在图5中的具有n=1的单元线路结构中,存在六条金属线和四条栅极线。图5包括多个单元线路结构,多个单元线路结构包括图5的左侧的单元线路结构以及图5的右侧的第二单元线路结构,第二单元线路结构在x方向(在此也称为方向x)上与单元线路结构相邻,并且第二单元线路结构的形貌与单元线路结构的形貌相同。参照图6,每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1和dpg2。标签“dpg”可以理解如下:“d”表示双倍,“p”表示图案,“g”表示栅极。例如,双倍心轴图案dpg1和dpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下,每个单元线路结构uws2的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。表达式2pg11=wdg+wglpg12=pdg-(wdg+wgl)在表达式2中,wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度,wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。参照图7,每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述。回收,就选上海海谷电子有限公司。四川电感元件回收市场
可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg以及双倍心轴图案dpg1和dpg2。例如,四倍心轴图案qpg可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下,每个单元线路结构uws3的四条栅极线gl1至gl4可以在方向x上布置成顺序地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。在一些实施例中,第三栅极节距pg23是距下一个单元线路结构的距离。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。表达式3pg21=wdg+wglpg22=wqg-wglpg23=pqg-(wqg+2wdg+wgl)在表达式3中,wdg表示双倍心轴图案dpg1和dpg2的宽度,wqg表示四倍心轴图案qpg的宽度,wgl表示栅极线gl1至gl4的宽度。在下文中,将参照图8、图9和图10描述通过saqp形成多条列金属线的示例实施例。参照图8、图9和图10,单元线路结构uws4、uws5和uws6中的每个可以包括分别布置在方向x上的十二条列金属线ml1至ml12和八条栅极线gl1至gl8。如参照图4a至图4i所述,可以在列导电层ccl上方顺序地形成四倍心轴图案qpm1、qpm2和qpm3以及双心轴图案dpm1至dmp6。例如。河北电容电阻回收量大从优回收,就选上海海谷电子有限公司,有需求可以来电咨询!
所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下:一种集成电路基板,其特征在于,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于芯板底面 的下覆铜层,所述芯板上设置有开口朝上的环形槽,所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽,所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔,沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔,所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内,没有空气爬电距离的路径,能达到。本发明技术效果如下:本发明一种集成电路基板。
所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将变压器集成在集成电路基板内。本发明技术方案如下:一种集成电路基板,其特征在于,包括基板本体,所述基板本体中包括覆铜芯板,所述覆铜芯板包括芯板和结合于芯板表面的上覆铜层以及结合于 芯板底面的下覆铜层,所述芯板上设置有开口朝上的环形槽,所述开口延伸至所述上覆铜层之外。所述环形槽为控深铣槽,所述开口位于所述上覆铜层的部分为蚀刻开口。所述环形槽中固定有磁环。沿所述环形槽的外圈外侧设置有若干外过孔,沿所述环形槽的内圈内侧设置有若干内过孔。所述外过孔和内过孔均采用激光打孔。所述若干外过孔包括初级绕组外过孔和次级绕组外过孔,所述若干内过孔包括初级绕组内过孔和次级绕组内过孔。初级绕组和次级绕组均采用印制线连接过孔的方式形成。所述上覆铜层上压合有半固化片。所述半固化片的压合面朝向所述环形槽的对应处设置有开窗。由印制线连接过孔绕制的磁环变压器内置于所述基板本体的绝缘体内,没有空气爬电距离的路径,能达到。本发明技术效果如下:本发明一种集成电路基板。上海海谷电子有限公司为您提供回收,欢迎新老客户来电!
本发明涉及集成电路封装技术,特别是一种集成电路基板,所述基板包括覆铜芯板,通过在覆铜芯板中设置容纳磁环的环形槽,有利于提高或扩展集成电路封装基板的电路功能,例如能够通过对沿磁环内外分布的过孔进行绕制连接以将微变压器集成在集成电路基板内。背景技术:由于新能源的大力发展,隔离应用要求越来越多和隔离电压越来越高,而半导体隔离技术取代传统光耦技术效率更高,集成度更高,支持更高传输速率,符合行业发展的需求。封装基板正在成为集成电路封装领域一个重要的和发展迅速的行业,有机基板工艺大批量使用在BGA球阵列封装,多芯片封装工艺中。现有技术中的采用微变压器方案,电源功率只有%。由于电感量不够大,信号传输不得不采用180MHz的调制信号,电路非常复杂,并且电路中的磁路不闭合,漏磁大,EMI电磁干扰空间辐射大。本发明人发现,对于采用微变压器方案的半导体隔离技术,由于微变压器方案电感量,耦合系数太低,也增加了传输电路的复杂程度,集成的电源效率差。有的电容式隔离器,用户需要外加变压器。另外,电容式隔离不能内部集成开关的电源,客户使用不方便。技术实现要素:本发明针对现有技术中存在的缺陷或不足,提供一种集成电路基板。上海海谷电子有限公司致力于提供回收,竭诚为您服务。中国台湾二极管回收服务
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每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以通过sadp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方形成双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如,双倍心轴图案dpg1至dpg4可以被在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的双倍心轴节距pdg。在这种情况下,每个单元线路结构uws5的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成交替地具有栅极节距pg11和第二栅极节距pg12。 栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以彼此不同。栅极节距pg11和第二栅极节距pg12可以由表达式2表示。参照图10,每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以通过saqp形成。如参照图4a至图4i所述,可以在栅极层gtl上方顺序地形成四倍心轴图案qpg1和qpg2以及双倍心轴图案dpg1至dpg4。例如,四倍心轴图案qpg1和qpg2可以在方向x上布置成具有可以等于抗蚀剂图案的节距的相同的四倍心轴节距pqg。在这种情况下,每个单元线路结构uws6的八条栅极线gl1至gl8可以在方向x上布置成顺序地且重复地具有栅极节距pg21、第二栅极节距pg22、栅极节距pg21和第三栅极节距pg23。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以彼此不同。栅极节距pg21、第二栅极节距pg22和第三栅极节距pg23可以由表达式3表示。四川电感元件回收市场
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