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图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下:1-芯板;2-上覆铜层;3-下覆铜层;4-磁环;5-第二磁环;6-第三磁环;7-环形槽;8-第二环形槽;9-第三环形槽;10-环初级绕组外过孔;11-环初级绕组内过孔;12-环次级绕组内过孔;13-环次级绕组外过孔;14-第二环初级绕组外过孔;15-第二环初级绕组内过孔;16-第二环次级绕组内过孔;17-第二环次级绕组外过孔;18-第三环初级绕组外过孔;19-第三环初级绕组内过孔;20-第三环次级绕组内过孔;21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图,图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示,一种集成电路基板,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3,所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7;第二环形槽8;第三环形槽9),所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深,保持一定的槽底厚度),所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如,蚀刻铜箔。电子料回收,请选择上海海谷电子有限公司,让您满意,欢迎新老客户来电!陕西晶振回收厂家

包括:在衬底上方形成互连层;在所述互连层正上方形成多个mtj器件,其中,所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件,所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流;以及在所述多个mtj器件上方形成第二互连层,其中,所述互连层和所述第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时,从以下详细描述可佳理解本发明的各个方面。应该指出,根据工业中的标准实践,各个部件未按比例绘制。实际上,为了清楚的讨论,各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图,该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(mtj)器件提供访问。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图,该调节访问装置包括调节mtj器件,该调节mtj器件被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图3a至图3c示出了图2的公开的存储器电路的读取和写入操作的一些实施例的示意图。图4a至图4b示出了对应于图2的公开的存储器电路的集成芯片的截面图的一些实施例。图5a至图5b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例。河北进口晶振回收网上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子料回收的公司,期待您的光临!

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该减法器电路包括一输入端耦合到该比较器的一输出端,以及另一输入端耦合到一参考电压,其中因应于该参考电压和该减法器电路的一输出端的一电压之间的一差值的存在,该比较器的该另一输入端从耦合一预设电压改为耦合到一经学习电压。在一些实施例中,该参考电压反映一参考分类,该参考分类通过人工比较该预设电压和该实际电压来获取。在一些实施例中,该集成电路元件还包括一分压器以及一加法器电路。该分压器经配置以接收该减法器电路的该输出端的该电压。该加法器电路包括一输入端耦合到该分压器的一输出端,以及另一输入端耦合到一预设权重。在一些实施例中,该集成电路元件还包括一反相器以及一乘法器电路。该反相器包括一输入端耦合到该加法器电路的一输出端。该乘法器电路包括一输入端耦合到该反相器的该输出端,以及另一输入端耦合到该预设电压。本公开还提供一种电路。该电路包括一驱动器以及一机器学习电路。该驱动器经配置以驱动一信号。该机器学习电路包括一比较器。该比较器包括一输入端,其中该输入端因应于一不成熟分类和一参考分类之间的一差异而耦合到一经学习电压,其中该机器学习电路经配置以基于该经学习电压来调整该信号的一回转率。在一些实施例中。上海海谷电子有限公司为您提供电子料回收,有想法的可以来电咨询!

分类器电路80接收反映关于参考分类的信息的一参考电压vc。通过人工比较一预设电压vt和实际电压vout来获取参考分类。预设电压vt的微分决定信号dout于规范中规定的预设回转率。随后,分类器电路80通过比较预设电压vt和实际电压vout来产生反映关于不成熟分类的信息的电压vl。在训练阶段312中,分类器电路80基于不成熟分类和参考分类将预设电压vt更新为一经学习电压。经学习电压包括神经网络32的经加权值。mlc42基于经学习电压调整信号dout的回转率。在推理/分类阶段314中,分类器电路80基于经学习电压产生经配置以调整信号dout的回转率的预测。图10是根据本公开的一些实施例的图9的测量电路60的电路图。参照图10,测量电路60包括取样保持(s/h)电路600和602,以及一减法器604。s/h电路600经配置以对信号dout的一电压v1进行取样。在一些实施例中,s/h电路600包括一开关、一电容器和一以操作放大器为基底所组成的放大器。在一些实施例中,s/h电路600包括任何已知的s/h电路。s/h电路602经配置以对信号dout的一第二电压v2进行取样。在一些实施例中,s/h电路602包括一开关、一电容器和一以操作放大器为基底所组成的放大器。在一些实施例中,s/h电路602包括任何已知的s/h电路。上海海谷电子有限公司电子料回收值得用户放心。河南电感元件回收联系方式

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调节)提供给工作mtj器件的电流来选择性地对工作mtj器件提供访问。通过使用调节访问装置来选择性地对存储器阵列内的工作mtj器件提供访问,可以减小存储器阵列内的存储单元(例如,mram单元)的尺寸,因为该尺寸不再取决于驱动晶体管的尺寸。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路100的一些实施例的示意图,该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。存储器电路100包括具有多个存储单元104a,1至104b,2的存储器阵列102。多个存储单元104a,1至104b,2以行和/或列布置在存储器阵列102内。例如,行存储单元包括存储单元104a,1和104a,2,而列存储单元包括存储单元104a,1和104b,1。在一些实施例中,多个存储单元104a,1至104b,2可以包括多个mram单元。多个存储单元104a,1至104b,2(例如,mram单元)分别包括连接至调节访问装置108的工作mtj器件106。工作mtj器件106包括磁隧道结(mtj),磁隧道结(mtj)具有通过介电遂穿阻挡层112a与自由层114a分隔开的固定层110a。固定层110a具有固定的磁向,而自由层114a具有可以在操作期间(通过隧道磁阻(tmr)效应)改变为相对于固定层110a的磁向平行(即,“p”状态)或反向平行(即,“ap”状态)的磁向。陕西晶振回收厂家

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