F40系列将您的显微镜变成薄膜测量工具F40产品系列用于测量小到1微米的光斑。对大多数显微镜而言，F40能简单地固定在c型转接器上，这样的转接器是显微镜行业标准配件。F40配备的集成彩色摄像机，能够对测量点进行准确监控。在1秒钟之内就能测定厚度和折射率。像我们所有的台式仪器一样，F40需要连接到您装有Windows计算机的USB端口上并在数分钟内完成设定。F40：20nm-40µm400-850nmF40-EXR：20nm-120µm400-1700nmF40-NIR：40nm-120µm950-1700nmF40-UV：4nm-40µm190-1100nmF40-UVX：4nm-120µm190-1700nmF3-sX 系列测厚范围：10µm - 3mm；波长：960-1580nm。江苏膜厚仪美元价
厚度测量产品：我们的膜厚测量产品可适用于各种应用。我们大部分的产品皆備有库存以便快速交货。请浏览本公司网页产品资讯或联系我们的应用工程师针对您的厚度测量需求提供立即协助。单点厚度测量：一键搞定的薄膜厚度和折射率台式测量系统。测量1nm到13mm的单层薄膜或多层薄膜堆。大多数产品都有库存而且可立即出货。Thetametrisis膜厚仪有各种不同附件和波长覆盖范围。微米(显微)级别光斑尺寸厚度测量当测量斑点只有1微米（µm）时，需要用您自己的显微镜或者用我们提供的整个系统。半导体膜厚仪代理商红外干涉测量技术，非接触式测量。
不管是参与对显示器的基础研究还是制造，Thetametrisis都能够提供您所需要的...测量液晶层-聚酰亚胺、硬涂层、液晶、间隙测量有机发光二极管层-发光、电注入、缓冲垫、封装对于空白样品，我们建议使用FR-Scanner系列仪器。对于图案片，Thetametrisis的FR-Scanner用于测量薄膜厚度已经找到了显示器应用广范使用。测量范例此案例中，我们成功地测量了蓝宝石和硼硅玻璃基底上铟锡氧化物薄膜厚度，可以很容易地在380纳米到1700纳米内同时测量透射率和反射率以确定厚度，折射率，消光系数。由于ITO薄膜在各种基底上不同寻常的的扩散，这个扩展的波长范围是必要的。
电介质成千上万的电解质薄膜被用于光学，半导体，以及其它数十个行业, 而Filmetrics的仪器几乎可以测量所有的薄膜。常见的电介质有:二氧化硅 – ZUI简单的材料之一, 主要是因为它在大部分光谱上的无吸收性 (k=0)， 而且非常接近化学计量 (就是说，硅：氧非常接近 1:2)。 受热生长的二氧化硅对光谱反应规范，通常被用来做厚度和折射率标准。 Filmetrics能测量3nm到1mm的二氧化硅厚度。氮化硅 – 对此薄膜的测量比很多电介质困难，因为硅：氮比率通常不是3：4, 而且折射率一般要与薄膜厚度同时测量。 更麻烦的是，氧常常渗入薄膜，生成一定程度的氮氧化硅，增大测量难度。 但是幸运的是，我们的系统能在几秒钟内 “一键” 测量氮化硅薄膜完整特征!几乎任何形状的样品厚度和折射率的自动测绘。人工加载或机器人加载均可。
技术介绍：红外干涉测量技术,非接触式测量。采用Michaelson干涉方法，红外波段的激光能更好的穿透被测物体，准确的得到测试结果。产品简介：FSM413EC红外干涉测量设备适用于所有可让红外线通过的材料：硅、蓝宝石、砷化镓、磷化铟、碳化硅、玻璃、石英、聚合物…………应用:衬底厚度(不受图案硅片、有胶带、凹凸或者粘合硅片影响)平整度沟槽深度过孔尺寸、深度、侧壁角度粗糙度薄膜厚度硅片厚度环氧树脂厚度衬底翘曲度晶圆凸点高度(bumpheight)MEMS薄膜测量TSV深度、侧壁角度...可选粗糙度: 20 — 1000Å (RMS)。安徽膜厚仪联系电话
F40测量范围；20nm-40µm;波长：400-850nm。江苏膜厚仪美元价
集成电路故障分析故障分析(FA)技术用来寻找并确定集成电路内的故障原因。故障分析中需要进行薄膜厚度测量的两种主要类型是正面去层(用于传统的面朝上的电路封装)和背面薄化(用于较新的覆晶技术正面朝下的电路封装)。正面去层正面去层的工艺需要了解电介质薄化后剩余电介质的厚度。背面故障分析背面故障分析需要在电路系统成像前移除大部分硅晶粒的厚度，并了解在每个薄化步骤后剩余的硅厚度是相当关键的。FilmetricsF3-sX是为了测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度而专门设计的系统。厚度从5微米到1000微米能够很容易的测量，另外可选配模组来延伸蕞小测量厚度至0.1微米，同时具有单点和多点测绘的版本可供选择。测量范例現在我們使用我們的F3-s1550系统测量在不同的背面薄化过程的硅层厚度.具备特殊光學設計之F3-S1550利用比直徑更小於10μm的光斑尺寸得以測量拋光以及粗糙或不均勻表面的硅层厚度江苏膜厚仪美元价
