轮廓仪在晶圆的IC封装中的应用：晶圆的IC制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV刻蚀到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程，其中由于光罩中电路结构尺寸极小，任何微小的黏附异物和下次均会导致制造的晶圆IC表面存在缺陷，因此必须对光罩和晶圆的表面轮廓进行检测，检测相应的轮廓尺寸。白光轮廓仪的典型应用：对各种产品，不见和材料表面的平面度，粗糙度，波温度，面型轮廓，表面缺陷，磨损情况，腐蚀情况，孔隙间隙，台阶高度，完全变形情况，加工情况等表面形貌特征进行测量和分析。轮廓仪通常由一个激光或光电传感器和一个移动平台组成。芯片轮廓仪美元报价
轮廓仪的物镜知多少?白光干涉轮廓仪是基于白光干涉原理，以三维非接触时方法测量分析样片表面形貌的关键参数和尺寸，典型结果包括：表面形貌（粗糙度，平面度，平行度，台阶高度，锥角等）几何特征（关键孔径尺寸，曲率半径，特征区域的面积和集体，特征图形的位置和数量等）白光干涉系统基于无限远显微镜系统，通过干涉物镜产生干涉条纹，使基本的光学显微镜系统变为白光干涉仪。因此物镜是轮廓仪蕞河心的部件，物镜的选择根据功能和检测的精度提出需求，为了满足各种精度的需求，需要提供各种物镜，例如标配的10×，还有2.5×，5×，20×，50×，100×，可选。不同的镜头价格有很大的差别，因此需要量力根据需求选配对应的镜头哦。芯片轮廓仪美元报价共聚焦显微镜能够在纳米范围内获得高 分辨率。
比较椭圆偏振仪和光谱反射仪光谱椭圆偏振仪(SE)和光谱反射仪(SR)都是利用分析反射光确定电介质，半导体，和金属薄膜的厚度和折射率。两者的主要区别在于椭偏仪测量小角度从薄膜反射的光,而光谱反射仪测量从薄膜垂直反射的光。获取反射光谱指南入射光角度的不同造成两种技术在成本，复杂度，和测量能力上的不同。由于椭偏仪的光从一个角度入射，所以一定要分析反射光的偏振和强度，使得椭偏仪对超薄和复杂的薄膜堆有较强的测量能力。然而，偏振分析意味着需要昂贵的精密移动光学仪器。光谱反射仪测量的是垂直光，它忽略偏振效应（绝大多数薄膜都是旋转对称）。因为不涉及任何移动设备，光谱反射仪成为简单低成本的仪器。光谱反射仪可以很容易整合加入更强大透光率分析。从下面表格可以看出,光谱反射仪通常是薄膜厚度超过10um的手选，而椭偏仪侧重薄于10nm的膜厚。在10nm到10um厚度之间，两种技术都可用。而且具有快速，简便，成本低特点的光谱反射仪通常是更好的选择。光谱反射率光谱椭圆偏振仪厚度测量范围1nm-1mm(非金属)-50nm(金属)*-(非金属)-50nm(金属)测量折射率的厚度要求>20nm(非金属)5nm-50nm(金属)>5nm(非金属)>。
NanoX-2000/3000系列3D光学干涉轮廓仪建立在移相干涉测量（PSI）、白光垂直扫描干涉测量（VSI）和单色光垂直扫描干涉测量（CSI）等技术的基础上，以其纳米级测量准确度和重复性（稳定性）定量地反映出被测件的表面粗糙度、表面轮廓、台阶高度、关键部位的尺寸及其形貌特征等。广泛应用于集成电路制造、MEMS、航空航天、精密加工、表面工程技术、材料、太阳能电池技术等领域。使用范围广:兼容多种测量和观察需求保护性:非接触式光学轮廓仪耐用性更强，使用无损可操作性:一键式操作，操作更简单，更方便我们的表面三位微观形貌的此类方法非常丰富，通常分为接触时和非接触时两种，其中以非接触式测量方法为主。
轮廓仪产品应用蓝宝石抛光工艺表面粗糙度分析（粗抛与精抛比较）高精密材料表面缺陷超精密表面缺陷分析，核探测Oled特征结构测量，表面粗糙度外延片表面缺陷检测硅片外延表面缺陷检测散热材料表面粗糙度分析（粗糙度控制）生物、医药新技术，微流控器件微结构均匀性缺陷，表面粗糙度移相算法的优化和软件系统的开发本作品采用重叠平均移相干涉算法，保证了亚纳米量级的测量精度；优化软件控制系统，使每次检测时间压缩到10秒钟以内，同时完善的数据评价系统为用户评价产品面形质量提供了方便。晶圆的IC制造过程可简单看作是将光罩上的电路图通过UV刻蚀到镀膜和感光层后的硅晶圆上这一过程。台式轮廓仪推荐型号
在结构上，轮廓仪基本上都是台式的，而粗糙度仪以手持式的居多，当然也有台式的。芯片轮廓仪美元报价
轮廓仪的性能测量模式：移相干涉（PSI），白光垂直扫描干涉（VSI），单色光垂直扫描干涉（CSI）样品台：150mm/200mm/300mm样品台（可选配）XY平移：±25mm/150mm/200mm/300mm，倾斜：±5°可选手动/电动样品台CCD相机像素：标配：1280×960视场范围：560×750um（10×物镜）具体视场范围取决于所配物镜及CCD相机光学系统：同轴照明无限远干涉成像系统光源：高效LEDZ方向聚焦80mm手动聚焦（可选电动聚焦）Z方向扫描范围精密PZT扫描(可选择高精密机械扫描，拓展达10mm)纵向分辨率＜0.1nmRMS重复性*0.005nm，1σ台阶测量**准确度≤0.75％；重复性≤0.1%，1σ横向分辨率≥0.35um（100倍物镜）检测速度≤35um/sec,与所选的CCD芯片轮廓仪美元报价
