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真空镀膜基本参数
  • 产地
  • 广东
  • 品牌
  • 科学院
  • 型号
  • 齐全
  • 是否定制
真空镀膜企业商机

通过PVD制备的薄膜通常存在应力问题,不同材料与衬底间可能存在压应力或张应力,在多层膜结构中可能同时存在多种形式的应力。薄膜应力的起源是薄膜生长过程中的某种结构不完整性(杂质、空位、晶粒边界、错位等)、表面能态的存在、薄膜与基底界面间的晶格错配等.对于薄膜应力主要有以下原因:1.薄膜生长初始阶段,薄膜面和界面的表面张力的共同作用;2.沉积过程中膜面温度远高于衬底温度产生热应变;3.薄膜和衬底间点阵错配而产生界面应力;4.金属膜氧化后氧化物原子体积增大产生压应力;5.斜入射造成各向异性成核、生长;6.薄膜内产生相变或化学组分改变导致原子体积变化 真空镀膜的操作规程:易燃有毒物品要妥善保管,以防失火中毒。宜宾真空镀膜仪

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真空镀膜:离子镀膜法:目前比较常用的组合方式有:射频离子镀(RFIP)。利用电阻或电子束加热使膜材气化;依靠射频等离子体放电使充入的真空Ar及其它惰性气体、反应气体氧气、氮气、乙炔等离化。这种方法的特点是:基板温升小,不纯气体少,成膜好,适合镀化合物膜,但匹配较困难。可应用于镀光学器件、半导体器件、装饰品、汽车零件等。此外,离子镀法还包括有低压等离子体离子镀,感应离子加热镀,集团离子束镀和多弧离子镀等多种方法。真空镀膜工艺流程真空镀膜镀料离子的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞以及高压电场后,高速冲向工件。

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基片温度对薄膜结构有较大影响,基片温度高,使吸附原子的动能增大,跨越表面势垒的几率增多,容易结晶化,并使薄膜缺陷减少,同时薄膜内应力也会减少,基片温度低,则易形成无定形结构膜。 材料饱和蒸汽压随温度的上升而迅速增大,所以实验时必须控制好蒸发源温度。蒸发镀膜常用的加热方法时电阻大电流加热,采用钨,钼,铂等高熔点的金属。真空镀膜时,飞抵基片的气化原子或分子,一部分被反射,一部分被蒸发离开,剩下的要么结合在一起,再捕获其他原子或分子,使得自己增大;或者单个原子或分子在基片上自由扩散,逐渐生长,覆盖整个基片,形成镀膜。注意的是基片的清洁度和完整性将影响到镀膜的形成速率和质量

真空镀膜的物理过程:PVD(物理的气相沉积技术)的基本原理可分为三个工艺步骤:(1)金属颗粒的气化:即镀料的蒸发、升华或被溅射从而形成气化源(2)镀料粒子((原子、分子或离子)的迁移:由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞,产生多种反应。(3)镀料粒子在基片表面的沉积。热蒸发主要是三个过程:1.蒸发材料从固态转化为气态的过程。2.气化原子或分子在蒸发源与基底之间的运输 3.蒸发原子或分子在衬底表面上淀积过程,即是蒸汽凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。真空镀膜中离子镀简化可以大量的镀前清洗工作。

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原子层沉积过程由A、B两个半反应分四个基元步骤进行:1)前驱体A脉冲吸附反应;2)惰气吹扫多余的反应物及副产物;3)前驱体B脉冲吸附反应;4)惰气吹扫多余的反应物及副产物,然后依次循环从而实现薄膜在衬底表面逐层生长。基于原子层沉积的原理,利用原子层沉积制备高质量薄膜材料,三大要素必不可少:1)前驱体需满足良好的挥发性、足够的反应活性以及一定热稳定性,前驱体不能对薄膜或衬底具有腐蚀或溶解作用;2)前驱体脉冲时间需保证单层饱和吸附;3)沉积温度应保持在ALD窗口内,以避免因前驱体冷凝或热分解等引发CVD生长从而使得薄膜不均匀。各种真空镀膜技术都需要有一个蒸发源或靶子。真空镀膜工艺流程

真空溅镀通常指的是磁控溅镀,属于高速低温溅镀法。宜宾真空镀膜仪

真空镀膜:真空蒸发镀膜法:真空蒸发法的原理是:在真空条件下,用蒸发源加热蒸发材料,使之蒸发或升华进入气相,气相粒子流直接射向基片上沉积或结晶形成固态薄膜;由于环境是真空,因此,无论是金属还是非金属,在这种情况下蒸发要比常压下容易得多。真空蒸发镀膜是发展较早的镀膜技术,其特点是:设备相对简单,沉积速率快,膜层纯度高,制膜材料及被镀件材料范围很广,镀膜过程可以实现连续化,应用相当普遍。按蒸发源的不同,主要分为:电阻加热蒸发、电子束蒸发、电弧蒸发和激光蒸发等。宜宾真空镀膜仪

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