表面带有微结构硅晶圆的界面已受到极大的损伤，其表面粗糙度远高于抛光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有时甚至可以达到 1 μm 以上。金硅共晶键合时将金薄膜置于欲键合的两硅片之间，加热至稍高于金—硅共晶点的温度，即 363 ℃ ， 金硅混合物从预键合的硅片中夺取硅原子，达到硅在金硅二相系( 其中硅含量为 19 % ) 中的饱和状态，冷却后形成良好的键合［12，13］。而光刻、深刻蚀、清洗等工艺带来的杂质对于金硅二相系的形成有很大的影响。以表面粗糙度极高且有杂质的硅晶圆完成键合，达到既定的键合质量成为研究重点。EVG的各种键合对准（对位）系统配置为各种MEMS和IC研发生产应用提供了多种优势。海南三维芯片键合机
EV Group开发了MLE™（无掩模曝光）技术，通过消 除与掩模相关的困难和成本，满足了HVM世界中设计灵活性和蕞小开发周期的关键要求。 MLE™解决了多功能（但缓慢）的开发设备与快 速（但不灵活）的生产之间的干扰。它提供了可扩展的解决方案，可同时进行裸片和晶圆级设计，支持现有材料和新材料，并以高可靠性提供高速适应性，并具有多级冗余功能，以提高产量和降低拥有成本（CoO）。
EVG的MLE™无掩模曝光光刻技术不仅满足先进封装中后端光刻的关键要求，而且还满足MEMS，生 物医学和印刷电路板制造的要求。 黑龙江三维芯片键合机EVG®500系列UV键合模块-适用于GEMINI支持UV固化的粘合剂键合。
半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。然而，需要晶片之间的紧密对准和覆盖精度以在键合晶片上的互连器件之间实现良好的电接触，并*小化键合界面处的互连面积，从而可以在晶片上腾出更多空间用于生产设备。支持组件路线图所需的间距不断减小，这推动了每一代新产品的更严格的晶圆间键合规范。
imec 3D系统集成兼项目总监兼Eric Beyne表示：“在imec，我们相信3D技术的力量将为半导体行业创造新的机遇和可能性，并且我们将投入大量精力来改善它。“特别关注的领域是晶圆对晶圆的键合，在这一方面，我们通过与EV Group等行业合作伙伴的合作取得了优异的成绩。去年，我们成功地缩短了芯片连接之间的距离或间距，将晶圆间的混合键合厚度减小到1.4微米，是目前业界标准间距的四倍。今年，我们正在努力将间距至少降低一半。”
EVG®850DB自动解键合机系统 全自动解键合，清洁和卸载薄晶圆 特色 技术数据 在全自动解键合机中，经过处理的临时键合晶圆叠层被分离和清洗，而易碎的设备晶圆始终在整个工具中得到支撑。支持的剥离方法包括UV激光，热剥离和机械剥离。使用所有解键合方法，都可以通过薄膜框架安装或薄晶圆处理器来支撑设备晶圆。 特征 在有形和无形的情况下，都能可靠地处理变薄的，弯曲和翘曲的晶片 自动清洗解键合晶圆 程序控制系统 实时监控和记录所有相关过程参数 自动化工具中完全集成的SECS/GEM界面 适用于不同基板尺寸的桥接工具功能 模块化的工具布局→根据特定工艺优化了产量 技术数据 晶圆直径（基板尺寸） 高达300毫米 高达12英寸的薄膜面积 组态 解键合模块 清洁模块 薄膜裱框机 选件 ID阅读 多种输出格式 高形貌的晶圆处理 翘曲的晶圆处理晶圆键合系统EVG501是适用于学术界和工业研究的多功能手动晶圆键合机。
EVG320技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：蕞高3000rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：30-60W
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0mm
材质：聚四氟乙烯
兆声区域传感器
可选的
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：蕞大2.5W/cm²有效面积（蕞大输出200W）
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效的清洁区域：三角形，确保每次旋转时整个晶片的辐射均匀性
材质：不锈钢和蓝宝石
刷的参数：
材质：PVA
可编程参数：刷子和晶圆速度（rpm）
可调参数（刷压缩，介质分配）
自动化晶圆处理系统
扫描区域兼容晶圆处理机器人领域EVG320，使24小时自动化盒对盒或FOUP到FOUP操作，达到蕞高吞吐量。与晶圆接触的表面不会引起任何金属离子污染。
可选功能：ISO3mini-environment（根据ISO14644） 自动晶圆键合机系统EVG®560，拥有多达4个键合室，能满足各种键合操作；可以自动装卸键合室和冷却站。天津键合机服务为先
EVG键合机顶部和底部晶片的duli温度控制补偿了不同的热膨胀系数，实现无应力键合和出色的温度均匀性。海南三维芯片键合机
EVG®301特征
使用1MHz的超音速喷嘴或区域传感器（可选）进行高/效清洁
单面清洁刷（选件）
用于晶圆清洗的稀释化学品
防止从背面到正面的交叉污染
完全由软件控制的清洁过程
选件
带有红外检查的预键合台
非SEMI标准基材的工具
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：200和100-300毫米
清洁系统
开室，旋转器和清洁臂
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），其他清洁介质（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：蕞高3000rpm（5秒内）
超音速喷嘴
频率：1MHz（3MHz选件）
输出功率：30-60W
去离子水流量：蕞高1.5升/分钟
有效清洁区域：Ø4.0mm
材质：聚四氟乙烯 海南三维芯片键合机
