RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

远程等离子体源(RPS)是一种用于产生等离子体的装置,它通常被用于在真空环境中进行表面处理、材料改性、薄膜沉积等工艺。如在CVD等薄膜设备中,RPS与设备腔体连接,进行分子级的清洗。在晶圆制造过程中,即使微米级的灰尘也会造成晶体管污染,导致晶圆废片,因此RPS的清洁性能尤为重要。RPS不仅避免了传统等离子体源直接接触处理表面可能带来的热和化学损伤,还因其高度的集成性和灵活性,成为现代真空处理系统中不可或缺的一部分。在未来新材料开发中实现原子级操控。福建远程等离子体源RPS型号

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三维NAND闪存堆叠层数的不断增加,对刻蚀后高深宽比结构的清洗带来了巨大挑战。其深孔或深沟槽底部的刻蚀残留物(如聚合物)若不能彻底清理 ,将严重影响后续多晶硅或钨填充的质量,导致电荷陷阱和器件性能劣化。在此RPS远程等离子源应用领域展现出其独特优势。由于等离子体在远程生成,其主要产物是电中性的自由基,这些自由基具有较好的扩散能力,能够无阻碍地深入深宽比超过60:1的结构底部,与残留物发生化学反应并将其转化为挥发性气体排出。相较于直接等离子体,RPS技术避免了因离子鞘层效应导致的清洗不均匀问题,确保了从结构顶部到底部的均匀清洁,且不会因离子轰击造成结构侧壁的物理损伤。这使得RPS远程等离子源应用领域成为3D NAND制造中实现高良率、高可靠性的主要 技术之一。江西半导体设备RPS在柔性电子制造中实现低温基板表面活化。

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RPS远程等离子源的维护与寿命延长效益:设备停机时间是制造业的主要成本来源之一。RPS远程等离子源通过定期清洁沉积腔室,减少颗粒污染引起的工艺漂移,从而延长维护周期。其高效的清洗能力缩短了清洁时间,提高了设备利用率。此外,RPS远程等离子源的模块化设计便于集成到现有系统中,无需大规模改造。用户报告显示,采用RPS远程等离子源后,平均维护间隔延长了30%以上,整体拥有成本明显 降低。这对于高产量生产线来说,意味着更高的投资回报率。

RPS远程等离子源应用领域在半导体前道制程中尤为关键,特别是在高级 逻辑芯片和存储芯片的晶圆清洗环节。随着技术节点向5纳米乃至更小尺寸迈进,任何微小的污染和物理损伤都可能导致器件失效。传统的湿法清洗或直接等离子体清洗难以避免图案倾倒、关键尺寸改变或材料损伤等问题。而RPS远程等离子源通过物理分离等离子体产生区与处理区,只将高活性的氧自由基、氢自由基等中性粒子输送到晶圆表面,能够在不施加物理轰击的情况下,高效去除光刻胶残留、有机污染物和金属氧化物。这种温和的非接触式处理方式,能将对脆弱的FinFET结构或栅极氧化层的损伤降至比较低,确保了器件的电学性能和良率。因此,在先进制程的预扩散清洗、预栅极清洗以及刻蚀后残留物去除等关键步骤中,RPS远程等离子源应用领域已成为不可或缺的工艺选择,为摩尔定律的持续推进提供了可靠的表面处理保障。高活性气态分子经过真空泵组抽出处理腔室,提高处理腔室内部洁净度。

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RPS远程等离子源在功率器件制造中的可靠性提升:功率器件(如GaN或SiC半导体)对界面质量极为敏感。污染会导致漏电流或击穿电压下降。RPS远程等离子源提供了一种温和的清洁方法,去除表面氧化物和金属杂质,而不引入缺陷。其均匀的处理确保了整个晶圆上的电性能一致性。在高温工艺中,RPS远程等离子源还能用于钝化层沉积前的表面准备。随着电动汽车和可再生能源的普及,RPS远程等离子源帮助提高功率器件的可靠性和寿命。纳米材料(如石墨烯或量子点)对表面污染极为敏感。RPS远程等离子源可用于制备超洁净基板,或对纳米结构进行精确修饰。其可控的化学特性允许选择性去除特定材料,而不损坏底层结构。在催化研究中,RPS远程等离子源还能活化纳米颗粒表面,增强其反应性。通过提供原子级清洁环境,RPS远程等离子源推动了纳米科技的前沿研究。在红外探测器制造中优化光敏面。山东推荐RPS客服电话

远程等离子体源RPS的主要优点在于它可以实现对表面的均匀处理,因此减少了对表面的热和化学损伤。福建远程等离子体源RPS型号

RPS远程等离子源在先进封装中的解决方案针对2.5D/3D封装中的硅通孔(TSV)工艺,RPS远程等离子源提供了完整的清洗方案。在深硅刻蚀后,采用SF6/O2远程等离子体去除侧壁钝化层,同时保持铜导线的完整性。在芯片堆叠键合前,通过H2/N2远程等离子体处理,将晶圆表面氧含量降至0.5at%以下,明显 改善了铜-铜键合强度。某封测厂应用数据显示,RPS远程等离子源将TSV结构的接触电阻波动范围从±15%收窄至±5%。RPS远程等离子源在MEMS器件释放工艺中的突破MEMS器件无偿 层释放是制造过程中的关键挑战。RPS远程等离子源采用交替脉冲模式,先通过CF4/O2远程等离子体刻蚀氧化硅无偿 层,再采用H2/N2远程等离子体钝化结构层。这种时序控制将结构粘附发生率从传统工艺的12%降至0.5%以下。在惯性传感器制造中,RPS远程等离子源实现了200:1的高深宽比结构释放,确保了微机械结构的运动自由度。福建远程等离子体源RPS型号

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