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键合机基本参数
  • 产地
  • 奥地利
  • 品牌
  • EVG
  • 型号
  • EVG501
  • 是否定制
键合机企业商机

EVG®320自动化单晶圆清洗系统

用途:自动单晶片清洗系统,可有效去除颗粒

EVG320自动化单晶圆清洗系统可在处理站之间自动处理晶圆和基板。机械手处理系统可确保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自动预对准和装载晶圆。除了使用去离子水冲洗外,配置选项还包括兆频,刷子和稀释的化学药品清洗。

特征

多达四个清洁站

全自动盒带间或FOUP到FOUP处理

可进行双面清洁的边缘处理(可选)

使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器(可选)进行高/效清洁

先进的远程诊断

防止从背面到正面的交叉污染

完全由软件控制的清洁过程 EVG的EVG®501 / EVG®510 / EVG®520 IS这几个型号用于研发的键合机。低温键合机研发生产

低温键合机研发生产,键合机

      晶圆级封装的实现可以带来许多经济利益。它允许晶圆制造,封装和测试的集成,从而简化制造过程。缩短的制造周期时间可提高生产量并降低每单位制造成本。

      晶圆级封装还可以减小封装尺寸,从而节省材料并进一步降低生产成本。然而,更重要的是,减小的封装尺寸允许组件用于更***的高级产品中。晶圆级封装的主要市场驱动因素之一是需要更小的组件尺寸,尤其是减小封装高度。

      岱美仪器提供的EVG的晶圆键合机,可以实现晶圆级封装的功能。 EVG510键合机图像传感器应用GEMINI FB XT适用于诸如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。

低温键合机研发生产,键合机

晶圆级封装是指在将要制造集成电路的晶圆分离成单独的电路之前,通过在每个电路周围施加封装来制造集成电路。由于在部件尺寸以及生产时间和成本方面的优势,该技术在集成电路行业中迅速流行起来。以此方式制造的组件被认为是芯片级封装的一种。这意味着其尺寸几乎与内部电子电路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成电路的常规制造通常开始于将在其上制造电路的硅晶片的生产。通常将纯硅锭切成薄片,称为晶圆,这是建立微电子电路的基础。这些电路通过称为晶圆切割的工艺来分离。分离后,将它们封装成单独的组件,然后将焊料引线施加到封装上。

BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINIFBXT自动熔融系统一起出售,每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理,但GEMINIFBXT将支持要求更高对准精度的应用,例如存储器堆叠,3D片上系统(SoC),背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。

特征:

在单个平台上的200mm和300mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用

通过等离子活化的直接晶圆键合,可实现不同材料,高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成

支持逻辑缩放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面电源分配),N&P堆栈,内存逻辑,集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底

BONDSCALE™自动化生产熔融系统的技术数据

晶圆直径(基板尺寸):200、300毫米

蕞高数量或过程模块8通量

每小时蕞多40个晶圆

处理系统

4个装载口

特征:

多达八个预处理模块,例如清洁模块,LowTemp™等离子活化模块,对准验证模块和解键合模块

XT框架概念通过EFEM(设备前端模块)实现蕞高吞吐量

光学边缘对准模块:Xmax/Ymax=18µm3σ GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3键合对准器,是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。

低温键合机研发生产,键合机

EVG®850LT

特征

利用EVG的LowTemp™等离子基活技术进行SOI和直接晶圆键合

适用于各种熔融/分子晶圆键合应用

生产系统可在高通量,高产量环境中运行

盒到盒的自动操作(错误加载,SMIF或FOUP)

无污染的背面处理

超音速和/或刷子清洁

机械平整或缺口对准的预键合

先进的远程诊断


技术数据:

晶圆直径(基板尺寸)

100-200、150-300毫米

全自动盒带到盒带操作

预键合室

对准类型:平面到平面或凹口到凹口

对准精度:X和Y:±50µm,θ:±0.1°

结合力:蕞高5N

键合波起始位置:从晶圆边缘到中心灵活

真空系统:9x10-2mbar(标准)和9x10-3mbar(涡轮泵选件) EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。低温键合机研发生产

EVG键合机使用直接(实时)或间接对准方法,能够支持大量不同的对准技术。低温键合机研发生产

键合卡盘承载来自对准器对准的晶圆堆叠,以执行随后的键合过程。可以使用适合每个通用键合室的专用卡盘来处理各种尺寸的晶圆和键合应用。 EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研发的键合机。 晶圆键合类型 ■阳极键合 ■黏合剂键合 ■共熔键合 ■瞬间液相键合 ■热压键合 EVG键合机特征 ■基底高达200mm ■压力高达100kN ■温度高达550°C ■真空气压低至1·10-6mbar ■可选:阳极,UV固化,650℃加热器 EVG键合机加工服务 EVG设备的晶圆加工服务包含如下: ■等离子活化直接键合 ■ComBond® -硅和化合物半导体的导电键合 ■高真空对准键合 ■临时键合和热、机械或者激光剖离 ■混合键合 ■黏合剂键合 ■集体D2W键合低温键合机研发生产

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键合机是一种用于物理学领域的仪器,于2016年01月01日启用。
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