2v)和第四非零偏置电压v4(例如，4v)之间的差异使得第二电流i2流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。然而，第二电流i2的两倍小于切换电流isw，因此没有将数据状态写入至第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。类似地，连接至字线wl3和wl4的工作mtj器件也不受写入操作的步骤的影响。如图3b的示意图302所示，通过将第二数据状态写入存储器阵列102的行301中的第二存储单元202a,2内的工作mtj器件来实施写入操作的第二步骤。通过将非零偏置电压v1(例如，6v)施加至字线wl1和wl2，将第二非零偏置电压v2(例如，2v)施加至位线bl1和bl3并且将第三偏置电压v3(例如，0v)施加至位线bl2来实施写入操作的第二步骤。非零偏置电压v1(例如，6v)和第三偏置电压v3(例如，0v)之间的差异使得电流i1流过第二存储单元202a,2内的调节mtj器件。电流i1小于切换电流isw，使得第二存储单元202a,2内的调节mtj器件的状态不变。然而，电流i1(其流过第二存储单元202a,2内的工作mtj器件)的两倍大于切换电流isw，以将第二数据状态写入第二存储单元202a,2内的工作mtj器件。存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件不受写入操作的第二步骤的影响，因为非零偏置电压v1(例如，6v)和第二非零偏置电压v2。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法可以来我司咨询！天津电子料上门回收收购
化学机械平坦化工艺)以形成互连层406a。在各个实施例中，衬底402可以是任何类型的半导体主体(例如，硅、sige、soi等)，诸如半导体晶圆和/或晶圆上的一个或多个管芯，以及任何与其相关的其它类型的半导体和/或外延层。在一些实施例中，ild层904可以包括一种或多种介电材料，诸如二氧化硅(sio2)、sicoh、氟硅酸盐玻璃、磷酸盐玻璃(例如，硼磷硅酸盐玻璃)等。在一些实施例中，导电材料可以包括通过沉积工艺(例如，cvd、pvd、pe-cvd、ald等)形成的金属(例如，钨、铝等)。在各个实施例中，互连层406a可以是互连线层、第二互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。如图10的截面图1000所示，在互连层406a的上表面上方形成多个底电极通孔408。多个底电极通孔408由介电层1002围绕。在一些实施例中，介电层1002可以沉积在互连层406a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔408。在各个实施例中，介电层1002可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔408可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔408上方形成多个mtj器件106、204和206。河南电子料回收量大从优上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎您的来电！
位线解码器116被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr1选择性地向一条或多条位线bl1至bl2提供信号(例如，电压)。而字线解码器118被配置为基于从控制单元120接收的地址saddr2选择性地向一条或多条字线wl1至wl2提供信号(例如，电压)。调节访问装置108被配置为调节电流(提供给相关的工作mtj器件106的信号)，并且由此选择性地对相关的工作mtj器件106提供访问。例如，在写入操作期间，存储器阵列102内的调节访问装置108可以对选择的存储单元内的工作mtj器件提供大于或等于小切换电流(即，足以使存储单元的数据状态改变的电流)电流，而对未选择的存储单元内的工作mtj器件提供小于小切换电流的电流。使用调节访问装置108来选择性地对工作mtj器件106提供访问提供了没有驱动晶体管的存储单元。没有驱动晶体管的存储单元允许存储器阵列102的尺寸减小，从而改进存储器电路100的性能并且减小成本。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路200的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问的调节mtj器件。存储器电路200包括存储器阵列102，存储器阵列102具有以行和列布置的多个存储单元202a,1至202c,3(例如，mram单元)。多个存储单元202a。
例如，2v)之间的差异使得小于切换电流的第二电流i2流过存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的调节mtj器件。然而，电流i2的两倍小于切换电流isw，使得没有将数据状态写入至存储单元202a,1和第三存储单元202a,3内的工作mtj器件。图3c示出了示出从工作mtj器件读取数据状态的读取操作的示意图304的一些实施例。如示意图304所示，通过将非零偏置电压v1(例如，2v)施加至字线wl1，对存储单元202a,1内的工作mtj器件实施读取操作。非零偏置电压v1将使得读取电流ir通过存储单元202a,1内的工作mtj器件。通过工作mtj器件的读取电流ir具有取决于工作mtj器件的电阻状态的值。例如，工作mtj器件处于低电阻状态(例如，存储逻辑“0”)时的读取电流ir将大于工作mtj器件处于高电阻状态(例如，存储逻辑“1”)的读取电流ir。在一些实施例中，位线解码器116可以包括多路复用器，多路复用器被配置为确定存储器阵列102的期望输出。多路复用器被配置为将来自存储单元202a,1内的工作mtj器件的读取电流ir选择性地提供给感测放大器306，感测放大器306被配置为比较ir与由电流源308产生的参考电流iref，以确定存储在存储单元202a,1内的工作mtj器件中的数据状态。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的可以来电咨询！
减法器604经配置以通过从第二电压v2减去电压v1来提供实际电压vout。因此，实际电压vout与电压v1和第二电压v2相关联。图11是根据本公开的一些实施例的图9的分类器电路80的电路图。参考图11，分类器电路80包括一比较器800、一减法器电路802、一分压器804、一加法器电路806、一反相器810、一暂存器812、一乘法器814和一暂存器816。在图11中，符号(i)表示当前的特性；符号(i+1)表示下一次的特性。比较器800具有耦合到实际电压vout(i)的一输入端、耦合到式子(w(i)*vt)表示的电压的另一输入端，以及耦合到一节点n0的一输出端，其中在式子中的w(i)表示神经网络32的权重，以及vt表示预设电压。权重w(i)初是1，并且被称为一预设权重。因此，比较器800的另一输入端初耦合到预设电压vt。比较器800经配置以通过将预设电压vt与实际电压vout进行比较来产生关于不成熟分类的信息。减法器电路802具有耦合到比较器800的一输出端的一输入端和耦合到一参考电压vc(i)的另一输入端，从而从电压v1(i)中减去参考电压vc(i)。因此，减法器电路802向分压器804提供一电压(v1(i)-vc(i))。因此，分压器804提供电压η(v1-vc)，其中η表示学习速率，以及η的范围从大约0到大约1。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，欢迎您的来电！山东高价电子元器件回收行情
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每个单元线路结构可以包括六条金属线和四条栅极线。在这种情况下，单元线路结构未被划分为两个子线路结构，使得每个子线路结构包括三条金属线和两条栅极线。在一些示例实施例中，每个单元线路结构可以包括十二条金属线和八条栅极线。在这种情况下，单元线路结构未被划分为四个子线路结构，使得每个子线路结构包括三条金属线和两条栅极线，并且单元线路结构未被划分为两个子线路结构，使得每个子线路结构包括六条金属线和四条栅极线。当半导体工艺按比例缩小时，集成在一个集成电路中的晶体管的数量呈指数增长。由于晶体管的数量大，因此使用标准单元库来设计集成电路，该标准单元库包括使逻辑门标准化而不是定制设计的多个标准单元。可以通过标准单元库、逻辑合成工具以及自动布局和布线工具自动地设计实现期望的功能的复杂的集成电路。标准单元被布置为形成用于自动设计的多个行，并且制造的集成电路的行具有除光学偏差之外的规则节距。集成电路的栅极线在列方向上延伸并且在行方向上重复地布置。栅极线上方的金属线双向或单向地传输信号和/或电压。通常，上层中的金属线被实现为单向的。栅极线和金属线非常密集，并且栅极线和金属线的节距在光刻工艺中用作图案的限制。天津电子料上门回收收购
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