对于从事电源设计的工作中，会遇到各种复杂的电源问题，比如说各个元器件之间的兼容问题，还有就是如何选择替代元器件。要想设计出性能高的开关电源就必须弄懂弄通开关电源中各元器件的类型及主要功能。本文将总结出这部分知识。开关电源**电路中使用的元器件种类繁多，性能各异，大致可分为通用元器件、特种元器件两大类。下面我们解析开关电源设计之电子元器件。一、电阻器1.取样电阻—构成输出电压的取样电路，将取样电压送至反馈电路。2.均压电阻—在开关电源的对称直流输入电路中起到均压作用，亦称平衡电阻。3.分压电阻—构成电阻分压器。4.泄放电阻—断电时可将电磁干扰(EMI)滤波器中电容器存储的电荷泄放掉。5.限流电阻—起限流保护作用，如用作稳压管、光耦合器及输入滤波电容的限流电阻。6.电流检测电阻—与过电流保护电路配套使用，用于限制开关电源的输出电流极限。7.分流电阻—给电流提供旁路。8.负载电阻—开关电源的负载电阻(含等效负载电阻)。9.小负载电阻—为维持开关电源正常工作所需要的小负载电阻，可避免因负载开路而导致输出电压过高。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，欢迎您的来电！广州废弃电子元器件回收中心
6、温度循环：确定光电子器件承受极高温度和极低温度的能力，以及极高温度和极低温度交替变化对光电子器件的影响。7、恒定湿热：确定密封和非密封光电子器件能否同时承受规定的温度和湿度。8、高温寿命：确定光电子器件高温加速老化失效机理和工作寿命。加速老化试验在光电子器件上施加高温、高湿和一定的驱动电流进行加速老化。依据试验的结果来判定光电子器件具备功能和丧失功能，以及接收和拒收，并可对光电子器件工作条件进行调整和对可靠性进行计算。1、高温加速老化：加速老化过程中的基本环境应力式高温。在实验过程中，应定期监测选定的参数，直到退化超过寿命终止为止。2、恒温试验：恒温试验与高温运行试验类似，应规定恒温试验样品数量和允许失效数。3、变温试验：变化温度的高温加速老化试验是定期按顺序逐步升高温度（例如，60℃、85℃和100℃）。4、温度循环：除了作为环境应力试验需要对光电子器件进行温度循环外，温度循环还可以对管电子器件进行加速老化。温度循环的加速老化目的一般不是为了引起特定的性能参数的退化，而是为了提供封装在组件里的光路长期机械稳定性的附加说明。金鉴显微红外热点定位测试系统金鉴全自动红外体温筛查机体温异常。镇江废弃电子元器件回收中心电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，欢迎您的来电哦！
②无铅焊接的高温环境则会使MSD的湿度敏感性至少下降1或2个等级。③此外，实际生产过程中，生产线的频繁切换会使许多已经装到贴片机上的元器件不得不拆下来。这就意味着，大量没有用完的托盘元器件和卷带器件暂时需要储存起来以备后用。这些封装在托盘和卷带里的没有用完的湿度敏感元器件，很可能在重返生产线并进行后的焊接以前，超过了其大湿度容量。防静电性能要求1．静电对电子元器件的危害静电的基本物理特性为：吸引或排斥，与大地有电位差，会产生放电电流。这三种特性会对电子元器件产生四种影响：①静电吸附灰尘、改变线路间的阻抗，影响产品的功能与寿命。②静电放电（ElectroStaticDischarge，ESD）破坏，造成电子元器件损伤（或完全破坏；或仍能工作，寿命受损）。③静电放电产生的电磁场幅度很大（达到几百V/m）、频谱极宽（从几兆Hz到几千兆Hz），对电子产品造成干扰甚至损坏（电磁干扰）。④静电放电时所产生的电场或电流发出的热量也会使元器件受伤（潜在损伤）。其中，ESD是指带电体周围的场强超过周围介质的绝缘击穿场强时，因介质产生电离而使带电体上的静电荷部分或全部消失的现象。静电放电是高电位、强电场、瞬时大电流的过程，与此同时。
应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。D）用测电阻法判别无标志的场效应管首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。E）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档。上海海谷电子有限公司致力于提供电子元器件回收，有想法可以来我司咨询。
元器件包装要求1．贴片元器件的包装要求（1）一般片式阻容类元器件推荐编带包装元器件，可选托盘包装元器件，不推荐选用管装和散装元器件。（2）IC芯片类元器件推荐编带包装元器件，可选托盘包装元器件，不推荐选用管装和散装元器件。（3）存储器类IC元器件推荐托盘包装元器件，不推荐管装和编带包装元器件。（4）**航天散料片式表面贴装元器件应放入防静电袋中，IC芯片应放入**的托盘或**的带有减振防护功能的防静电盒中。（5）覆盖带①应确保其密封良好，覆盖带不能存在任何空洞和裂纹。②覆盖带应居于卷带**位置，不能发生明显移位，严禁覆盖带因为位置偏移或尺寸过大而遮住圆形齿轮孔的任何部分。③覆盖带应保证自身具有足够的抗拉强度，对于8mm卷带宽度的覆盖带，抗拉强度应不小于700g，对于12～32mm卷带宽度的覆盖带，抗拉强度应不小于1000g，对于44mm卷带宽度的覆盖带，抗拉强度应不小于1300g。④覆盖带与卷带应保持合适的剥离强度，任何情况下覆盖带与卷带的小剥离力不能小于10g，以保证在正常的运输、存储及生产过程中元器件不会脱离卷带。（6）卷带①对于8mm的卷带，大剥离力应小于100g，对于12～56mm的卷带，大剥离力应小于130g，对于72mm及以上的卷带。电子元器件回收，就选上海海谷电子有限公司，让您满意，有想法可以来我司咨询！镇江废弃电子元器件回收中心
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焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。E）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。3、VMOS场效应管VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不*继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（μA左右），还具有耐压高（比较高1200V）、工作电流大（～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。广州废弃电子元器件回收中心
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