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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

1)由既定拉力测试高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺在满足实际应用所需键合强度的同时,解决了键合对硅晶圆表面平整度和洁净度要求极高、对环境要求苛刻的问题。2)由高低温循环测试结果可以看出,该键合工艺可以适应复杂的实际应用环境,且具有工艺温度低,容易实现图形化,应力匹配度高等优点。3)由破坏性试验结果可以看出,该键合工艺在图形边沿的键合率并不高,键合效果不太理想,还需对工艺流程进一步优化,对工艺参数进行改进,以期达到更高的键合强度与键合率。 EVG键合机支持全系列晶圆键合工艺,这对当今和未来的器件制造是至关重要。北京键合机竞争力怎么样

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EVG®540自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统,适用于蕞/大300mm的基板技术数据EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机,设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装,3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。EVG540键合机基于模块化设计,为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。特征单室键合机,蕞/大基板尺寸为300mm与兼容的Smaiew®和MBA300自动处理多达四个键合卡盘符合高安全标准技术数据蕞/大加热器尺寸300毫米装载室使用2轴机器人蕞/高键合室2个EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。 广西键合机技术服务Smart View®NT-适用于GEMINI和GEMINI FB,让晶圆在晶圆键合之前进行晶圆对准。

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晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造,封装和测试的集成,从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更广范的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机,可以实现晶圆级封装的功能。 

EVG®810LT技术数据晶圆直径(基板尺寸)50-200、100-300毫米LowTemp™等离子活化室工艺气体:2种标准工艺气体(N2和O2)通用质量流量控制器:自校准(高达20.000sccm)真空系统:9x10-2mbar腔室的打开/关闭:自动化腔室的加载/卸载:手动(将晶圆/基板放置在加载销上)可选功能:卡盘适用于不同的晶圆尺寸无金属离子活化混合气体的其他工艺气体带有涡轮泵的高真空系统:9x10-3mbar基本压力符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统Si:Si/Si,Si/Si(热氧化,Si(热氧化)/Si(热氧化)TEOS/TEOS(热氧化)绝缘体锗(GeOI)的Si/GeSi/Si3N4玻璃(无碱浮法):硅/玻璃,玻璃/玻璃化合物半导体:GaAs,GaP,InP聚合物:PMMA,环烯烃聚合物用户可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方(可根据要求提供完整列表)晶圆键合系统EVG501可以用于学术界和工业研究。

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GEMINI ® FB自动化生产晶圆键合系统 集成平台可实现高精度对准和熔融 特色 技术数据 半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系统扩展了当前标准,并结合了更高的生产率,更高的对准度和覆盖精度,适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的Smart View NT3键合对准器,该键合对准器是专门为 <50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。同时,EVG研发生产的GEMINI系统是使用晶圆键合的量产应用的行业标准。陕西本地键合机

EVG501键合机:桌越的压力和温度均匀性、高真空键合室、自动键合和数据记录。北京键合机竞争力怎么样

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。特征:在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据晶圆直径(基板尺寸):200、300毫米ZUI高数量或过程模块8通量每小时ZUI多40个晶圆处理系统4个装载口特征:多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现ZUI高吞吐量光学边缘对准模块:Xmax/Ymax=18µm3σ 北京键合机竞争力怎么样

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