真空磁控溅射技术是指一种利用阴极表面配合的磁场形成电子陷阱,使在E×B的作用下电子紧贴阴极表面飘移。设置一个与靶面电场正交的磁场,溅射时产生的快电子在正交的电磁场中作近似摆线运动,增加了电子行程,提高了气体的离化率,同时高能量粒子与气体碰撞后失去能量,基体温度较低,在不耐温材料上可以完成镀膜。这种技术是玻璃膜技术中的较优先技术,是由航天工业、兵器工业、和核工业三个方面相结合的优先技术的民用化,民用主要是通过这种技术达到节能、环保等作用。磁控溅射特点:可制备成靶的材料广,几乎所有金属,合金和陶瓷材料都可以制成靶材。贵州磁控溅射流程
磁控溅射镀膜注意事项:1、辐射:有些镀膜要用到射频电源,如功率大,需做好屏蔽处理.另外,欧洲标准在单室镀膜机门框四周嵌装金属线屏蔽辐射;2、金属污染:镀膜材料有些(如铬、铟、铝)是对人体有害的,特别要注意真空室清理过程中出现的粉尘污染;3、噪音污染:如特别是一些大的镀膜设备,机械真空泵噪音很大,可以把泵隔离在墙外;4、光污染:离子镀膜过程中,气体电离发出强光,不宜透过观察窗久看.磁控溅射镀膜的产品特点。磁控溅射镀膜的适用范围:1、建材及民用工业中;2、在铝合金制品装饰中的应用;3、高级产品零/部件表面的装饰镀中的应用;4、在不锈钢刀片涂层技术中的应用;5、在玻璃深加工产业中的应用。浙江反应磁控溅射方案非平衡磁控溅射的磁场有边缘强,也有中部强,导致溅射靶表面磁场的“非平衡”。
磁控溅射靶材的应用领域:众所周知,靶材材料的技术发展趋势与下游应用产业的薄膜技术发展趋势息息相关,随着应用产业在薄膜产品或元件上的技术改进,靶材技术也应随之变化。如Ic制造商.近段时间致力于低电阻率铜布线的开发,预计未来几年将大幅度取代原来的铝膜,这样铜靶及其所需阻挡层靶材的开发将刻不容缓。另外,近年来平面显示器大幅度取代原以阴极射线管为主的电脑显示器及电视机市场。亦将大幅增加ITO靶材的技术与市场需求。此外在存储技术方面。高密度、大容量硬盘,高密度的可擦写光盘的需求持续增加.这些均导致应用产业对靶材的需求发生变化。下面我们将分别介绍靶材的主要应用领域,以及这些领域靶材发展的趋势。
为了解决阴极溅射的缺陷,人们在20世纪70年代的时候开发出了直流磁控溅射技术,它有效地克服了阴极溅射速率低和电子使基片温度升高的弱点,因而获得了迅速发展和普遍应用。其原理是:在磁控溅射中,由于运动电子在磁场中受到洛仑兹力,它们的运动轨迹会发生弯曲甚至产生螺旋运动,其运动路径变长,因而增加了与工作气体分子碰撞的次数,使等离子体密度增大,从而磁控溅射速率得到很大的提高,而且可以在较低的溅射电压和气压下工作,降低薄膜污染的倾向;另一方面也提高了入射到衬底表面的原子的能量,因而可以在很大程度上改善薄膜的质量。同时,经过多次碰撞而丧失能量的电子到达阳极时,已变成低能电子,从而不会使基片过热。因此磁控溅射法具有“高速”、“低温”的优点。该方法的缺点是不能制备绝缘体膜,而且磁控电极中采用的不均匀磁场会使靶材产生明显的不均匀刻蚀,导致靶材利用率低,一般只为20%-30%。磁控溅射设备的主要用途:装饰领域的应用,如各种全反射膜及半透明膜等,如手机外壳,鼠标等。
非平衡磁控溅射离子轰击在镀膜前可以起到清洗工件的氧化层和其他杂质,活化工件表面的作用,同时在工件表面上形成伪扩散层,有助于提高膜层与工件表面之间的结合力。在镀膜过程中,载能的带电粒子轰击作用可达到膜层的改性目的。比如,离子轰击倾向于从膜层上剥离结合较松散的和凸出部位的粒子,切断膜层结晶态或凝聚态的优势生长,从而生更致密,结合力更强,更均匀的膜层,并可以较低的温度下镀出性能优良的镀层。非平衡磁控溅射技术的运用,使平衡磁控溅射遇到的沉积致密、成分复杂薄膜的问题得以解决。磁控溅射就是以磁场束缚和延长电子的运动路径,改变电子的运动方向。上海多功能磁控溅射步骤
安装镀膜基片或工件的样品台以及真空室接地,作为阳极。贵州磁控溅射流程
真空磁控溅射镀膜特别适用于反应沉积镀膜,实际上,真空磁控溅射镀膜这种工艺可以沉积任何氧化物、碳化物以及氮化物材料的薄膜。此外,该工艺也特别适合用于多层膜结构的沉积,包括了光学设计、彩色膜、耐磨涂层、纳米层压板、超晶格镀膜、绝缘膜等。早在1970年,已经有了高质量的光学薄膜沉积案例,开发了多种光学膜层材料。这些材料包括有透明导电材料、半导体、聚合物、氧化物、碳化物以及氮化物等,至于氟化物则多是用在蒸发镀膜等工艺当中。贵州磁控溅射流程
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