细晶粒压电陶瓷以往的压电陶瓷是由几微米至几十微米的多畴晶粒组成的多晶材料，尺寸已不能满足需要了。减小粒径至亚微米级，可以改进材料的加工性，可将基片做地更薄，可提高阵列频率，降低换能器阵列的损耗，提高器件的机械强度，减小多层器件每层的厚度，从而降低驱动电压，这对提高叠层变压器、制动器都是有益的。减小粒径有上述如此多的好处，但同时也带来了降低压电效应的影响。为了克服这种影响，人们更改了传统的掺杂工艺，使细晶粒压电陶瓷压电效应增加到与粗晶粒压电陶瓷相当的水平。现在制作细晶粒材料的成本已可与普通陶瓷竞争了。近年来，人们用细晶粒压电陶瓷进行了切割研磨研究，并制作出了一些高频换能器、微制动器及薄型蜂鸣器（瓷片20-30um厚），证明了细晶粒压电陶瓷的优越性。随着纳米技术的发展，细晶粒压电陶瓷材料研究和应用开发仍是近期的热点。Piezo-ICSI 相比常规 ICSI方法，可有效提高ICSI受精率。香港Piezo Micro Manipulator压电核转移
什么是压电式PIEZO-ICSI？
压电式-ICSI是一种先进的ICSI技术，可减少对卵子的伤害，并与传统的ICSI相比更能提高受精率。到目前为止，临床研究表明压电式ICSI具有低的卵子降解率(1%)和高的受精率（89%）。相较于传统的ICSI，压电式ICSI使用较细的注射针尖，而注射针尖是钝的而非尖锐的，因此降低伤害卵子的可能性。
电压式PIEZO-ICSI是否安全？研究表明，压电式ICSI并不影响卵母细胞骨架以及对卵母细胞在细胞分裂时染色体的分离没有影响。它也表明，从压电ICSI衍生的囊胚非整倍体率是与常规ICSI类似的。大家可以对比一下电压式-ICSI和常规ICSI对比 美国Piezo Micro Manipulator压电压电元件PMM利用压电单元的快速形变的惯性力来驱动显微注射针，可以平滑地穿透透明带和弹性细胞膜。
压电效应的原理是，如果对压电材料施加压力，它便会产生电位差（称之为正压电效应），反之施加电压，则产生机械应力（称为逆压电效应）。如果压力是一种高频震动，则产生的就是高频电流。而高频电信号加在压电陶瓷上时，则产生高频声信号（机械震动），这就是我们平常所说的超声波信号。也就是说，压电陶瓷具有机械能与电能之间的转换和逆转换的功能，这种相互对应的关系确实非常有意思。压电材料可以因机械变形产生电场，也可以因电场作用产生机械变形，这种固有的机-电耦合效应使得压电材料在工程中得到了广泛的应用。例如，压电材料已被用来制作智能结构，此类结构除具有自承载能力外，还具有自诊断性、自适应性和自修复性等功能，在未来的飞行器设计中占有重要的地位。
辅助生殖4大通用技能一技能：人工授精二技能：体外受精三技能：卵巢移植四技能：单精子显微注射技术一般而言，体外受精是妥妥的主加技能，应用***。
1.单精子显微注射技术单精子显微注射技术（简称ICSI，即Intracytoplasmicsperminjection的英文缩写）指胞浆内单精子显微注射技术。该技术是借助显微操作系统将单个精子头注入小鼠卵子胞浆内,使卵子受精，体外培养到早期胚胎，再放回母体子宫内发育着床。在临床上，ICSI即第二代“试管婴儿技术”。 压电辅助ICSI于1995年被描述，可用于标准ICSI失败的动物（如小鼠）的辅助受孕。
把示波器交直流选择开关置于“DC”挡，扫描范围置于“10～100kHz”挡，用X移位和Y移位将水平亮线移到方格坐标的**部，置X轴上。为了能估测压电效应的最高电压幅值，我们必须先用荧光屏前的方格坐标系，定出电压标尺：利用接在示波器Y输入接线柱上的两根导线，把一节干电池的1.5V电压加在示波器上，衰减放在1，Y增益放在比较低，可以发现刚才的水平亮线上跳（或下跳）两格左右，即此时两格**1.5V电压。在Y增益不变的情况下，再将Y衰减放在1000（即千分之一）挡，荧光屏前方格坐标的两格就可以**1500V了。将Y输入接线柱上的两根馈线的鳄鱼夹分别接在压电打火机压电元件的两个电极上，迅速按下其黑色塑料压杆，可以看到原来位于**高度的水平亮线向上（或向下）跳动又恢复原位。由于荧光屏的余晖作用，水平亮线在示波器上显现的是一条高度达四格的亮带，这表明该脉冲的电压幅值在3000V以上。如果想观察这个电压脉冲的波形，可以每次按动压杆的同时，细心调节示波器“扫描微调”旋钮（事先将扫描范围换到“10～100Hz”挡），我们可以在荧光屏上看到如图2所示的波形，其电压上升较陡，降低较平缓，峰值在四格以上。PMM PIEZO该仪器在临床实践中已经取得了良好的成果，受到了医生和患者的一致好评。美国压电4G
利用压电破膜仪 PMM ，可以精确控制和操作受精卵，提高受孕成功率。香港Piezo Micro Manipulator压电核转移
已有的流行病学研究显示，单精子胞浆注射技术(Intracytoplasmic sperm injection,ICSI)可能导致出生小孩泌尿系统疾病的发生率增加.印记基因印记状态的改变与泌尿系统疾病相关，而ICSI操作正是发生在印记基因甲基化重新建立的关键时期，所以本研究的目的是研究ICSI技术对小鼠肾脏印记基因表达及甲基化状况的影响，从分子水平上研究ICSI技术对子代泌尿系统的影响，建立ICSI小鼠模型，以2-细胞移植组和自然妊娠组为对照，分别取10周，1.5年小鼠肾脏，用real-time RT-PCR的方法测定h19,igf2,mest,peg3和snrpn的mRNA表达水平，对h19和snrpn进一步用亚硫酸盐测序方法测定甲基化水平.我们的结果显示***促排卵和单精子胞浆注射都能影响h19,mest,peg3和snrpn的mRNA表达水平，而mRNA表达水平的改变主要不是通过甲基化调控，提示ICSI操作确实会导致子代肾脏印记基因表达水平的改变，而引起这种改变的机制还需要进一步研究。香港Piezo Micro Manipulator压电核转移
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