二、电子元器件工艺选型原则电子元器件选型应考虑的要素很多，其中工艺性要素包括元器件包装、元器件外观、引脚镀层、组装工艺、可焊性及耐热性等。工艺选型时一般应遵循以下原则。（1）基本原则①普遍性原则：所选的元器件应是被使用验证过的，尽量少使用冷门、偏门元器件，减小开发风险。②高性价比原则：在功能、性能、使用率都相近的情况下，尽量选择价格比较低的元器件，降低成本。③采购方便原则：尽量选择容易买到、供货周期短的元器件。④持续发展原则：尽量选择在可预见的时间内不会停产的元器件，禁止选用停产的元器件，推荐生命周期处于成长期、成熟期的元器件。⑤可替代原则：尽量选择功能和引脚兼容芯片品牌比较多的元器件。⑥向上兼容原则：尽量选择以前老产品用过的元器件。⑦资源节约原则：尽量充分利用元器件的全部功能和引脚。⑧降额设计原则：对于需要降额设计的元器件，尽量进行降额选型，参考标准参见GJB/Z35—1993《元器件降额准则》。⑨归一化原则：在不影响功能、可靠性的前提下，尽量压缩元器件的品种和供应商。（2）便于生产原则①在满足产品功能和性能的条件下，尽量选择表面贴装型元器件，尽量选择间距宽和封装复杂度低的型号。上海海谷电子有限公司是一家专业提供电子元器件回收的公司，欢迎您的来电！韶关废弃电子元器件回收市场
其阻值应分别在几百千欧、几十千欧及十几千欧以上，如果阻值很小或测试时万用表指针来回晃动，则表明ICEO很大，管子的性能不稳定。③测量放大能力(β)：目前有些型号的万用表具有测量三极管hFE的刻度线及其测试插座，可以很方便地测量三极管的放大倍数。先将万用表功能开关拨至挡，量程开关拨到ADJ位置，把红、黑表笔短接，调整调零旋钮，使万用表指针指示为零，然后将量程开关拨到hFE位置，并使两短接的表笔分开，把被测三极管插入测试插座，即可从hFE刻度线上读出管子的放大倍数。另外：有此型号的中、小功率三极管，生产厂家直接在其管壳顶部标示出不同色点来表明管子的放大倍数β值，其颜色和β值的对应关系如表所示，但要注意，各厂家所用色标并不一定完全相同。B）检测判别电极①判定基极用万用表R×100或R×1k挡测量三极管三个电极中每两个极之间的正、反向电阻值。当用根表笔接某一电极，而第二表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时，则根表笔所接的那个电极即为基极b。这时，要注意万用表表笔的极性，如果红表笔接的是基极b。黑表笔分别接在其他两极时，测得的阻值都较小，则可判定被测三极管为PNP型管；如果黑表笔接的是基极b，红表笔分别接触其他两极时。杭州废弃电子元器件回收价格上海海谷电子有限公司电子元器件回收获得众多用户的认可。
8)价格及供货保证选型时尽量选择量产的芯片，慎选样片阶段的芯片。9)仿真器和开发平台确认开发时所使用的仿真器以及软件开发平台，推荐公司已有的开发工具和开发平台支持的处理器。10)OS及开发工具确认处理器支持的OS以及BSP，以及提供开发用例的丰富程度。11)勘误资料查阅新版本的芯片勘误资料，确认芯片的限制使用条件。12)技术支持推荐**度高的半导体公司的产品，选择市面上使用较广、可利用的软硬件资源较多的芯片，尽量选择有厂家或者代理商技术支持的芯片。1)并行FLASH品牌推荐SPANSION、SST，SAMSUNG。2)串行FLASH品牌推荐ATMEL。品牌推荐ISSI，CYPRESS，MICRON，IDT，SAMSUNG。1)禁止选用并行的EEPROM。2)串行EEPROM品牌推荐ATMEL和MICROCHIP。3)新的产品禁止选用24LC65-I/SM。1)禁选拨码开关。2)电源开关推荐船形开关。3)触点电压和电流需降额使用。：3)额定电压：加载的电压≤额定电压*50％；4)额定电流：加载电流≤额定电流*50％。5)多芯连接器，额定电流降额使用（esp.大电流）。6)绝缘阻抗。7)抗电强度：单位时间所能耐的电压。8)接触电阻：指插针和插孔接触部分产生的电阻，高频、mV/mA级别时影响信号质量。9)镀层材料。
②无铅焊接的高温环境则会使MSD的湿度敏感性至少下降1或2个等级。③此外，实际生产过程中，生产线的频繁切换会使许多已经装到贴片机上的元器件不得不拆下来。这就意味着，大量没有用完的托盘元器件和卷带器件暂时需要储存起来以备后用。这些封装在托盘和卷带里的没有用完的湿度敏感元器件，很可能在重返生产线并进行后的焊接以前，超过了其大湿度容量。防静电性能要求1．静电对电子元器件的危害静电的基本物理特性为：吸引或排斥，与大地有电位差，会产生放电电流。这三种特性会对电子元器件产生四种影响：①静电吸附灰尘、改变线路间的阻抗，影响产品的功能与寿命。②静电放电（ElectroStaticDischarge，ESD）破坏，造成电子元器件损伤（或完全破坏；或仍能工作，寿命受损）。③静电放电产生的电磁场幅度很大（达到几百V/m）、频谱极宽（从几兆Hz到几千兆Hz），对电子产品造成干扰甚至损坏（电磁干扰）。④静电放电时所产生的电场或电流发出的热量也会使元器件受伤（潜在损伤）。其中，ESD是指带电体周围的场强超过周围介质的绝缘击穿场强时，因介质产生电离而使带电体上的静电荷部分或全部消失的现象。静电放电是高电位、强电场、瞬时大电流的过程，与此同时。上海海谷电子有限公司为您提供电子元器件回收，欢迎新老客户来电！
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属于P沟道场效应管，黑表笔所接的也是栅极G。若不出现上述情况，可以调换红、黑表笔，按上述方法进行测试，直至判断出栅极为止。一般结型场效应管的源极与漏极在制造时是对称的，所以，当栅极G确定以后，对于源极S、漏极D不一定要判别，因为这两个极可以互换使用。源极与漏极之间的电阻为几千欧。7．三极管电极的判别对于一只型号标示不清或无标志的三极管，要想分辨出它们的三个电极，也可用万用表测试。先将万用表量程开关拨在R×100或R×lk电阻挡上。红表笔任意接触三极管的一个电极，黑表笔依次接触另外两个电极，分别测量它们之间的电阻值，若测出均为几百欧低电阻时，则红表笔接触的电极为基极b，此管为PNP管。若测出均为几十至上百千欧的高电阻时，则红表笔接触的电极也为基极b，此管为NPN管。在判别出管型和基极b的基础上，利用三极管正向电流放大系数比反向电流放大系数大的原理确定集电极。任意假定一个电极为c极，另一个电极为e极。将万用表量程开关拨在R×1k电阻挡上。对于PNP管，令红表笔接c极，黑表笔接e极，再用手同时捏一下管子的b、c极，但不能使b、c两极直接相碰，测出某一阻值。然后两表笔对调进行第二次测量，将两次测的电阻相比较，对于PNP型管。韶关废弃电子元器件回收市场
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