真空磁控溅射的分类：平面磁控溅射：平衡平面溅射是较常用的平面靶磁控溅射，磁力线有闭合回路且与阴极平行，即在阴极表面构成一个正交的电磁场环形区域。等离子体被束缚在靶表面距离靶面大约60cm的区域，通常在基片上加负偏压来改善膜与基体的结合能力；非平衡平面磁控溅射为了将等离子区域扩展，利用磁体摆放方式的调整，可以方便的获得不同的非平衡磁控源。圆柱磁控溅射沉积技术：利用圆柱形磁控阴极实现溅射的技术磁控源是关键部分，阴极在中心位置的叫磁控源；阳极在中心位置的叫反磁控源。真空磁控溅射涂层技术与真空蒸发涂层技术相比有许多优点。天津多功能磁控溅射
近年来磁控溅射技能发展十分迅速，代表性办法有平衡平衡磁控溅射、反响磁控溅射、中频磁控溅射及高能脉冲磁控溅射等等。放电发生的等离子体中，氩气正离子在电场效果下向阴极移动，与靶材外表磕碰，受磕碰而从靶材外表溅射出的靶材原子称为溅射原子。磁控溅射不只应用于科研及工业范畴，已延伸到许多日常生活用品，主要应用在化学气相堆积制膜困难的薄膜制备。磁控溅射技能在制备电子封装及光学薄膜方面已有多年，特别是先进的中频非平衡磁控溅射技能也已在光学薄膜、通明导电玻璃等方面得到应用。广州反应磁控溅射镀膜能够控制镀层的厚度，同时可通过改变参数条件控制组成薄膜的颗粒大小。
影响磁控溅射镀膜结果的因素：1、溅射功率的影响，在基体和涂层材料确定的情况下,工艺参数的选择对于涂层生长速率和涂层质量都有很大的影响.其中溅射功率的设定对这两方面都有极大的影响。2、气压的影响，磁控溅射是在低气压下进行高速溅射，为此需要提高气体的离化率，使气体形成等离子体。在保证溅射功率固定的情况下，分析气压对于磁控溅射的影响。磁控溅射镀膜的产品优点：1、几乎所有材料都可以通过磁控溅射沉积；2、可以根据基材和涂层的要求缩放光源并将其放置在腔室中的任何位置；3、可以沉积合金和化合物的薄膜,同时保持与原始材料相似的组成.磁控溅射镀膜的产品特点1、磁控溅射所利用的环状磁场迫使二次电子跳栏式地沿着环状磁场转圈.相应地,环状磁场控制的区域是等离子体密度较高的部位。
随着工业的需求和表面技术的发展，新型磁控溅射如高速溅射、自溅射等成为磁控溅射领域新的发展趋势。高速溅射能够得到大约几个μm/min的高速率沉积，可以缩短溅射镀膜的时间，提高工业生产的效率；有可能替代对环境有污染的电镀工艺。当溅射率非常高，以至于在完全没有惰性气体的情况下也能维持放电，即是只用离化的被溅射材料的蒸汽来维持放电，这种磁控溅射被称为自溅射。被溅射材料的离子化以及减少甚至取消惰性气体，会明显地影响薄膜形成的机制，加强沉积薄膜过程中合金化和化合物形成中的化学反应。由此可能制备出新的薄膜材料，发展新的溅射技术，例如在深孔底部自溅射沉积薄膜。射频磁控溅射，又称射频磁控溅射，是一种制备薄膜的工艺，特别是在使用非导电材料时。
磁控溅射是物理中气相沉积的一种。一般的溅射法可被用于制备金属、半导体、绝缘体等多材料，且具有设备简单、易于控制、镀膜面积大和附着力强等优点。上世纪70年代发展起来的磁控溅射法更是实现了高速、低温、低损伤。因为是在低气压下进行高速溅射，必须有效地提高气体的离化率。磁控溅射通过在靶阴极表面引入磁场，利用磁场对带电粒子的约束来提高等离子体密度以增加溅射率。磁控溅射是入射粒子和靶的碰撞过程。入射粒子在靶中经历复杂的散射过程，和靶原子碰撞，把部分动量传给靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成级联过程。在这种级联过程中某些表面附近的靶原子获得向外运动的足够动量，离开靶被溅射出来。磁控溅射的优点：膜的牢固性好。吉林单靶磁控溅射过程
磁控溅射镀膜的适用范围：在不锈钢刀片涂层技术中的应用。天津多功能磁控溅射
脉冲磁控溅射是采用矩形波电压的脉冲电源代替传统直流电源进行磁控溅射沉积。脉冲溅射可以有效地抑制电弧产生进而消除由此产生的薄膜缺陷，同时可以提高溅射沉积速率，降低沉积温度等一系列明显的优点，是溅射绝缘材料沉积的首先选择的工艺过程。高功率脉冲磁控溅射技术作为一种高离化率物理中气相沉积技术，可以明显提高薄膜结构可控性，进而获得优异的薄膜性能，对薄膜工业的发展有重要意义。近几年来，高功率脉冲磁控溅射技术在国内外研究领域和工业界受到了普遍关注和重视。天津多功能磁控溅射
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