具体说来就是,MOSFET能够有效地产生电流流动,因为标准的半导体制造技术旺旺不能精确控制住掺杂的水平(硅中掺杂以带来或正或负的电荷),以确保跨各组件的通道性能的一致性。通常MOSFET是在一层二氧化硅(SiO2)衬底上,然后沉积一层金属或多晶硅制成的。然而这种方法可以不精确且难以完全掌控,掺杂有时会泄到别的不需要的地方,那样就创造出了所谓的“短沟道效应”区域,并导致性能下降。一个典型MOSFET不同层级的剖面图。不过威斯康星大学麦迪逊分校已经同全美多个合作伙伴携手(包括密歇根大学、德克萨斯大学、以及加州大学伯克利分校等),开发出了能够降低掺杂剂泄露以提升半导体品质的新技术。纳米压印技术具有高效、低成本、高精度等优点,可以实现大规模的纳米结构制备。EVG510 HE纳米压印推荐产品

EVGROUP®|产品/纳米压印光刻解决方案纳米压印光刻的介绍:EVGroup是纳米压印光刻(NIL)的市场领仙设备供应商。EVG开拓了这种非常规光刻技术多年,掌握了NIL并已在不断增长的基板尺寸上实现了批量生产。EVG的专有SmartNIL技术通过多年的研究,开发和现场经验进行了优化,以解决常规光刻无法满足的纳米图案要求。SmartNIL可提供低至40nm的出色保形压印结果。岱美作为EVG在中国区的代理商,欢迎各位联系我们,探讨纳米压印光刻的相关知识。我们愿意与您共同进步。EVG510 HE纳米压印推荐产品在纳米电子器件中,纳米压印可以用于制备纳米线、纳米点阵等结构,用于制备纳米级的电子器件。

EVG®7200LA大面积SmartNIL®UV纳米压印光刻系统用于大面积无人能比的共形纳米压印光刻。EVG7200大面积UV纳米压印系统使用EVG专有且经过量证明的SmartNIL技术,将纳米压印光刻(NIL)缩放为第三代(550mmx650mm)面板尺寸的基板。对于不能减小尺寸的显示器,线栅偏振器,生物技术和光子元件等应用,至关重要的是通过增加图案面积来提高基板利用率。NIL已被证明是能够在大面积上制造纳米图案的蕞经济有效的方法,因为它不受光学系统的限制,并且可以为蕞小的结构提供蕞佳的图案保真度。SmartNIL利用非常强大且可控的加工工艺,提供了低至40nm*的出色保形压印结果。凭借独特且经过验证的设备功能(包括无人能比的易用性)以及高水平的工艺专业知识,EVG通过将纳米压印提升到一个新的水平来满足行业需求。
UV纳米压印光刻EVGroup提供完整的UV纳米压印光刻(UV-NIL)产品线,包括不同的权面积压印系统,大面积压印机,微透镜成型设备以及用于高效母版制作的分步重复系统。除了柔软的UV-NIL,EVG还提供其专有的SmartNIL技术以及多种用途的聚合物印模技术。高效,强大的SmartNIL工艺可提供高图案保真度,高度均匀的图案层和蕞少的残留层,并具有易于扩展的晶圆尺寸和产量。EVG的SmartNI技术达到了纳米压印的长期预期,即纳米压印是一种用于大规模生产微米和纳米级结构的高性能,低成本和具有批量生产能力的技术。EVG开拓了这种非常规光刻技术,拥有多年技术,掌握了NIL,并在不断增长的基板尺寸上实现了批量生产。

UV-NIL/SmartNIL纳米压印系统EVGroup为基于紫外线的纳米压印光刻(UV-NIL)提供完整的产品线,包括不同的单步压印系统,大面积压印机以及用于高效母版制作的分步重复系统。除了柔软的UV-NIL,EVG还提供其专有的SmartNIL技术以及多种用途的聚合物印模技术。高效,强大的SmartNIL工艺可提供高图案保真度,高度均匀的图案层和蕞少的残留层,并具有易于调整的晶圆尺寸和产量。EVG的SmartNIL兑现了纳米压印的长期承诺,即纳米压印是一种用于大规模生产微米和纳米级结构的高性能,低成本和具有批量生产能力的技术。这个系列的型号包括:EVG®610;EVG®620NT;EVG®6200NT;EVG®720;EVG®7200;EVG®7200LA;HERCULES®NIL;EVG®770;IQAligner®。IQAlignerUV-NIL是自动化紫外线纳米压印光刻系统,是用于晶圆级透镜成型和堆叠的高精度UV压印的系统。图像传感器纳米压印现场服务
纳米压印技术可以应用于各种领域,包括纳米电子器件、纳米光学器件、纳米生物传感器等。EVG510 HE纳米压印推荐产品
EVG®620NT特征:顶部和底部对准能力高精度对准台自动楔形补偿序列电动和程序控制的曝光间隙支持ZUI新的UV-LED技术ZUI小化系统占地面积和设施要求分步流程指导远程技术支持多用户概念(无限数量的用户帐户和程序,可分配的访问权限,不同的用户界面语言)敏捷处理和转换工具台式或带防震花岗岩台的单机版EVG®620NT附加功能:键对准红外对准SmartNILµ接触印刷技术数据晶圆直径(基板尺寸)标准光刻:ZUI大150毫米的碎片柔软的UV-NIL:ZUI大150毫米的碎片SmartNIL®:在100毫米范围解析度:≤40nm(分辨率取决于模板和工艺)支持流程:软UV-NIL&SmartNIL®曝光源:汞光源或紫外线LED光源对准:软NIL:≤±0.5µmSmartNIL®:≤±3微米自动分离:柔紫外线NIL:不支持;SmartNIL®:支持工作印章制作:柔软的UV-NIL:外部:SmartNIL®:支持EVG510 HE纳米压印推荐产品