ArF浸没式两次曝光技术已被业界认为是32nm节点较具竞争力的技术；在更低的22nm节点甚至16nm节点技术中，浸没式光刻技术一般也具有相当大的优势。浸没式光刻技术所面临的挑战主要有：如何解决曝光中产生的气泡和污染等缺陷的问题；研发和水具有良好的兼容性且折射率大于1．8的光刻胶的问题；研发折射率较大的光学镜头材料和浸没液体材料；以及有效数值孔径NA值的拓展等问题。针对这些难题挑战，国内外学者以及公司已经做了相关研究并提出相应的对策。浸没式光刻机将朝着更高数值孔径发展，以满足更小光刻线宽的要求。按材料来分，刻蚀主要分成3种：金属刻蚀、介质刻蚀、和硅刻蚀。RIE刻蚀工艺
刻蚀原理介绍主要工艺参数刻蚀液更换频率的管控刻蚀不良的产生原因单击此处编辑母版标题样式单击此处编辑母版标题样式刻蚀工艺介绍辛小刚刻蚀原理介绍刻蚀主要工艺参数刻蚀液更换频率的管控刻蚀不良原因分析刻蚀是用一定比例的酸液把玻璃上未受光刻胶保护的Metal/ITO膜通过化学反应去除掉，较终形成制程所需要的图形。刻蚀种类目前我司的刻蚀种类主要分两种：1、Metal刻蚀刻蚀液主要成分：磷酸、硝酸、醋酸、水。Metal：合金金属2、ITO刻蚀刻蚀液主要成分：盐酸、硝酸、水。ITO：氧化铟锡（混合物）Metal刻蚀前后：ITO刻蚀前后：刻蚀前后对比照片12345刻蚀液浓度刻蚀温度刻蚀速度喷淋流量过刻量刻蚀液的浓度对刻蚀效果影响较大，所以我们主要通过：来料检验、首片确认、定期更换的方法来保证。 RIE刻蚀工艺干法刻蚀优点是：可控性。
早期的刻蚀技术为湿法刻蚀，是将刻蚀材料浸泡在腐蚀液中进行腐蚀的技术。这个过程是纯化学腐蚀的过程。湿法刻蚀具有良好的选择性，例如实验室经常采用磷酸来腐蚀铝金属化，而不会腐蚀金属化层间的介质层材料；半导体制造过程中用调配后的氢氟酸（加入NH4F缓冲液）来腐蚀二氧化硅，而不会对光刻胶造成过量的伤害。随着半导体特征尺寸的不断减小，湿法刻蚀逐渐被一些干法刻蚀所替代。其原因在于湿法刻蚀是各向同性的，横向刻蚀的宽度接近于纵向刻蚀的深度，因此会产生钻蚀的现象，因此在小尺寸的制程中，湿法刻蚀的精度控制非常困难，并且可重复性差。
刻蚀可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形刻蚀采用掩蔽层（有图形的光刻胶）来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形，包括栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩模层。反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。广东省科学院半导体研究所。同样的刻蚀条件，针对不同的刻蚀暴露面积，刻蚀的速率会有所不一样。刻蚀是指用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。
选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相比刻蚀速率快多少，它定义为被刻蚀材料的刻蚀速率与另一种材料的刻蚀速率的比。基本内容：高选择比意味着只刻除想要刻去的那一层材料。一个高选择比的刻蚀工艺不刻蚀下面一层材料（刻蚀到恰当的深度时停止）并且保护的光刻胶也未被刻蚀。图形几何尺寸的缩小要求减薄光刻胶厚度。高选择比在较先进的工艺中为了确保关键尺寸和剖面控制是必需的。特别是关键尺寸越小，选择比要求越高。广东省科学院半导体研究所。刻蚀流片的速度与刻蚀速率密切相关喷淋流量的大小决定基板表面药液置换速度的快慢。福州刻蚀工艺
二氧化硅湿法刻蚀：普通的刻蚀层是热氧化形成的二氧化硅。RIE刻蚀工艺
刻蚀也可以分成有图形刻蚀和无图形刻蚀。有图形刻蚀采用掩蔽层（有图形的光刻胶）来定义要刻蚀掉的表面材料区域，只有硅片上被选择的这一部分在刻蚀过程中刻掉。有图形刻蚀可用来在硅片上制作多种不同的特征图形，包括栅、金属互连线、通孔、接触孔和沟槽。无图形刻蚀、反刻或剥离是在整个硅片没有掩模的情况下进行的，这种刻蚀工艺用于剥离掩模层（如STI氮化硅剥离和用于制备晶体管注入侧墙的硅化物工艺后钛的剥离）。反刻是在想要把某一层膜的总的厚度减小时采用的（如当平坦化硅片表面时需要减小形貌特征）。RIE刻蚀工艺
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