本发明涉及集成电路封装技术，特别是一种集成电路基板，所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术：由于新能源的大力发展，隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高，而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率 更高，集成度更高，支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装，多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案，电源功率只有％。由于电感量不够大，信号传输不得不采用180MHz的调制信号，电路非常复杂，并且电路中的磁路不闭合，漏磁大，EMI电磁干扰空间辐射大。本发明人发现，对于采用微变压器方案的半导体隔离技术，由于微变压器方案电感量，耦合系数太低，也增加了传输电路的复杂程度，集成的电源效率差。有的电容式隔离器，用户需要外加变压器。另外，电容式隔离不能内部集成开关的电源，客户使用不方便。技术实现要素：本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种集成电路基板。回收，就选上海海谷电子有限公司，有想法的可以来电咨询！湖北进口晶振回收量大从优
可以是诸如或/与/反相器(oai)或者与/或/反相器(aoi)的复合单元，还可以是诸如主从触发器或锁存器的存储单元。标准单元库可以包括关于多个标准单元的信息。例如，标准单元库可以包括标准单元的名称和功能，以及标准单元的时序信息、功率信息和布图信息。标准单元库可以存储在存储装置中，并且标准单元库可以通过访问存储装置来设置。基于输入数据和标准单元库执行布局和布线(s30)，并且基于布局和布线的结果设置定义集成电路的输出数据(s40)。在一些示例实施例中，当接收的输入数据是诸如通过将集成电路合成而生成的比特流或网表的数据时，输出数据可以是比特流或网表。在其他示例实施例中，当接收的输入数据是定义集成电路的布图的数据(例如，具有图形数据系统ii(gdsii)格式的数据)时，输出数据的格式也可以是定义集成电路的布图的数据。通过图13的方法设计和制造的集成电路可以包括半导体基底、多条栅极线和多条列金属线。如参照图1至图10所述，6n条金属线和4n条栅极线形成单元线路结构，其中，n是正整数并且多个单元线路结构布置在方向上。图14是示出根据示例实施例的集成电路的设计系统的框图。参照图14，设计系统1000可以包括存储介质1100、设计模块1400和处理器1500。内蒙古晶振回收厂家回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！
本实用新型属于数据录入装置技术领域，特别是涉及一种集成电路软件快速录入装置。背景技术：传统依靠计算机键盘进行信息录入模式，已经不能满足复杂生产环境下数据录入的需要。而正以追求安全化、智能化、数字化的数据录入方法成为新形势下的目标。如中国发 明 公开号“cn”名称为“一种手持式采油工数据录入仪”的 公开了一种油田采油生产中技术参数和资料的录入装置。其特征在于：该装置主要包括一个4×4的键盘，一个 处理器cpu，两个铁电存储器32k×2和一个多路选择器。该种数据录入装置结构较为简单，只能根据预设置流程和界面进行操作，操作界面死板，动态输入性较差，从而根据数据解析的设置简单。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种多媒体指纹考勤机”的 公开了一种多媒体指纹考勤机，包括了微处理器、指纹采集器、存储器、扬声器、tft-lcd显示屏和用于输入指令或数据的触摸屏。该种输入设备功能较为单一，输入设备操作不方便，主要为通过指纹触摸对固定指令进行操作，动态输入性较差。针对于目前工厂对产品制造良率的要求越来越高；工人人工操作机器容易疲劳且容易出错误判的问题，如何解决成为了该领域技术人员努力的方向。
可以使用侧壁间隔件261至266作为第二心轴图案在比抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3低的层中形成具有抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/4平均节距的目标图案。图5至图10是示出应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。为了便于描述，在层中形成的图案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在图5至图10中。图案dpm、qpm、dpg和qpg可以与参照图4a至图4i描述的心轴图案对应，并且可以在中间过程期间被去除以被排除在终集成电路中。在下文中，将参照图5、图6和图7描述通过sadp形成多条列金属线的示例实施例。参照图5、图6和图7，单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个可以包括分别布置在方向x上的六条列金属线ml1至ml6和四条栅极线gl1至gl4。如参照图4a至图4i所述，可以在列导电层ccl上方形成双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3。标签“dpm”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“m”表示金属。例如，双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3可以布置为在方向x上具有相同的双倍心轴节距pdm并且双倍心轴节距pdm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个，可以使用三个双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3在列导电层ccl中形成六条列金属线ml1至ml6。上海海谷电子有限公司为您提供回收。
每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。 栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg1和qpg2以及双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如，四倍心轴图案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下，每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。上海海谷电子有限公司为您提供回收，期待为您服务！上海晶振回收收购
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将磁芯或者说磁环所处的覆铜芯板靠近电路板内侧的铜箔蚀刻掉)。所述环形槽中固定有磁环(例如，对应各环形槽的磁环4，第二磁环5，第三磁环6等)。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔(例如，环初级绕组外过孔10，环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔(例如，环次级绕组内过孔11，环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔(例如，激光过孔技术实现 精确打孔)。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔(例如，环初级绕组外过孔10，环次级绕组外过13，第二环初级绕组外过14，第二环次级绕组外过孔17，第三环初级绕组外过18，第三环次级绕组外过孔21等)，所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔(例如，环次级绕组内过孔11，环次级绕组内过孔12，第二环初级绕组内过孔15，第二环次级绕组内过16，第三环初级绕组内过孔19，第三环次级绕组内过20等)。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成(也就是说。湖北进口晶振回收量大从优
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