红外热像仪是一种能够探测和显示物体表面温度分布的设备。它利用物体发出的红外辐射来生成热图像，显示物体的热分布情况。红外热像仪的工作原理基于物体的热辐射特性。物体都会发出红外辐射，其强度和频谱分布与物体的温度有关。红外热像仪通过感应和测量物体发出的红外辐射，然后将其转化为电信号，并通过图像处理技术将这些信号转化为可视化的热图像。红外热像仪通常由以下几个主要部件组成：红外探测器：红外探测器是红外热像仪的主要部件，用于感应和测量物体发出的红外辐射。常见的红外探测器包括热电偶、焦平面阵列和微波辐射计等。光学系统：光学系统用于收集和聚焦物体发出的红外辐射，将其引导到红外探测器上。光学系统通常由透镜、反射镜和滤光片等组成。信号处理和显示系统：红外热像仪的信号处理和显示系统负责将红外探测器感应到的红外辐射转化为可视化的热图像。这些系统通常包括模拟信号处理电路、数字信号处理器和显示器等。当红外热像仪开始工作时，光学系统会将物体发出的红外辐射聚焦到红外探测器上。红外探测器将红外辐射转化为电信号，并经过信号处理电路进行放大和滤波等处理。然后，数字信号处理器会将这些电信号转化为热图像，并通过显示器显示出来。 TMT数字式医用红外热像仪在体检应用可以覆盖以下几个方面。小巧型红外热像仪试用
热电堆又叫温差电堆，它利用热电偶串联实现探测功能，是较为古老的一种IR探测器。以前，热电堆都是基于金属材料制备的，具有响应速度慢、探测率低、成本高等致命劣势，不受业内人士的待见。随着近代半导体技术的迅猛发展，半导体材料也被应用到了热电堆的制作中。半导体材料普遍比金属材料的塞贝克(Seebeck)系数高，而且半导体的微加工技术保证了器件的微型化程度，降低其热容量，因此热电堆的性能得到了**地优化。互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的引入，让红外热像仪热电堆芯片电路技术实现了批量生产。PYROLINE HS640N protection红外热像仪推荐货源红外热像仪可以检测什么类型的物体？
红外热像仪QWIP的基础结构是多量子阱结构,虽然该结构可以被许多Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料所实现,但基于GaAs/铝镓砷(AlGaAs)材料制作的QWIP是应用***､技术成熟､性能优异的QWIP｡对于通过改变GaAs/AlGaAs材料中A1的原子百分比,可使相应的QWIP连续覆盖MIR､LWIR甚至VLWIR波段｡GaAs/AlGaAs材料体系在Ⅲ-Ⅴ族半导体材料团体里能一枝独秀的**主要原因是,它与GaAs衬底在所有的A1组分条件下都能实现非常完美的晶格匹配,这一优势使该材料体系的生长技术既成熟又低廉,极大地推动了GaAs/AlGaAs QWIP的发展｡一般而言,大家所谓的QWIP都特指GaAs/AlGaAs QWIP｡
(2)InSb探测器(PC&PV)InSb属于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,它是**早应用于IR探测技术的材料之一,其生长技术已发展得非常成熟｡在液氮温度下,InSb带隙所对应的波长稍稍大于5μm,此时InSb探测器的响应范围完美覆盖MIR波段,且探测率能在整个MIR波段维持很高的水平,因此InSb探测器在MIR波段探测方面有着举足轻重的地位｡下图是InSb半导体材料及完成后的芯片。随着红外热像仪工作温度的上升,InSb探测器的量子效率可维持不变,直至160K才开始逐渐衰减｡InSb FPA探测器被广泛应用到了***与天文领域,美国RVS(Raytheon Vision Systems)是这类探测器比较大且**出色的制造商｡汽车维修技师使用红外热像仪检测发动机和其他部件的温度异常。
二、热探测器的分类热探测器一般分为测辐射热计、热电堆和热释电探测器三种类型。(1)测辐射热计这种探测器是由具有非常小热容量和大电阻温度系数的材料制成的，吸收IR后探测器的电阻会发生明显的变化，因此它们也被称为热敏电阻。常见的IR热辐射热计有以下几种类型：金属测辐射热计、半导体测辐射热计和微型室温硅测辐射热计（简称微测辐射热计），此外还有用于THz探测的测辐射热计。这些类型中，以微测辐射热计的技术**成熟、应用*****，它们在民用市场深受消费者的推崇，甚至在***市场也有一定的应用空间。氧化钒(Vox)与非晶Si是制作微测辐射热计**常用的材料。决定着红外热成像仪画面的清晰度，是热像仪所能测量的小尺寸。中低温红外热像仪样品
红外热像仪的主要性能指标分类。小巧型红外热像仪试用
截止目前,红外热像仪HgCdTe材料依旧是制作高性能IR光子探测器的比较好的材料｡与InGaAs类似,HgCdTe也是一种三元系半导体化合物,其带隙也会随组分的改变而改变,借此HgCdTe探测器可覆盖1-22μm的超宽波段｡HgCdTe探测器在NIR､MIR和LWIR三个波段都能表现出十分优异的性能,所以它问世不久便成为了IR探测器大家族中的霸主｡然而,随着近些年InGaAs探测器的兴起,HgCdTe探测器在NIR波段的地位日趋下降;在MIR波段,虽然InSb探测器的探测率不如HgCdTe探测器,但由于InSb的材料生长技术比HgCdTe成熟,HgCdTe探测器在该波段已达不到一家独大的地步;对于LWIR波段,HgCdTe探测器仍具有很强的统治地位｡小巧型红外热像仪试用
