EVG ® 501键合机特征
独特的压力和温度均匀性
兼容EVG机械和光学对准器
灵活的研究设计和配置
从单芯片到晶圆
各种工艺（共晶，焊料，TLP，直接键合）
可选的涡轮泵（<1E-5mbar）
可升级用于阳极键合
开室设计，易于转换和维护
兼容试生产，适合于学校、研究所等
开室设计，易于转换和维护
200 mm键合系统的**小占地面积：0.8
平方米
程序与EVG的大批量生产键合系统完全兼容
EVG ® 501键合机技术数据
**/大接触力为20kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：0.1毫巴
可选：1E-5 mbar
EVG键合机的特征有：压力高达100 kN、基底高达200mm、温度高达550°C、真空气压低至1·10-6 mbar。浙江EVG301键合机
晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前，通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势，该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。
集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片，称为晶圆，这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后，将它们封装成单独的组件，然后将焊料引线施加到封装上。 EVG820键合机售后服务EVG键合机通过在高真空，精确控制的真空、温度或高压条件下键合，可以满足各种苛刻的应用。
EVG ® 810 LT技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
50-200、100-300毫米
LowTemp™等离子活化室
工艺气体：2种标准工艺气体（N 2和O 2）
通用质量流量控制器：自校准（高达20.000 sccm）
真空系统：9x10 -2 mbar
腔室的打开/关闭：自动化
腔室的加载/卸载：手动（将晶圆/基板放置在加载销上）
可选功能
卡盘适用于不同的晶圆尺寸
无金属离子活化
混合气体的其他工艺气体
带有涡轮泵的高真空系统：9x10 -3 mbar基本压力
符合LowTemp™等离子活化粘结的材料系统
Si：Si / Si，Si / Si（热氧化，Si（热氧化）/
Si（热氧化）
TEOS / TEOS（热氧化）
绝缘体锗（GeOI）的Si / Ge
Si/Si3N4
玻璃（无碱浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃
化合物半导体：GaAs，GaP，InP
聚合物：PMMA，环烯烃聚合物
用户可以使用上述和其他材料的“**/佳已知方法”配方（可根据要求提供完整列表）
EVG ® 520 IS晶圆键合机系统
单腔或双腔晶圆键合系统，用于小批量生产
特色
技术数据
EVG520 IS单腔单元可半自动操作**/大200 mm的晶圆，适用于小批量生产应用。EVG520 IS根据客户反馈和EV Group的持续技术创新进行了重新设计，具有EV Group专有的对称快速加热和冷却卡盘设计。诸如**的顶侧和底侧加热器，高压键合能力以及与手动系统相同的材料和工艺灵活性等优势，为所有晶圆键合工艺的成功做出了贡献。
特征
全自动处理，手动装卸，包括外部冷却站
兼容EVG机械和光学对准器
单室或双室自动化系统
全自动的键合工艺执行和键合盖移动
集成式冷却站可实现高产量
选项：
高真空能力（1E-6毫巴）
可编程质量流量控制器
集成冷却
技术数据
**/大接触力
10、20、60、100 kN
加热器尺寸 150毫米 200毫米
**小基板尺寸 单芯片 100毫米
真空
标准：1E-5 mbar
可选：1E-6 mbar
晶圆级涂层、封装，工程衬**造，晶圆级3D集成和晶圆减薄等用于制造工程衬底，如SOI（绝缘体上硅）。
临时键合系统
临时键合是为薄晶圆或超薄晶圆提供机械支撑的必不可少的过程，这对于3D IC，功率器件和FoWLP晶圆以及处理易碎基板（例如化合物半导体）非常重要。借助于中间临时键合粘合剂将器件晶片键合到载体晶片上，从而可以通过附加的机械支撑来处理通常易碎的器件晶片。在关键工艺之后，将晶片堆叠剥离。EVG出色的键合技术在其临时键合设备中得到了体现，该设备自2001年以来一直由该公司提供。包含型号：EVG805解键合系统；EVG820涂敷系统；EVG850TB临时键合系统；EVG850DB自动解键合系统。 EVG 晶圆键合机上的键合过程是怎么样的呢？江西键合机中芯在用吗
EVG键合机可以使用适合每个通用键合室的**卡盘来处理各种尺寸晶圆和键合工艺。浙江EVG301键合机
EVG ® 850 LT 的LowTemp™等离子激/活模块
2种标准工艺气体：N 2和O 2以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和形成气体（N 2，Ar含量**/高为4％的气体）2）
通用质量流量控制器：**多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速**/高可达到20.000 sccm
真空系统：9x10 -2 mbar（标准）和9x10 -3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹配单元
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成
清洁介质：去离子水（标准），NH 4 OH和H 2 O 2（**/大）。2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：**/高3000 rpm（5 s）
清洁臂：**多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能
ISO 3 mini-environment（根据ISO 14644）
LowTemp™等离子活化室
红外检查站 浙江EVG301键合机
岱美仪器技术服务（上海）有限公司位于金高路2216弄35号6幢306-308室。公司业务分为半导体工艺设备，半导体测量设备，光刻机 键合机，膜厚测量仪等，目前不断进行创新和服务改进，为客户提供良好的产品和服务。公司将不断增强企业重点竞争力，努力学习行业知识，遵守行业规范，植根于仪器仪表行业的发展。岱美中国凭借创新的产品、专业的服务、众多的成功案例积累起来的声誉和口碑，让企业发展再上新高。
