测量DDR3测试项目

高速DDRx总线概述

DDR SDRAM 全称为 Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory» 中 文名可理解为“双倍速率同步动态随机存储器”。DDR SDRAM是在原单倍速率SDR SDRAM 的基础上改进而来的，严格地说DDR应该叫作DDR SDRAM,人们习惯称之为DDR。

DDRx发展简介

代DDR （通常称为DDR1）接口规范于2000年由JEDEC组织 发布。DDR经过几代的发展，现在市面上主要流行DDR3,而的DDR4规范也巳经发 布，甚至出现了部分DDR4的产品。Cadence的系统仿真工具SystemSI也支持DDR4的仿真 分析了。 是否可以使用可编程读写状态寄存器（SPD）来执行DDR3一致性测试？测量DDR3测试项目

DDR3： DDR3釆用SSTL_15接口，I/O 口工作电压为1.5V；时钟信号频率为400〜 800MHz；数据信号速率为800〜1600Mbps,通过差分选通信号双沿釆样；地址/命令/控制信 号在1T模式下速率为400〜800Mbps,在2T模式下速率为200〜400Mbps；数据和选通信号 仍然使用点对点或树形拓扑，时钟/地址/命令/控制信号则改用Fly-by的拓扑布线；数据和选 通信号有动态ODT功能；使用Write Leveling功能调整时钟和选通信号间因不同拓扑引起的 延时偏移，以满足时序要求。校准DDR3测试检查DDR3一致性测试是否需要经常进行？

高速DDRx总线系统设计

首先简要介绍DDRx的发展历程，通过几代DDR的性能及信号完整性相关参数的 对比，使我们对DDRx总线有了比较所有的认识。随后介绍DDRx接口使用的SSTL电平， 以及新一代DDR4使用的POD电平，这能帮助我们在今后的设计中更好地理解端接匹配、拓 扑等相关问题。接下来回顾一下源同步时钟系统，并推导源同步时钟系统的时序计算方法。 结果使用Cadence的系统仿真工具SystemSI,通过实例进行DDRx的信号完整性仿真和时序 分析。

有其特殊含义的，也是DDR体系结构的具体体现。而遗憾的是，在笔者接触过的很多高速电路设计人员中，很多人还不能够说清楚这两个图的含义。在数据写入(Write)时序图中，所有信号都是DDR控制器输出的，而DQS和DQ信号相差90°相位，因此DDR芯片才能够在DQS信号的控制下，对DQ和DM信号进行双沿采样:而在数据读出(Read)时序图中，所有信号是DDR芯片输出的，并且DQ和DQS信号是同步的，都是和时钟沿对齐的!这时候为了要实现对DQ信号的双沿采样，DDR控制器就需要自己去调整DQS和DQ信号之间的相位延时!!!这也就是DDR系统中比较难以实现的地方。DDR规范这样做的原因很简单，是要把逻辑设计的复杂性留在控制器一端，从而使得外设(DDR存储心片)的设计变得简单而廉价。因此，对于DDR系统设计而言，信号完整性仿真和分析的大部分工作，实质上就是要保证这两个时序图的正确性。是否可以在运行操作系统时执行DDR3一致性测试？

从DDR1、DDR2、DDR3至U DDR4,数据率成倍增加，位宽成倍减小，工作电压持续降 低，而电压裕量从200mV减小到了几十毫伏。总的来说，随着数据传输速率的增加和电压裕 量的降低，DDRx内存子系统对信号完整性、电源完整性及时序的要求越来越高，这也给系 统设计带来了更多、更大的挑战。

Bank> Rank及内存模块

1.BankBank是SDRAM颗粒内部的一种结构，它通过Bank信号BA(BankAddress)控制，可以把它看成是对地址信号的扩展，主要目的是提高DRAM颗粒容量。对应于有4个Bank的内存颗粒，其Bank信号为BA[1:O],而高容量DDR2和DDR3颗粒有8个Bank,对应Bank信号为BA[2:0],在DDR4内存颗粒内部有8个或16个Bank，通过BA信号和BG(BankGroup)信号控制。2GB容量的DDR3SDRAM功能框图，可以从中看到芯片内部由8个Bank组成(BankO,Bankl,…，Bank7),它们通过BA[2:0]这三条信号进行控制。 DDR3一致性测试是否适用于特定应用程序和软件环境？HDMI测试DDR3测试哪里买

是否可以使用多个软件工具来执行DDR3内存的一致性测试？测量DDR3测试项目

所示的窗口有Pin Mapping和Bus Definition两个选项卡，Pin Mapping跟IBIS 规范定义的Pin Mapping 一样，它指定了每个管脚对应的Pullup> Pulldown、GND Clamp和 Power Clamp的对应关系；Bus Definition用来定义总线Bus和相关的时钟参考信号。对于包 含多个Component的IBIS模型，可以通过右上角Component T拉列表进行选择。另外，如果 提供芯片每条I/O 口和电源地网络的分布参数模型，则可以勾选Explicit IO Power and Ground Terminals选项，将每条I/O 口和其对应的电源地网络对应起来，以更好地仿真SSN效应，这 个选项通常配合Cadence XcitePI的10 Model Extraction功能使用。测量DDR3测试项目