用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极K，另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A，红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G，此时万用表电阻挡指针应向右偏转，阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。3、双向可控硅的检测用万用表电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时，该组红、黑表所接的两引脚为阳极A1和控制极G，另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后，再仔细测量A1、G极间正、反向电阻，读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为阳极A1，红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2，红表笔接阳极A1，此时万用表指针不应发生偏转，阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接，给G极加上正向触发电压，A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线，万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线，红表笔接第二阳极A2，黑表笔接阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，有想法的可以来电咨询！苏州批量电子元器件回收公司
由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕。广州呆滞电子元器件回收厂家电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电哦！
文中品牌*供参考）经典实用的电子元器件选型规范1目录2总则目的适用范围电子元器件选型基本原则其他具体选型原则：3各类电子元器件选型原则电阻选型电容选型铝电解电容钽电解电容片状多层陶瓷电容电感选型二极管选型发光二极管：快恢复二极管：整流二极管：肖特基二极管：稳压二极管：瞬态二极管：三极管选型晶体和晶振选型继电器选型电源选型AC/DC电源选型规则隔离DC/DC电源选型规则运放选型A/D和D/A芯片选型处理器选型FLASH选型SRAM选型EEPROM选型开关选型接插件选型选型时考虑的电气参数：选型时考虑的机械参数：欧式连接器选型规则白色端子选型规则其它矩形连接器选型规则电子线缆选型4附则2总则目的为本公司研发电子产品时物料选型提供指导性规范文件。适用范围适用于公司研发部门开发过程中元器件选型使用。电子元器件选型基本原则1)普遍性原则：所选的元器件要是被使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门芯片，减少开发风险。2)高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较好的元器件，降低成本。3)采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。4)持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件,禁止选用停产的器件。
有力促进其规模化应用。此外物联网、智能化等领域的发展还推动了智能医疗、智慧交通等领域的快速发展近几年由于下游需求的上涨，行业在现有产能的情况下2017年在缺货领域开始涨价，这也从侧面反映出我国新型电子元器件行业市场需求的旺盛。二、2018-2023年我国新型电子元器件市场需求预测5G不*自身具有巨大的产业价值，还能带动芯片、器件、材料、软件等多种基础产业的快速发展。5G将与互联网、物联网以及工业、交通、医疗等行业应用融合地更加紧密，进而推动新一轮的产业创新浪潮。在三网融合建设中，无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。在三网融合建设中，无论是网络设备还是终端设备都离不开各种元器件。网络的改造升级、终端设备的多样化设计都要依托关键元器件技术的革新。建设高速铁路，需要现代化的路网指挥系统、现代化的高速机车，这些都和电子元器件尤其是大功率电力电子器件密不可分。随着新能源的应用，对环保节能型电子元器件产品的需求也将越来越大。这都为相关的元器件企业提供了巨大的市场机遇。但是，目前我国的电子元器件产品，无论技术还是规模都不足以支撑起这些新兴产业的发展。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，有想法可以来我司咨询。
应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。D）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。E）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电！湖北库存电子元器件回收量大从优
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只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压，同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态，阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后，控制器G即使失去触发电压，只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止，即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压，仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。双向可控硅阳极A1与第二阳极A2间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G和阳极A1间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。只有当阳极A1、第二阳极A2电流减小，小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。2、单向可控硅的检测万用表选电阻R*1Ω挡。苏州批量电子元器件回收公司
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