根据示例实施例的集成电路以及制造和设计所述集成电路的方法可以通过单元线路结构提高集成电路的设计效率和性能。实施例可以应用于任何电子装置和系统。例如，实施例可以应用于诸如存储器卡、固态驱动器(ssd)、嵌入式多媒体卡(emmc)、移动电话、智能电话、个人数字助理(pda)、便携式多媒体播放器(pmp)、数码相机、便携式摄像机、个人计算机(pc)、服务器计算机、工作站、膝上型计算机、数字tv、机顶盒、便携式、导航系统、可穿戴装置、物联网(iot)装置、万物网(ioe)装置、电子书、虚拟现实(vr)装置、增强现实(ar)装置等的系统。前述内容是对示例实施例的说明，而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述 了一些示例实施例，但是本领域技术人员将容易理解，在实质上不脱离本发明构思的情况下，可以在示例实施例中进行许多修改。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，有想法的不要错过哦！呆滞料回收厂家
本发明涉及集成电路封装技术，特别是一种集成电路基板，所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术：由于新能源的大力发展，隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高，而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率更高，集成度更高，支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装，多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案，电源功率只有％。由于电感量不够大，信号传输不得不采用180MHz的调制信号，电路非常复杂，并且电路中的磁路不闭合，漏磁大，EMI电磁干扰空间辐射大。本发明人发现，对于采用微变压器方案的半导体隔离技术，由于微变压器方案电感量，耦合系数太低，也增加了传输电路的复杂程度，集成的电源效率差。有的电容式隔离器，用户需要外加变压器。另外，电容式隔离不能内部集成开关的电源，客户使用不方便。技术实现要素：本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种集成电路基板。陕西高价电子元器件回收服务上海海谷电子有限公司为您提供回收，有需求可以来电咨询！
本实用新型属于数据录入装置技术领域，特别是涉及一种集成电路软件快速录入装置。背景技术：传统依靠计算机键盘进行信息录入模式，已经不能满足复杂生产环境下数据录入的需要。而正以追求安全化、智能化、数字化的数据录入方法成为新形势下的目标。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种手持式采油工数据录入仪”的 公开了一种油田采油生产中技术参数和资料的录入装置。其特 征在于：该装置主要包括一个4×4的键盘，一个 处理器cpu，两个铁电存储器32k×2和一个多路选择器。该种数据录入装置结构较为简单，只能根据预设置流程和界面进行操作，操作界面死板，动态输入性较差，从而根据数据解析的设置简单。如中国发明专利公开号“cn”名称为“一种多媒体指纹考勤机”的 公开了一种多媒体指纹考勤机，包括了微处理器、指纹采集器、存储器、扬声器、tft-lcd显示屏和用于输入指令或数据的触摸屏。该种输入设备功能较为单一，输入设备操作不方便，主要为通过指纹触摸对固定指令进行操作，动态输入性较差。针对于目前工厂对产品制造良率的要求越来越高；工人人工操作机器容易疲劳且容易出错误判的问题，如何解决成为了该领域技术人员努力的方向。
夹层ito涂层作为工作面，四个角上引出四个电极，内层ito为屏蔽层以保证良好的工作环境。当手指触摸在金属层上时，由于人体电场，用户和触摸屏表面形成以一个耦合电容，对于高频电流来说，电容是直接导体，于是手指从接触点吸走一个很小的电流。这个电流分别从触摸屏的四角上的电极中流出，并且流经这四个电极的电流与手指到四角的距离成正比，控制器通过对这四个电流比例的精确计算，得出触摸点的位置。所述高频读卡模块通过rfid卡刷卡进行数据传输连接并存储该数据。作为一种实施方式，所述高频读卡模块采用rpd220mdic卡读卡模块,其为符合iso15693的高频()rfid非接触ic卡读写模块。该模块体积小，工作电压宽，使用ttl串口，很容易嵌入到手持设备中。支持协议:iso15693尺寸大小:长x宽x高＝23(mm)x17(mm)x2mm工作电压:～工作频率：支持标签：读卡距离：5～10cm通信接口:ttluart，方便与单片机或嵌入式系统连接。本所述所述录入装置的使用过程为：将单片pcba放到软件录入装置中，扣合装置，程序自动识别主板并录入预置的软件，录入成功显示pass,录入失败则显示fail，非常的方便。针对工厂需求，治具与电脑结合来提升产品的质量，电脑显示工作状态及数据。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，欢迎您的来电哦！
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。回收，就选上海海谷电子有限公司。江苏三极管回收厂家
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在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中，半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如，锗)、化合物半导体(诸如，碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半 导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中，半导体基底200包括多晶硅层，该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层，可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b，在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如，层250可以是含硅硬掩模层，层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中，可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。呆滞料回收厂家
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