字线解码器118和偏置电路606可以包括相同的电路元件(即，字线解码器118可以将信号施加至偏置电压线bvly)。在操作期间，为了访问工作mtj器件106，偏置电路606和字线解码器118可以将电压施加至偏置电压线bvly和字线wlx，以设置存储器阵列102的行内的调节mtj器件604的值。随后，位线解码器116可以施加位线电压，该位线电压允许访问多个存储单元602a,1至602c,3中的选择的存储单元，而不访问多个存储单元602a,1至602c,3中的未选择的存储单元。例如，为了将数据写入存储单元602a,1内的工作mtj器件106，可以将组偏置电压施加至字线wl1和偏置电压线bvl1。组偏置电压赋予行内的调节访问装置108低电阻。可以将第二组偏置电压施加至其它行中的偏置电压线bvl2和字线wl1，以赋予其它行内的调节访问装置108高电阻。然后将位线电压施加至位线bl1。存储单元602a,1内的调节访问装置的低电阻使得大电流(例如，大于切换电流)流过存储单元602a,1内的工作mtj器件，同时第二存储单元602a,2内的调节访问装置的高电阻使得小电流(例如，小于切换电流)流过第二存储单元602a,2内的工作mtj器件。图6b示出了对应于图6a的存储器电路600的集成电路的一些实施例的截面图608。回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，有想法可以来我司咨询！湖南电感元件回收处理
导电覆盖层可以由金属氮化物(例如，tin、tan、它们的组合等)形成。间隙填充金属层可以填充有源区ac之间的空间并且在导电覆盖层上延伸。间隙填充金属层可以由w(例如，钨)层形成。间隙填充金属层可以例如通过使用ald方法、cvd方法或物相沉积(pvd)方法形成。多个导电接触件ca和cb可以位于有源区ac上的层ly1上。多个导电接触件ca和cb包括连接到有源区ac的源区/漏区116的多个接触件ca21、22、23、24、25、31、32、33、34和35(参见图12b)和连接到栅极线pc11、12、13、14、15和16的多个第二接触件cb41、42和43(参见图12a和12c)。多个导电接触件ca和cb可以通过覆盖有源区ac和栅极线pc的层间绝缘层132彼此绝缘。多个导电接触件ca和cb可以具有与层间绝缘层132的上表面基本处于同一水平处的上表面。层间绝缘层132可以是氧化硅层。第二层间绝缘层134和穿过第二层间绝缘层134的多个下通孔接触件v051、52、53、54、55、56、57、58、59、60、61和62位于层间绝缘层132上。第二层间绝缘层134可以是氧化硅层。在高于层ly1(例如，沿着第三方向z距基底110更远)的第二层ly2上沿方向x延伸的多条线路m171、72、73、74、75、76、77和78可以位于第二层间绝缘层134上。广东电子芯片回收市场上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的不要错过哦！
在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。图12示出了对应于步骤1312的一些实施例的截面图1200。虽然方法1300描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如，mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤1306中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过第二组单独的操作(在步骤1306和步骤1308之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤1306中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。
包括：在衬底上方形成互连层；在所述互连层正上方形成多个mtj器件，其中，所述多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件，所述一个或多个调节mtj器件被配置为选择性地控制流至所述工作mtj器件的电流；以及在所述多个mtj器件上方形成第二互连层，其中，所述互连层和所述第二互连层中的一个或两个限定位线和一条或多条字线。附图说明当结合附图进行阅读时，从以下详细描述可佳理解本发明的各个方面。应该指出，根据工业中的标准实践，各个部件未按比例绘制。实际上，为了清楚的讨论，各个部件的尺寸可以任意地增大或减小。图1示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些实施例的示意图，该调节访问装置被配置为选择性地对操作磁隧道结(mtj)器件提供访问。图2示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例的示意图，该调节访问装置包括调节mtj器件，该调节mtj器件被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。图3a至图3c示出了图2的公开的存储器电路的读取和写入操作的一些实施例的示意图。图4a至图4b示出了对应于图2的公开的存储器电路的集成芯片的截面图的一些实施例。图5a至图5b示出了具有调节访问装置的存储器电路的一些额外实施例。回收，就选上海海谷电子有限公司，有想法的可以来电咨询！
字线解码器118被配置为选择性地将信号施加至连接至存储器阵列102的一条或多条字线wl1至wl6，并且位线解码器116被配置成选择性地将信号施加至连接至存储器阵列102的一条或多条位线bl1至bl3。通过选择性地将信号施加至一条或多条字线wl1至wl6和一条或多条位线bl1至bl3，可以在相互排斥的情况下选择性地访问多个工作mtj器件106中的不同工作mtj器件106。例如，图3a至图3b示出了图2的存储器电路200的写入操作的一些实施例的示意图300和302。示意图300和302所示的写入操作是实施写入操作的方法的非限制性实例。在其它实施例中，可以可选地使用实施写入操作的其它方法。图3a至图3b中示出的写入操作在步骤(图3a所示)期间将数据状态写入至存储器阵列的一行中的一个或多个存储单元，并且在随后的第二步骤(图3b所示)期间将第二数据状态写入至存储器阵列的该行中的一个或多个存储单元，以使用两步工艺将数据写入至存储器阵列102的整个行。应该理解，为了将数据写入mtj器件，提供的通过mtj器件的电流必须大于切换电流(即，临界切换电流)。不大于切换电流的电流将不会导致电阻状态之间的切换，并且因此不会将数据写入存储器阵列102内的mtj器件。在一些实施例中。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法可以来我司咨询。福建电子元件回收厂家
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固定层110具有固定的磁取向，该磁取向被配置为用作参考磁方向和/或减少对自由层114的磁冲击。在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括附加层。例如，在一些实施例中，mtj中的一个或多个可以包括位于底电极通孔408和固定层之间的反铁磁层。在其它实施例中，mtj中的一个或多个可以包括以各种方式布置的附加固定层(例如，附加固定层、第二附加固定层等)和/或附加自由层(例如，附加自由层、第二附加自由层等)以改进mtj的性能。图4b示出了对应于图2的存储器阵列102的集成芯片414的一些可选实施例的截面图。集成芯片414包括布置在衬底402上方的介电结构404。介电结构404围绕存储单元202a,1。存储单元202a,1包括工作mtj器件106和具有调节mtj器件204和第二调节mtj器件206的调节访问装置108。介电结构404还围绕多个导电互连层406a至406f。多个导电互连层406a至406f包括互连层406a，互连层406a在存储单元202a,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206正下方延伸为连续结构。互连层406a通过第二互连层406b和多个通孔412a连接至存储单元202a,1的工作mtj器件106、调节mtj器件204和第二调节mtj器件206。第三互连层406c具有离散的互连结构。湖南电感元件回收处理
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