RPS基本参数
  • 品牌
  • 晟鼎精密
  • 型号
  • SPR-08
  • 用途
  • 工业用
  • 清洗方式
  • 远程等离子
  • 外形尺寸
  • 467*241*270
  • 产地
  • 广东
  • 厂家
  • 晟鼎
  • 制程气体
  • NF3、O₂、CF4
  • 点火气体/流量/压力
  • 氩气(Ar)/1-6AR sIm/1-8 torr
  • 制程气体流量
  • 8NF3sLm
  • 工作气压
  • 1-10torr
  • 离化率
  • ≥95%
  • 进水温度
  • 30℃
RPS企业商机

RPS远程等离子源与5G技术发展的关联5G设备需要高频PCB和射频组件,其性能受表面清洁度影响极大。RPS远程等离子源可用于去除钻孔残留或氧化物,确保信号完整性。在陶瓷基板处理中,它能清洁通孔,提升金属化质量。其精确控制避免了介质损伤,保持了组件的高频特性。随着5G网络扩张,RPS远程等离子源支持了更小、更高效设备的制造。PS远程等离子源在食品安全包装中的创新PVDC等阻隔涂层用于食品包装以延长保质期,但沉积腔室的污染会影响涂层质量。RPS远程等离子源通过定期清洁,确保涂层均匀性和附着力。其非接触式过程避免了化学残留,符合食品安全标准。此外,RPS远程等离子源还能用于表面活化,提升印刷或层压效果。在可持续包装趋势下,该技术帮助制造商实现高性能和环保目标。用于超硬涂层沉积前的表面活化。河北半导体设备RPS光伏设备清洗

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RPS远程等离子源应用原理:远程等离子的处理作用,是非常轻微的刻蚀,有一定的活性作用,主要与腔室内部的残余气体发生作用。但是对腔室内部的固体物质,例如:腔室内壁的金属材料与腔室内部的零配件,在工作时间较短(几十分钟)的情况下,一般只会发生浅表层的反应,几十纳米至几微米,因为腔室内部的材质一般是铝合金、不锈钢等,不容易被氧离子所刻蚀。远程等离子工作时,用户本身的镀膜工艺是不工作的,所有没有直接接触到有机发光材料,就不会对有机发光材质造成损伤。即使是直接接触,其发生的轻微的表面作用,也不会造成损伤。北京半导体RPS服务电话在超导腔处理中实现原子级洁净表面制备。

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RPS远程等离子源应用领域在生物医疗器件,特别是微流控芯片、体外诊断(IVD)设备和植入式器械的制造中,扮演着表面功能化改性的重要角色。许多高分子聚合物(如PDMS、PC、COC)因其优异的生物相容性和易加工性被广 使用,但其表面通常呈疏水性,不利于细胞粘附或液体流动。RPS远程等离子源通过氧气或空气产生的氧自由基,能够高效地在这些聚合物表面引入大量的极性含氧基团(如羟基、羧基),从而将其从疏水性长久性地改变为亲水性。这种处理均匀、彻底,且不会像直接等离子体那样因过热和离子轰击对精细的微流道结构造成损伤。经过RPS处理的微流控芯片,其亲水通道可以实现无需泵驱动的毛细管液流,极大地简化了设备结构,提升了检测的可靠性和灵敏度。

RPS远程等离子源应用领域在半导体前道制程中尤为关键,特别是在高级 逻辑芯片和存储芯片的晶圆清洗环节。随着技术节点向5纳米乃至更小尺寸迈进,任何微小的污染和物理损伤都可能导致器件失效。传统的湿法清洗或直接等离子体清洗难以避免图案倾倒、关键尺寸改变或材料损伤等问题。而RPS远程等离子源通过物理分离等离子体产生区与处理区,只将高活性的氧自由基、氢自由基等中性粒子输送到晶圆表面,能够在不施加物理轰击的情况下,高效去除光刻胶残留、有机污染物和金属氧化物。这种温和的非接触式处理方式,能将对脆弱的FinFET结构或栅极氧化层的损伤降至比较低,确保了器件的电学性能和良率。因此,在先进制程的预扩散清洗、预栅极清洗以及刻蚀后残留物去除等关键步骤中,RPS远程等离子源应用领域已成为不可或缺的工艺选择,为摩尔定律的持续推进提供了可靠的表面处理保障。在汽车电子中确保恶劣环境下可靠性。

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远程等离子体源RPS反应原理:氧气作为工艺气体通入等离子发生腔后,会电离成氧离子,氧离子会与腔室里面的水分子、氧分子、氢分子、氮分子发生碰撞和产生化学反应。物理碰撞会让这些腔室原有的分子,电离成离子态,电离后氧离子和氢离子,氧离子和氮离子,氧离子和氧离子都会由于碰撞或者发生化学反应生成新的物质或者功能基团。新形成的物质或者功能基团,会更容易被真空系统抽走,从而达到降低原有腔室的残余气体含量。当然,氧等离子进入到腔室所发生的反应,比以上分析的状况会更复杂,但其机理是相类似的。RPS与材料和腔室表面发生反应,以去除污染物并充当有助于材料沉积的前提。河北远程等离子源处理cvd腔室RPS定制

用于磁性存储器件的精密图形化刻蚀工艺。河北半导体设备RPS光伏设备清洗

远程等离子源,是一种基于变压器电感耦合等离子体技术的duli式自由基发生器(RPS),可以有效的解离输入气体。产生清洗或蚀刻所需的自由基(氟、氧原子等),这些自由基通过腔室压差传输,远程等离子体内的电场保持在较低的水平,避免电荷可能损坏敏感的晶圆结构,利用自由基的强氧化特性,达到腔室清洗(Chamber Clean)或制程(On-Wafer PROCESS)的目的。该产品设计具有先进的HA或PEO涂层plasma block,先进的功率自适应模式,满足多种镀膜和刻蚀工艺需求,小体积的同时最大功率可达10kw。河北半导体设备RPS光伏设备清洗

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