8)价格及供货保证选型时尽量选择量产的芯片，慎选样片阶段的芯片。9)仿真器和开发平台确认开发时所使用的仿真器以及软件开发平台，推荐公司已有的开发工具和开发平台支持的处理器。10)OS及开发工具确认处理器支持的OS以及BSP，以及提供开发用例的丰富程度。11)勘误资料查阅新版本的芯片勘误资料，确认芯片的限制使用条件。12)技术支持推荐**度高的半导体公司的产品，选择市面上使用较广、可利用的软硬件资源较多的芯片，尽量选择有厂家或者代理商技术支持的芯片。1)并行FLASH品牌推荐SPANSION、SST，SAMSUNG。2)串行FLASH品牌推荐ATMEL。品牌推荐ISSI，CYPRESS，MICRON，IDT，SAMSUNG。1)禁止选用并行的EEPROM。2)串行EEPROM品牌推荐ATMEL和MICROCHIP。3)新的产品禁止选用24LC65-I/SM。1)禁选拨码开关。2)电源开关推荐船形开关。3)触点电压和电流需降额使用。：3)额定电压：加载的电压≤额定电压*50％；4)额定电流：加载电流≤额定电流*50％。5)多芯连接器，额定电流降额使用（esp.大电流）。6)绝缘阻抗。7)抗电强度：单位时间所能耐的电压。8)接触电阻：指插针和插孔接触部分产生的电阻，高频、mV/mA级别时影响信号质量。9)镀层材料。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，欢迎新老客户来电！孝感库存电子元器件回收网
即先任意测一下漏电阻，记住其大小。然后交换表笔再测出一个阻值。两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。D.使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。3、可变电容器的检测A）用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。B）用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。C）将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在短路点；如果碰到某一角度，万用表读数不为无穷大而是出现一定阻值，说明可变电容器动片与定片之间存在漏电现象。电感器、变压器检测方法与经验1、色码电感器的的检测将万用表置于R×1挡，红、黑表笔各接色码电感器的任一引出端，此时指针应向右摆动。根据测出的电阻值大小。常州批量电子元器件回收中心上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，期待为您服务！
表明发光二极管已损坏。万用表选电阻R×1挡。红、黑表笔接输出端，测正、反向电阻，正常时均接近于∞，否则受光管损坏。万用表选电阻R×10挡，红、黑表笔分别接输入、输出端，测发光管与受光管之间的绝缘电阻(有条件应用兆欧表测其绝缘电阻，此时兆欧表输出额定电压应略低于被测光电耦合器所允许的耐压值)，发光管与受光管间绝缘电阻正常应为∞。14．光敏电阻的检测检测时将万用表拨到R×lk挡，把光敏电阻的受光面与入射光线保持垂直，于是在万用表上直接测得的电阻就是亮阻。再把光敏电阻置于完全黑暗的场所，这时万用表所测出的电阻就是暗阻。如果亮阻为几千欧至几十千欧，暗阻为几至几十兆欧，说明光敏电阻是好的。15．激光=极管损坏判别拆下激光二极管，测量其阻值，正常情况下反向阻值应为无穷大，正向阻值在20kΩΩ～40kΩ。如果所测的正向阻值已超过50kΩ，说明激光二极管性能已下降；如果其正向阻值已超过90kΩ，说明该管已损坏，不能再使用了。
②无铅焊接的高温环境则会使MSD的湿度敏感性至少下降1或2个等级。③此外，实际生产过程中，生产线的频繁切换会使许多已经装到贴片机上的元器件不得不拆下来。这就意味着，大量没有用完的托盘元器件和卷带器件暂时需要储存起来以备后用。这些封装在托盘和卷带里的没有用完的湿度敏感元器件，很可能在重返生产线并进行后的焊接以前，超过了其大湿度容量。防静电性能要求1．静电对电子元器件的危害静电的基本物理特性为：吸引或排斥，与大地有电位差，会产生放电电流。这三种特性会对电子元器件产生四种影响：①静电吸附灰尘、改变线路间的阻抗，影响产品的功能与寿命。②静电放电（ElectroStaticDischarge，ESD）破坏，造成电子元器件损伤（或完全破坏；或仍能工作，寿命受损）。③静电放电产生的电磁场幅度很大（达到几百V/m）、频谱极宽（从几兆Hz到几千兆Hz），对电子产品造成干扰甚至损坏（电磁干扰）。④静电放电时所产生的电场或电流发出的热量也会使元器件受伤（潜在损伤）。其中，ESD是指带电体周围的场强超过周围介质的绝缘击穿场强时，因介质产生电离而使带电体上的静电荷部分或全部消失的现象。静电放电是高电位、强电场、瞬时大电流的过程，与此同时。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，有需要可以联系我司哦！
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7)降额标准参见GJB/Z35《元器件降额准则》。8)工作温度：铝电解电容必须选用工作温度为105度的。9)容值：推荐10、22、47系列；25V以下禁选224、105、475之类容值型号（用片状多层陶瓷电容或钽电解电容替代）。10)极性：对于高压型铝电解电容保留400V。禁选无极性铝电解电容。11)品牌：普通铝电解电容选用品牌“SAMWHA”（三和），铝电解电容选用NCC（黑金刚）或其他日本明星铝电解电容，或者中国台湾利隆。12)封装：优先选用贴片的铝电解电容。钽电解电容Ø优点：在串联电阻、感抗、对温度的稳定性与铝电解相比优势明显；Ø缺点：工作电压较低。选型规则：1)漏电流要求较高的场合，不选钽电解电容，需选用薄膜电容。2)耐压：降额选用，禁止选用耐压超过35V以上的，、5V系统取16V、12V系统取35V、3)10V、16V、35V为推荐，4V、、50V为禁用（用铝电解电容替代），电源输入级或低阻抗环境使用，推荐降额到，电源输出级及一般应用环境推荐降额。4)封装：插脚式钽电解电容禁选。5)品牌：选择KEMET、AVX。片状多层陶瓷电容1)选用基本原则：低ESR和高的谐振频率，ESR越小越好。2)Q值：高Q值陶瓷电容慎选；只用在射频电路上。3)封装：0603、0805推荐、1206、1210慎选、1808以上禁选。
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