可以通过电力轨71与第二电力轨72之间沿第二方向y的距离定义标准单元scl的单元高度ch。可以沿着与电力轨71和72平行的方向x定义标准单元scl的单元宽度cw。线路m1的节距会由于小节距规则而需要满足限制。例如，线路m1会需要根据“前列到侧面”约束和“圆角”约束来满足限制。线路m1的尺寸、布置和间隔可能受到这些约束的限制。下通孔接触件v0和线路m1可以具有阻挡层和线路导电层的堆叠结构。阻挡层可以由例如tin、tan、它们的组合等形成。线路导电层可以由例如w、cu、它们的合金、它们的组合等形成。可以使用cvd方法、ald方法和/或电镀方法来形成线路m1和下通孔接触件v0。根据一些示例实施例的集成电路可以对应于各种标准单元的组合。尽管图中未示出，但是根据示例实施例的用于形成单元线路结构的列金属线可以形成在第二层ly2上方的m2层或m3层中。图13是示出根据示例实施例的设计集成电路的方法的示图。图13的方法可以包括由设计工具执行的设计集成电路的布图的方法。在一些示例实施例中，设计工具可以包括包含可由处理器执行的多个指令的编程软件，即，以硬件(例如，处理器、asic等)的某种形式实现的软件。参照图13，可以接收定义集成电路的输入数据(s10)。例如。上海海谷电子有限公司为您提供回收，有想法的可以来电咨询！四川电子元器件回收中心
每条线路m1可以通过形成在层ly1与第二层ly2之间的多个下通孔接触件v0中的一个连接到多个导电接触件ca和cb中的一个。多个下通孔接触件v0中的每个可以例如通过穿过第二层间绝缘层134连接到多个导电接触件ca和cb中的一个。多个下通孔接触件v0可以通过第二层间绝缘层134彼此绝缘。线路m171至78可以包括在标准单元scl中使多个区域电连接的内部连接线路。例如，内部连接线路m178可以通过下通孔接触件v055和58以及接触件24和33将器件区rx1中的有源区ac和第二器件区rx2中的有源区ac电连接。线路m171和72可以分别对应于电力轨和第二电力轨。电力轨71可以连接到器件区rx1中的有源区ac。第二电力轨72可以连接到第二器件区rx2中的有源区ac。电力轨71和第二电力轨72中的一个可以是用于供应电源电压(例如，电源电压vdd)的线路，而电力轨71和第二电力轨72中的另一个可以是用于供应接地电压(例如，第二电源电压vss)的线路。电力轨71和第二电力轨72可以在第二层ly2上沿方向x彼此平行地延伸。在一些示例实施例中，电力轨71和72可以与其他线路m173至78基本同时形成。线路m1可以穿过第三层间绝缘层136。第三层间绝缘层136可以使线路m1彼此绝缘。甘肃晶振回收厂家回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎新老客户来电！
可以使用侧壁间隔件261至266作为第二心轴图案在比抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3低的层中形成具有抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3的1/4平均节距的目标图案。图5至图10是示出应用于集成电路的单元线路结构的示例实施例的示图。为了便于描述，在层中形成的图案dpm、qpm、dpg和qpg附加示出在图5至图10中。图案dpm、qpm、dpg和qpg可以与参照图4a至图4i描述的心轴图案对应，并且可以在中间过程期间被去除以被排除在终集成电路中。在下文中，将参照图5、图6和图7描述通过sadp形成多条列金属线的示例实施例。参照图5、图6和图7，单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个可以包括分别布置在方向x上的六条列金属线ml1至ml6和四条栅极线gl1至gl4。如参照图4a至图4i所述，可以在列导电层ccl上方形成双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3。标签“dpm”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“m”表示金属。例如，双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3可以布置为在方向x上具有相同的双倍心轴节距pdm并且双倍心轴节距pdm可以与抗蚀剂图案的节距相同。针对单元线路结构uws1、uws2和uws3中的每个，可以使用三个双倍心轴图案dpm1、dpm2和dpm3在列导电层ccl中形成六条列金属线ml1至ml6。
在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中，半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如，锗)、化合物半导体(诸如，碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半 导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中，半导体基底200包括多晶硅层，该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层，可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b，在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如，层250可以是含硅硬掩模层，层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中，可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。上海海谷电子有限公司为您提供回收，欢迎新老客户来电！
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结 合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，欢迎您的来电！湖南进口晶振回收平台
上海海谷电子有限公司为您提供回收，期待为您服务！四川电子元器件回收中心
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。四川电子元器件回收中心
上海海谷电子有限公司成立于2019-07-30，位于肖塘路255弄10号2层，公司自成立以来通过规范化运营和高质量服务，赢得了客户及社会的一致认可和好评。本公司主要从事电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收领域内的电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收等产品的研究开发。拥有一支研发能力强、成果丰硕的技术队伍。公司先后与行业上游与下游企业建立了长期合作的关系。海谷集中了一批经验丰富的技术及管理专业人才，能为客户提供良好的售前、售中及售后服务，并能根据用户需求，定制产品和配套整体解决方案。上海海谷电子有限公司通过多年的深耕细作，企业已通过电子元器件质量体系认证，确保公司各类产品以高技术、高性能、高精密度服务于广大客户。欢迎各界朋友莅临参观、 指导和业务洽谈。
