在半导体基底200上方形成中间层210、220和230。半导体基底200包括作为半导体晶圆的硅。在各种实施例中，半导体基底200可以包括另一元素半导体(诸如，锗)、化合物半导体(诸如，碳化硅、砷化镓、磷化镓、磷化铟、砷化铟和/或锑化铟)、合金半导体(诸如，gaasp、alinas、algaas、ingaas、gainp和/或gainasp)或它们的组合。半导体基底200可以包括有源区、外延特征、隔离结构、鳍状半 导体区域和/或其他合适的特征。在一些示例实施例中，半导体基底200包括多晶硅层，该多晶硅层可被用于形成多晶硅栅电极或者用于在栅极替换工艺中形成虚设栅电极。中间层210、220和230可以是介电层，可以通过诸如热氧化、化学气相沉积(cvd)、物相沉积(pvd)、等离子体增强cvd(pecvd)和原子层沉积(ald)的一种或更多种沉积技术形成所述介电层。参照图4b，在设置在介电层230上方的层240和层250上方对光致抗蚀剂(或抗蚀剂图案)pr1、pr2和pr3进行图案化。例如，层250可以是含硅硬掩模层，层240可以是抗反射涂层。可以使用cvd、pvd或其他合适的方法形成层240和层250。在一些示例实施例中，可以在介电层230上方直接形成抗蚀剂图案pr1、pr2和pr3而没有层240和层250。上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法可以来我司咨询。贵州电容电阻回收网
本发明涉及集成电路封装技术，特别是一种集成电路基板，所述基板包括覆铜芯板，通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽，有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能，例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术：由于新能源的大力发展，隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高，而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率 更高，集成度更高，支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装，多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案，电源功率只有％。由于电感量不够大，信号传输不得不采用180MHz的调制信号，电路非常复杂，并且电路中的磁路不闭合，漏磁大，EMI电磁干扰空间辐射大。本发明人发现，对于采用微变压器方案的半导体隔离技术，由于微变压器方案电感量，耦合系数太低，也增加了传输电路的复杂程度，集成的电源效率差。有的电容式隔离器，用户需要外加变压器。另外，电容式隔离不能内部集成开关的电源，客户使用不方便。技术实现要素：本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种集成电路基板。甘肃电子元件物料回收中心上海海谷电子有限公司致力于提供回收，有想法的可以来电咨询！
图2是图1的俯视方向示意图。附图标记列示如下：1-芯板；2-上覆铜层；3-下覆铜层；4-磁环；5-第二磁环；6-第三磁环；7-环形槽；8-第二环形槽；9-第三环形槽；10-环初级绕组外过孔；11-环初级绕组内过孔；12-环次级绕组内过孔；13-环次级绕组外过孔；14-第二环初级绕组外过孔；15-第二环初级绕组内过孔；16-第二环次级绕组内过孔；17-第二环次级绕组外过孔；18-第三环初级绕组外过孔；19-第三环初级绕组内过孔；20-第三环次级绕组内过孔；21-第三环次级绕组外过孔。具体实施方式下面结合附图(图1-图2)对本发明进行说明。图1是实施本发明一种集成电路基板的结构示意图，图1表现的是截面结构。图2是图1的俯视方向示意图。如图1至图2所示，一种集成电路基板，包括基板本体，所述基板本体中包括覆铜芯板，所述覆铜芯板包括芯板1和结合于芯板1表面的上覆铜层2以及结合于芯板1底面的下覆铜层3，所述芯板1上设置有开口朝上的环形槽(例如环形槽7；第二环形槽8；第三环形槽9)，所述开口延伸至所述上覆铜层2之外。所述环形槽为控深铣槽(即采用铣削工艺并控制槽深，保持一定的槽底厚度)，所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口(例如，蚀刻铜箔。
在图5中的具有n＝1的单元线路结构中，存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构，多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构，第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻，并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述，可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下：“d”表示双倍，“p”表示图案，“g”表示栅极。例如，双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下，每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11＝wdg+wglpg12＝pdg-(wdg+wgl)在表达式2中，wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度，wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7，每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。回收，就选上海海谷电子有限公司，用户的信赖之选，有需求可以来电咨询！
在多个底电极通孔正上方形成多个mtj器件。多个mtj器件包括工作mtj器件和一个或多个调节mtj器件。图10示出了对应于步骤1306的一些实施例的截面图1000。在步骤1308中，在多个mtj器件正上方形成多个顶电极通孔。图11示出了对应于步骤1308的一些实施例的截面图1100。在步骤1310中，在多个顶电极通孔上方形成具有多个互连结构的第二互连层。多个互连结构限定位线和一条或多条字线。图11示出了对应于步骤1310的一些实施例的截面图1100。步骤1302至1310在衬底上方形成存储单元。在一些实施例中，可以重复步骤1302至1310(如步骤1312所示)以在存储单元上方形成第二存储单元。图12示出了对应于步骤1312的一些实施例的截面图1200。虽然方法1300描述了包括具有调节访问装置(包括mtj器件)的存储单元(例如，mram单元)的方法存储器电路，但是应该理解，在其它实施例中，调节装置可以包括电阻器(例如，薄膜电阻器)。在这样的实施例中，工作mtj器件可以通过组操作(在步骤1306中)形成，而包括电阻器的调节装置可以通过第二组单独的操作(在步骤1306和步骤1308之间发生)形成。例如，在工作mtj的形成(在步骤1306中)之后，可以通过一个或多个沉积和蚀刻工艺形成电阻器。因此，在一些实施例中。上海海谷电子有限公司是一家专业提供回收的公司，欢迎您的来电哦！中国台湾电子元器件回收服务
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电子元器件是构成电子信息系统的基本功能单元，是各种电子元件、器件、模块、部件、组件的统称，同时还涵盖与上述电子元器件结构与性能密切相关的封装外壳、电子功能材料等。中国电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收行业协会秘书长古群表示 5G 时代下电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收产业面临的机遇与挑战。认为，在当前不稳定的国际贸易关系局势下，通过 2018—2019 年中国电子元件行业发展情况可以看到，被美国加征关税的电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收产品的出口额占电子元件出口总额的比重只有 10％。回顾过去一年国内电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收产业运行情况，上半年市场低迷、部分外资企业产线转移、中小企业经营困难，开工不足等都是显而易见的消极影响。但随着电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收产业受到相关部门高度重视、下游企业与元器件产业的黏性增强、下游 5G 在产业发展前景明朗等利好因素的驱使下，我国电子元器件行业下半年形势逐渐好转。当前国内电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收行业发展迅速，我国 5G 产业发展已走在世界前列，但在整体产业链布局方面，我国企业主要处于产业链的中下游。在产业链上游，尤其是电子元件回收，电子料回收，呆滞料回收，电子物料回收和器件等重点环节，技术和产业发展水平远远落后于国外。贵州电容电阻回收网
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