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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®540自动晶圆键合机系统全自动晶圆键合系统,适用于蕞/大300mm的基板技术数据EVG540自动化晶圆键合系统是一种自动化的单腔室生产键合机,设计用于中试线生产以及用于晶圆级封装,3D互连和MEMS应用的大批量生产的研发。EVG540键合机基于模块化设计,为我们未来的晶圆键合工艺从研发到大规模生产的全集成生产键合系统过渡提供了可靠的解决方案。特征单室键合机,蕞/大基板尺寸为300mm与兼容的Smaiew®和MBA300自动处理多达四个键合卡盘符合高安全标准技术数据蕞/大加热器尺寸300毫米装载室使用2轴机器人蕞/高键合室2个EVG560键合机基于相同的键合室设计,并结合了EVG手动键合系统的主要功能以及增强的过程控制和自动化功能,可提供高产量的生产键合。机器人处理系统会自动加载和卸载处理室。 EVG键合机的特征有:压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。天津EVG610键合机

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业内主流键合工艺为:黏合剂,阳极,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬态液相)和金属扩散/热压缩。采用哪种黏合工艺取决于应用。EVG500系列可灵活配置选择以上的所有工艺。奥地利的EVG拥有超过25年的晶圆键合机制造经验,拥有2000多拥有多年晶圆键合经验的员工,同时,GEMINI是使用晶圆键合的HVM的行业标准。根据型号和加热器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圆。这些工具的灵活性非常适合中等批量生产、研发,并且可以通过简单的方法进行大批量生产,因为键合程序可以转移到EVGGEMINI大批量生产系统中。 青海键合机质保期多久EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢?

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引线键合主要用于几乎所有类型的半导体中,这是因为其成本效率高且易于应用。在ZUI佳环境中,每秒ZUI多可以创建10个键。该方法因所用每种金属的元素性质不同而略有不同。通常使用的两种引线键合是球形键合和楔形键合。尽管球形键合的ZUI佳选择是纯金,但由于铜的相对成本和可获得性,铜已成为一种流行的替代方法。此过程需要一个类似于裁缝的针状装置,以便在施加极高电压的同时将电线固定在适当的位置。沿表面的张力使熔融金属形成球形,因此得名。当铜用于球焊时,氮气以气态形式使用,以防止在引线键合过程中形成氧化铜。 

EVG®850SOI的自动化生产键合系统 自动化生产键合系统,适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 SOI晶片是微电子行业有望生产出更快,性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术,可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产键合系统,SOI键合的所有基本步骤-从清洁和对准到预键合和红外检查-都结合了起来。因此,EVG850确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。EVG850是wei一在高通量,高产量环境下运行的生产系统,已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。EVG键合机跟应用相对应,键合方法一般分类页是有或没有夹层的键合操作。

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晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前,通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势,该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片,称为晶圆,这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后,将它们封装成单独的组件,然后将焊料引线施加到封装上。 EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的zhuan用卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。青海键合机质保期多久

键合机晶圆对准键合是晶圆级涂层、封装,工程衬底zhi造,晶圆级3D集成,晶圆减薄等应用很实用的技术。天津EVG610键合机

什么是YONG久键合系统呢?EVG晶圆键合方法的引入将键合对准与键合步骤分离开来,立即在业内掀起了市场GEMING。利用高温和受控气体环境下的高接触力,这种新颖的方法已成为当今的工艺标准,EVG的键合机设备占据了半自动和全自动晶圆键合机的主要市场份额,并且安装的机台已经超过1500个。EVG的晶圆键合机可提供ZUI佳的总拥有成本(TCO),并具有多种设计功能,可优化键合良率。针对MEMS,3D集成或高级封装的不同市场需求,EVG优化了用于对准的多个模块。下面是EVG的键合机EVG500系列介绍。 天津EVG610键合机

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