精密仪器的红外热像仪是基于专业人员对便携性的需求而研发。
对表面散热的计算还可以采用公式法，本文中的公式法源于《化工原理》中的传热学部分，对于具体传热系数的计算方法则来自于拉法基集团水泥工艺工程手册及拉法基集团热工计算工具中使用的经验计算公式。公式法将表面散热分为辐射散热和对流散热分别进行计算，表面的总热损失是辐射和对流损失的总和：Q总=Q辐射+Q对流。1）红外热像仪辐射散热而言，附件物体的表面会把所测外壳的热辐射反射回外壳，从而减少了热量的传递，辐射热量的减少量取决于所测外壳的大小、形状、发射率和温度。所测壳体的曲面以及壳体大小、形状和距离将影响可视因子，这里所说的可视因子是指可以被所测外壳“看到”的附件物体表面的比例。即使对于相对简单的形状，可视因子的计算也变得相当复杂，因此必须进行假设以简化计算。红外热像仪自动报警，发现目标设备温度异常自动报警，存储设备工作状态热图，提示工作人员具**置。PYROLINE 320N compact+红外热像仪性价比
目前电力行业是我国民用红外热像仪应用**多的行业，国内大多数红外公司都是靠这个吃饭。DIAS红外热像仪
红外热像仪作为一种非接触式的温度测量设备，具有其独特的优点：隐蔽性好：由于红外热像仪进行的是非接触式检测与识别，因此它在使用时不易被发现，保证了操作者的安全性和有效性。不受电磁干扰：红外热像仪利用的是热红外线，这使得它在工作时不会受到电磁干扰，能远距离精确跟踪热目标。全天候监控：红外热像仪可以实现24小时全天候监控，无论是白天还是夜晚，都可以进行有效的温度测量。探测能力强：红外热像仪的探测能力强，作用距离远，可以在敌方防卫武器射程之外实施观察。DIAS红外热像仪
