封装技术对微机电系统 (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影响巨大，已成为 MEMS技术发展和实用化的关键技术［1］。实现封装的技术手段很多，其中较关键的工艺步骤就是键合工艺。随着 MEMS 技术的发展，越来越多的器件封装需要用到表面带有微结构的硅片键合，然而MEMS器件封装一般采用硅—硅直接键合( silicon directly bonding，SDB) 技术［2］。由于表面有微结构的硅片界面已经受到极大的损伤，其平整度和光滑度远远达不到SDB的要求，要进行复杂的抛光处理，这DADA加大了工艺的复杂性和降低了器件的成品率［3］。 以上应用工艺也让MEMS器件，RF滤波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS图像传感器）的生产迅速增长。贵州键合机可以试用吗
EVG的晶圆键合机键合室配有通用键合盖，可快速排空，快速加热和冷却。通过控制温度，压力，时间和气体，允许进行大多数键合过程。也可以通过添加电源来执行阳极键合。对于UV固化黏合剂，可选的键合室盖具有UV源。键合可在真空或受控气体条件下进行。顶部和底部晶片的独li温度控制补偿了不同的热膨胀系数，从而实现无应力黏合和出色的温度均匀性。在不需要重新配置硬件的情况下，可以在真空下执行SOI/SDB（硅的直接键合）预键合。以上的键合机由岱美仪器供应并提供技术支持。 重庆EV Group键合机EVG服务：高真空对准键合、集体D2W键合、临时键合和热、混合键合、机械或者激光剖离、黏合剂键合。
表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤，其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间，加热至稍高于金—硅共晶点的温度，即 363 ℃ ， 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子，达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态，冷却后形成良好的键合［12，13］。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合，达到既定的键合质量成为研究重点。
EVG®510晶圆键合机系统：用于研发或小批量生产的晶圆键合系统-与大批量生产设备完全兼容。特色：EVG510是一种高度灵活的晶圆键合系统，可以处理从碎片到200mm的基板尺寸。该工具支持所有常见的晶圆键合工艺，例如阳极，玻璃粉，焊料，共晶，瞬态液相和直接法。易于使用的键合腔室和工具设计允许对不同的晶圆尺寸和工艺进行快速便捷的重新工具化，转换时间不到5分钟。这种多功能性非常适合大学、研发机构或小批量生产应用。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的键合室设计相同，键合程序易于转移，可轻松扩大生产规模。除了支持3D互连和MEMS制造，晶圆级和先进封装外，EVG的EVG500系晶圆键合机还可用于研发，中试和批量生产。
EVG®850LTSOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 用途：自动化生产键合系统，适用于多种熔融/分子晶圆键合应用 特色 技术数据 晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850LT自动化生产键合系统以及具有LowTemp™等离子活化的直接晶圆键合，熔融了熔融的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。重庆EV Group键合机
GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器，是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。贵州键合机可以试用吗
二、EVG501晶圆键合机特征：带有150mm或200mm加热器的键合室独特的压力和温度均匀性与EVG的机械和光学对准器兼容灵活的设计和研究配置从单芯片到晶圆各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）可选涡轮泵（<1E-5mbar）可升级阳极键合开放式腔室设计，便于转换和维护兼容试生产需求：同类产品中的蕞低拥有成本开放式腔室设计，便于转换和维护蕞小占地面积的200mm键合系统：0.8㎡程序与EVGHVM键合系统完全兼容以上产品由岱美仪器供应并提供技术支持。 贵州键合机可以试用吗
