通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。本发明具有的特点：通过实施本发明，能够在集成电路有机基板本体内采用埋磁技术预制一只或多只磁环，通过激光过孔技术实现变压器，并且电感量和耦合系数都非常高，有利于电源的功率输出和效率。再采用SIP工艺集成Die和分离器件来多种表面处理方式以方便引线键合,倒装芯片或混合类型连接，完成整体功能，如隔离电源，隔离信号传输等电路功能。通过采用印制线及激光精确打过孔方式实现变压器线圈的绕制，代替了人工绕制的困难，特别是直径比较小的磁环变压器，不支持机器绕制，只能人工费时绕制。本发明克服了绕制线圈的非一致性，离散性；方便出引脚，SMT焊接机械对位和一致性；人工绕制的变压器还得有底托，并且引脚必须有寄托，还有就是SMT焊接不能吸取(由于磁环中空)。本发明节约了成本，与纯铜漆包线绕制，整体节约50％成本。本发明由于将微变压器内置于绝缘体内，没有空气爬电距离的路径，在很小的空间内实现了高耐压初次级要达到。附图说明图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有需求可以来电咨询！广东废弃电子料回收公司
达到固定散热机构3的目的，之后打开管盖6，并通过导管5向空心导热块31内加注部分纯净水，接着盖上管盖6，在芯片本体1工作散发热量的时候，热量被空心导热块31吸收，同时空心导热块31内部的纯净水受热蒸发，并通过连通管32和第二连接管34进入到空心散热块33和第二散热块35中，利用空心散热块33和第二空心散热块35较大的散热面积快速的把热量导出，然后水蒸汽凝结成水珠，水珠回到空心导热块31中继续吸收热量，该结构能够有效提高芯片的散热效率，同时提高了芯片运行的流畅性，以及避免芯片因高温而损伤，提高了芯片的使用寿命。以上所述，为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。浙江电子料上门回收收购上海海谷电子有限公司为您提供回收，有需求可以来电咨询！
第二侧壁间隔件271至282在方向x上具有节距p5、p6和p7以及宽度w4。根据侧壁间隔件261至266的宽度w3以及第二侧壁间隔件271至282的宽度w4确定节距p5、p6和p7。在一些实施例中，第二侧壁间隔件271至282的平均节距被减小到抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/4平均节距。在一些示例实施例中，如参照图4g、图4h和图4i所述，可以使用侧壁间隔件261至266作为心轴图案在与侧壁间隔件261至266相同的层中形成第二侧壁间隔件271至282。在一些示例实施例中，即使图中未示出，也可以在下层中印刷侧壁间隔件261至266，也可以使用印刷图案作为心轴图案在比侧壁间隔件261至266低的层中形成第二侧壁间隔件271至282。根据所使用的工艺步骤的数量，获得不同的节距值(特征分辨率或者特征分隔距离)。在单图案化或者直接图案化的情况下，可以使用抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3形成与抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3具有相同的平均节距的目标图案。在sadp的情况下，可以使用心轴图案231、232和233在比抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3低的层中形成具有抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/2平均节距的目标图案。在saqp的情况下。
2v)和第四非零偏置电压v4(例如，4v)之间的差异使得第二电流i2流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。然而，第二电流i2的两倍小于切换电流isw，因此没有将数据状态写入至第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。类似地，连接至字线wl3和wl4的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。如图3b的示意图302所示，通过将第二数据状态写入存储器阵列102的行301中的第二存储单元202a,2内的工作mtj器件来实施写入操作的第二步骤。通过将非零偏置电压v1(例如，6v)施加至字线wl1和wl2，将第二非零偏置电压v2(例如，2v)施加至位线bl1和bl3并且将第三偏置电压v3(例如，0v)施加至位线bl2来实施写入操作的第二步骤。非零偏置电压v1(例如，6v)和第三偏置电压v3(例如，0v)之间的差异使得电流i1流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw，使得第二存储单元202a,2内的调节mtj器件的状态不变。然而，电流i1(其流过第二存储单元202a,2内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw，以将第二数据状态写入第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件不受写入操作的第二步骤的影响，因为非零偏置电压v1(例如，6v)和第二非零偏置电压v2。上海海谷电子有限公司回收服务值得放心。
在一些实施例中，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如sadp形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成交替地具有栅极节距和第二栅极节距。通常，在一些实施例中，作为另一示例，每个单元线路结构的四条栅极线通过例如自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的四条栅极线在方向上布置成顺序地具有栅极节距、第二栅极节距、栅极节距和第三栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，在一些实施例中，每个单元线路结构的八条栅极线通过单图案化形成，并且每个单元线路结构的八条栅极线在方向上布置成具有相等的栅极节距。在一些实施例中，每个单元线路结构包括十二条金属线和八条栅极线，每个单元线路结构的十二条金属线通过自对准四倍图案化(saqp)形成，并且每个单元线路结构的十二条金属线在方向上布置成顺序地且重复地具有金属节距、第二金属节距、金属节距和第三金属节距。此外，例如。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，欢迎您的来电！海南废弃电子料回收
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所述多条金属线之中的在方向上顺序地相邻的每三条金属线之间的两个金属节距彼此不同。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线通过自对准双倍图案化(sadp)或自对准四倍图案化(saqp)形成。还在所述方法的一些实施例中，单元线路结构是未被划分为至少两个相等的子线路结构的小单元结构。此外，提供一种设计集成电路的方法，所述方法包括：接收定义集成电路的输入数据；设置包括多个标准单元的标准单元库；基于输入数据和标准单元库执行布局和布线；以及基于布局和布线的结果生成定义集成电路的输出数据，其中，所述集成电路包括：半导体基底，多条栅极线，形成在半导体基底上方的栅极层中，所述多条栅极线布置在方向上并且在垂直于方向的第二方向上延伸，以及多条金属线，形成在栅极层上方的导电层中，所述多条金属线布置在方向上并且在第二方向上延伸。在所述方法的一些实施例中，所述多条金属线中的6n条金属线和所述多条栅极线中的4n条栅极线形成单元线路结构，n是正整数，并且多个单元线路结构布置在方向上。根据示例实施例，一种集成电路包括：半导体基底、多条栅极线和多条金属线。所述多条栅极线形成在半导体基底上方的栅极层中，其中。广东废弃电子料回收公司
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