可控硅模块是可控硅整流器的简称。它是由三个PN结四层结构硅芯片和三个电极组成的半导体器件。那么就让正高的小编带大家去了解下其他知识吧！它的三个电极分别叫阳极（A）、阴极（K）和控制极（G）。当器件的阳极接负电位（相对阴极而言）时，从符号图上可以看出PN结处于反向，具有类似二极管的反向特性。当器件的阳极上加正电位时（若控制极不接任何电压），在一定的电压范围内，器件仍处于阻抗很高的关闭状态。但当正电压大于某个电压（乐为转折电压）时，器件迅速转变到低阻通导状态。加在阳极和阴极间的电压低于转折电压时，器件处于关闭状态。此时如果在控制极上加有适当大小的正电压（对阴极），只有使器件中的电流减到低于某个数值或阴极与阳极之间电压减小到零或负值时，器件才可恢复到关闭状态。多种用途的，根据结构及用途的不同，它已有很多不同的类型，除上述介绍的整流用普通可控硅之外还有；1、快速的。这种可以工作在较高的频率下，用于大功率直流开关、电脉冲加工电源、激光电源和雷达调制器等电路中。2、双向的。它的特点是可以使用正的或负的控制极脉冲，控制两个方向电流的导通。它主要用于交流控制电路。淄博正高电气竭诚为您服务，期待与您的合作，欢迎大家前来！菏泽三相可控硅调压模块结构
六)晶闸管正向平均电压降VF正向平均电压降VF也称通态平均电压或通态压降VT，是指在规定环境温度和标准散热条件下，当通过晶闸管的电流为额定电流时，其阳极A与阴极K之间电压降的平均值，通常为。(七)晶闸管门极触发电压VGT门极触发VGT，是指在规定的环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值正向电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电压，一般为。(八)晶闸管门极触发电流IGT门极触发电流IGT，是指在规定环境温度和晶闸管阳极与阴极之间为一定值电压的条件下，使晶闸管从阻断状态转变为导通状态所需要的小门极直流电流。(九)晶闸管门极反向电压门极反向电压是指晶闸管门极上所加的额定电压，一般不超过10V。(十)晶闸管维持电流IH维持电流IH是指维持晶闸管导通的小电流。当正向电流小于IH时，导通的晶闸管会自动关断。(十一)晶闸管断态重复峰值电流IDR断态重复峰值电流IDR，是指晶闸管在断态下的正向大平均漏电电流值，一般小于100μA(十二)晶闸管反向重复峰值电流IRRM反向重复峰值电流IRRM，是指晶闸管在关断状态下的反向大漏电电流值，一般小于100μA。陕西单向可控硅调压模块功能淄博正高电气公司自成立以来，一直专注于对产品的精耕细作。
可控硅保护电路如何设计可控硅的保护电路，大致可以分为两种情况：一种是在适当的地方安装保护器件，例如，R-C阻容吸收回路、限流电感、快速熔断器、压敏电阻或硒堆等。再一种则是采用电子保护电路，检测设备的输出电压或输入电流，当输出电压或输入电流超过允许值时，借助整流触发控制系统使整流桥短时内工作于有源逆变工作状态，从而过电压或过电流的数值。1.过流保护可控硅设备产生过电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因,如整流可控硅损坏,触发电路或控制系统有故障等;其中整流桥可控硅损坏类较为严重,一般是由于可控硅因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力，它相当于整流桥臂发生长久性短路，使在另外两桥臂可控硅导通时，无法正常换流，因而产生线间短路引起过电流，另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流，这类情况时有发生，因为整流桥的负载实质是逆变桥,逆变电路换流失败，就相当于整流桥负载短路。另外，如整流变压器中心点接地，当逆变负载回路接触大地时，也会发生整流桥相对地短路。2.可控硅的过压保护可控硅设备在运行过程中，会受到由交流供电电网进入的操作过电压和雷击过电压的侵袭。
会对可控硅模块造成损坏，如果要想保护可控硅不受其损坏，就要了解过电压的产生原因，从而去避免防止受损，下面正高电气就来讲讲过电压会对可控硅模块造成怎样的损坏？以及过电压产生的原因。可控硅模块对过电压非常敏感，当正向电压超过udrm值时，可控硅会误导并导致电路故障；当施加的反向电压超过urrm值时，可控硅模块会立即损坏。因此，需要研究过电压产生的原因和过电压的方法。过电压主要是由于供电电源或系统储能的急剧变化，使系统转换太晚，或是系统中原本积聚的电磁能量消散太晚。主要研究发现，由于外界冲击引起的过电压主要有两种类型，如雷击和开关开启和关闭引起的冲击电压。雷击或高压断路器动作产生的过电压是几微秒到几毫秒的电压尖峰，对可控硅模块非常危险。开关的开启和关闭引起的脉冲电压分为以下两类：（1）交流电源接通、断开产生的过电压如交流开关分合、交流侧熔断器熔断等引起的过电压，由于变压器绕组的分布电容、漏抗引起的谐振回路、电容分压等原因，这些过电压值是正常值的2～10倍以上。一般来说，开闭速度越快，过电压越高，则在无负载下断开晶闸管模块时过电压就越高。直流侧产生的过电压例如，如果切断电路的电感较大。淄博正高电气重信誉、守合同，严把产品质量关，热诚欢迎广大用户前来咨询考察，洽谈业务！
每一块控制板均经过了严格的软件测试、硬件老化，以确保工作稳定可靠。产品名称：通用三相晶闸管数控触发板3.产品型号：ZKD64.适用装置：主要用于电解、电镀、充电、直流电机调速（双闭环）、直流稳压稳流、电加热、电磁铁、交直流电焊机、交流稳压稳流等晶闸管电源设备。名称型号适用范围通用可控整流ZKD6-TY适用于电解,电镀,充电,稳流稳压可控整流装置调压移相ZKD6-YX适用于三(单)相交流调压或整流带电阻,电感负载化工电解ZKD6-HG适用于化工,冶炼行业大电流可控整流装置充放电ZKD6-CF适用于蓄电池充放电装置直流电机调速ZKD6-TS适用于直流电机调速装置发电机励磁ZKD6-LC适用于同步电机励磁装置电动机励磁ZKD6-TC适用于电动机励磁装置电动机软启动ZKD6-RC适用于交流电动机可控硅软启动装置：适用电路①三相全控桥式可控整流电路。②带平衡电抗器的双反星形可控整流电路。③变压器原边交流调压，副边二极管整流电路。④三相零式整流电路。⑤三相半控桥式可控整流电路。⑥三相交流相控调压电路。⑦三相五柱式双反星形可控硅整流电路。正常使用条件⑴海拔高度不超过2000M。⑵环境温度：-40℃－+50℃。⑶空气大相对湿度不超过90%(在相当于空气温度20±5℃)。淄博正高电气公司地理位置优越，拥有完善的服务体系。黑龙江三相可控硅调压模块组件
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当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制极G和阴极C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生基极电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的集电极电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此循环放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开电源Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于截止状态。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向阳极电压大到超过一定值时，可控硅也会导通。菏泽三相可控硅调压模块结构
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