选择可控硅模块时不能只看表面,应参考实际工作条件来选择,选用可控硅模块的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。1.可控硅模块的冷却及环境条件:(1)强迫风冷:风速≥6m/s,风温≤40℃;(2)水冷:流量≥4L/mm,压强±。水温≤35℃.水电阻率≥20KΩ.cm,HP值6—8;(3)自冷和负冷环境温度—40℃—40℃.水冷以环境温度5℃—40℃;(4)空气相对湿度≤85%;(5)空气中无腐蚀性气体和破坏绝缘的尘埃;(6)气压86—106Kpa;(7)无剧烈震动或冲击;(8)若有特殊场合,应进行相应的试验,证明工作可靠方可使用。2、可控硅模块选购注意事项:(1)注明您需要的产品的型号、结构(螺栓、凹台、凸台)、配置散热器型号。(2)注明您关注的参数要求。(3)选择电流电压时要留有适当的余量;3、可控硅模块使用注意事项:(1)线路中须有过压过流保护措施,串并联使用时必须有均流措施。(2)用万用表简单判断器件是否损坏:门阴极间电阻,应有十几或几十Ω,否则门极已短路或开路。阴阳极间电阻,应大于1MΩ,(整流管正向除外),电阻小于1MΩ表明器件极间绝缘性能不良。淄博正高电气与广大客户携手并进,共创辉煌!泰安恒压晶闸管调压模块配件
你知道可控硅模块转换电压的变化率是什么吗?可控硅模块经常会出现在我们的周围,在生活中也会经常的用到,但是在使用的时候有很多需要注意的地方,肯定也有很多你不知道的地方,比如你知道可控硅模块转换电压的变化率是什么吗?下面正高就来解说一下。1、当可控硅模块驱动一个大的电感性负载时,在负载电压和电流间有一个很大的相移。2、当负载电流过零时,双向可控硅模块开始换向,但由于相移的关系,电压将不会是零。所以要求可控硅要迅速关断这个电压。3、如果换向电压的变化超过允许值时,就没有足够的时间使结间的电荷释放掉,而被迫使双向可控硅模块回到导通状态。4、在可控硅模块端子MT1和MT2之间加一个RC网络来限制电压的变化,以防止误触发,一般,电阻取100R,电容取100nF,值得注意的是此电阻不能省掉。内蒙古单相晶闸管调压模块淄博正高电气以更积极的态度,更新、更好的产品,更优良的服务,迎接挑战。
可控硅智能调压模块安装的步骤可控硅智能调压模块的在电气行业中的应用非常广,它的优势也有很多,在使用的过程中我们要注意安装、使用、和维护,下面正高就来说说可控硅智能调压模块的安装步骤是什么?1、安装方式:可控硅智能调压模块壁挂式垂直安装,电源为上进下出。接线时各铜端子上要杂物,拧紧螺钉,否则会造成端子发热而导致损坏。2、可控硅智能调压模块的三相交流电路的进线R、S、T无相序要求,导线粗细按实际使用电流选择。3、“L”和“N”线只为可控硅智能调压模块内部控制电源用,用1平方细导线即可,与各输入控制端之间为全隔离绝缘设计。“L”端可接到任一路相线上,“N”端必须接三相零线。“L”和“N”不能调换。4、U、V、W输出端可接380Vac△形负载或者220VacY形负载(无须接N线)。5、若可控硅智能调压模块的三相负载平衡,负载中心零线可接可不接。若三相负载不平衡,负载中心零线必须接,否则将导致输出电压有偏差。6、过流保护:在使用过程中若发生过流现象,应首先检查负载有无短路等故障。可在可控硅模块的进线R、S、T端之前安装快速熔断器,规格可按实际负载电流的。以上就是可控硅智能调压模块的安装步骤,希望对您有所帮助。
传统的电加热行业使用的功率器件一般采用分离的单只晶闸管和晶闸管触发板的方式来完成对变压器初级或次级的调压;加热行业往往工作环境很恶劣,粉尘飞扬,温度变化较大,湿度较高,长时间工作后会出现触发板工作失常,造成晶闸管击穿,导致设备停产,产品报废等,给生产造成眼中损失。并且普通电工无法完成维修工作,必须专业人员进行操作。为了避免出现上述问题,采用密封性好,工作环境适应能力强,安装维修方便的可控硅智能调压模块来替代传统的方式。可控硅智能调压模块是把主电路与移向触发系统(即触发板)集成共同封装在一个塑料外壳内,从而省去了触发板与晶闸管之间的连接线、晶闸管与晶闸管之间的连接线,减小了接线错误的几率,维护方便,普通电工即可完成操作,省去人员成本。把触发板封装到模块内,环境中的粉尘、湿气等都不会对其产生影响,增加了可靠性。一、工作原理可控硅智能调压模块用于电加热控制柜内,通过温控仪表的温度传感器来采集炉内温度,然后由恒温仪表来控制智能可控硅调压模块的输出电压,形成一个温度闭环系统,来保持炉内温度恒定二、可控硅智能调压模块的选择可控硅智能调压模块是由电加热炉控制装置中关键的功率器件。淄博正高电气产品适用范围广,产品规格齐全,欢迎咨询。
在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。在晶闸管模块没有导通时,张弛振荡器的电容器C被电源充电,UC按指数规律上升到峰点电压UP时,单结晶体管VT导通,在VS导通期间,负载RL上有交流电压和电流,与此同时,导通的VS两端电压降很小,迫使张弛振荡器停止工作。当交流电压过零瞬间,晶闸管VS被迫关断,张弛振荡器得电,又开始给电容器C充电,重复以上过程。这样,每次交流电压过零后,张弛振荡器发出个触发脉冲的时刻都相同,这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。调节RP的阻值,就可以改变电容器C的充电时间,也就改变了个Ug发出的时刻,相应地改变了晶闸管的控制角,使负载RL上输出电压的平均值发生变化,达到调压的目的。双向晶闸管模块的T1和T2不能互换。否则会损坏管子和相关的控制电路。淄博正高电气具有一支经验丰富、技术力量过硬的专业技术人才管理团队。内蒙古单相晶闸管调压模块
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正高教你区分可控硅模块损坏的原因当可控硅模块损坏后,一定要及时找到损坏的原因,然后立即进行故障处理,下面正高教你如何区分可控硅模块损坏的原因。当可控硅模块损坏后需求查看剖析其缘由时,可把管芯从冷却套中取出,翻开芯盒再取出芯片,调查其损坏后的痕迹,以判别是何缘由。下面介绍几种常见表象剖析。电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其方位在远离操控极上。电压击穿。可控硅因不能接受电压而损坏,其芯片中有一个光亮的小孔,有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降低或被电路断开时发生的高电压击穿。电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏一样,而其方位在操控极邻近或就在操控极上。边际损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细微光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制作厂家装置不小心所形成的。它致使电压击穿。以上4种缘由都是可控硅模块的常见损坏缘由,遇到可控硅模块损坏事情,应剖析。泰安恒压晶闸管调压模块配件
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