所以正反向峰值电压参数VDRM、VRRM应保证在正常使用电压峰值的2-3倍以上,考虑到一些可能会出现的浪涌电压因素,在选择代用参数的时候,只能向高一档的参数选取。2.选择额定工作电流参数可控硅的额定电流是在一定条件的通态均匀电流IT,即在环境温度为+40℃和规定冷却条件,器件在阻性负载的单相工频正弦半波,导通角不少于l70℃的电路中,当稳定的额定结温时所答应的通态均匀电流。而一般变流器工作时,各臂的可控硅有不均流因素。可控硅在多数的情况也不可能在170℃导通角上工作,通常是少于这一角度。这样就必须选用可控硅的额定电流稍大一些,一般应为其正常电流均匀值的。3.选择关断时间晶闸管模块在阳极电流减少为0以后,假如马上就加上正朝阳极电压,即使无门极信号,它也会再次导通,假如在再次加上正朝阳极电压之前使器件承受一定时间的反向偏置电压,也不会误导通,这说明晶闸管模块关断后需要一定的时间恢复其阻断能力。从电流过O到器件能阻断重加正向电压的瞬间为止的小时闻间隔是可控硅的关断时间tg,由反向恢复时间t和门极恢复时间t构成,普通晶闸管模块的tg约150-200μs。通常能满足一般工频下变流器的使用,但在大感性负载的情况下可作一些选择。淄博正高电气愿和各界朋友真诚合作一同开拓。安徽双向晶闸管调压模块组件
正高谈智能晶闸管模块在电气控制中的应用晶闸管模块,出现在1957年,而后随着半导体技术及其应用技术的不断发展,使晶闸管模块在电气控制领域中发挥了很大的作用,但是,过去人们只能以分立器件的形式把晶闸管用在各种电气控制装置中,由分立器件组成的电路复杂、体积大,安装调试麻烦,可靠性也较差。但是淄博正高电气生产的智能晶闸管模块从根本上解决了上述问题,下面一起来看看。智能晶闸管模块就是将晶闸管模块主电路与移相触发电路以及具有控制功能的电路封装在同一外壳内的新型模块。智能晶闸管模块的移相触发电路为全数字电路,功能电路由单片机完成,并且内置有多路电流、电压、温度传感器,通过模块上的接插件可将各种控制线引到键盘,进行各种功能和电气参数设定,并可进行LED或LCD显示。模块的每支芯片的电流已达1000A,电压达1600~2200V,智能晶闸管模块实际上已是一个准电力电子装置,不论在体积、容量、功能、智能化程度以及可靠性等方面与传统装置相比都有很大优势,且安装、使用特别方便。毫无疑问,有了这种模块,今后将会使配电系统内的各种电气控制发生重大变化。智能晶闸管模块一般由电力晶闸管,移相触发器,软件控制的单片机。湖南单相晶闸管调压模块型号淄博正高电气运用高科技,不断创新为企业经营发展的宗旨。
怎么区分可控硅模块的损坏缘由当可控硅模块损坏后需求查看剖析其缘由时,可把管芯从冷却套中取出,翻开芯盒再取出芯片,调查其损坏后的痕迹,以判别是何缘由。下面介绍几种常见表象剖析。电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其方位在远离操控极上。电压击穿。可控硅因不能接受电压而损坏,其芯片中有一个光亮的小孔,有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降低或被电路断开时发生的高电压击穿。电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏一样,而其方位在操控极邻近或就在操控极上。边际损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细微光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制作厂家装置不小心所形成的。它致使电压击穿。
它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。合上电源开关S后,电源UBB经电位器RP向电容器C充电,电容器上的电压UC按指数规律上升。当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时,单结晶体管突然导通,基区电阻RB1急剧减小,电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电,使R1两端电压Ug发生一个正跳变,形成陡峭的脉冲前沿。随着电容器C的放电,UE按指数规律下降,直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。这样,在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。此时,电源UBB又开始给电容器C充电,进入第二个充放电过程。这样周而复始,电路中进行着周期性的振荡。调节RP可以改变振荡周期。九、在可控整流电路的波形图中,发现晶闸管模块承受正向电压的每半个周期内,发出个触发脉冲的时刻都相同,也就是控制角和导通角都相等,那么,单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?为了实现整流电路输出电压“可控”,必须使晶闸管模块承受正向电压的每半个周期内,触发电路发出个触发脉冲的时刻都相同,这种相互配合的工作方式,称为触发脉冲与电源同步。淄博正高电气生产的产品受到用户的一致称赞。
晶闸管G、K之间是一个PN结,相当于一个二极管,G为正极、K为负极,所以,按照测试二极管的方法,找出三个极中的两个极,测它的正、反向电阻,电阻小时,万用表黑表笔接的是控制极G,红表笔接的是阴极K,剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管模块的好坏,可以用刚才演示用的示教板电路。接通电源开关S,按一下按钮开关SB,灯泡发光就是好的,不发光就是坏的。四、晶闸管模块在电路中的主要用途是什么?普通晶闸管模块基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管,就可以构成可控整流电路。现在我画一个简单的单相半波可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周期间,如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug,VS仍然不能导通,只有在U2处于正半周,在控制极外加触发脉冲Ug时,晶闸管被触发导通。现在,画出它的波形图,可以看到,只有在触发脉冲Ug到来时,负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早,晶闸管模块导通的时间就早;Ug到来得晚,晶闸管导通的时间就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间,就可以调节负载上输出电压的平均值UL。淄博正高电气的行业影响力逐年提升。河北三相晶闸管调压模块品牌
淄博正高电气以创百年企业、树百年品牌为使命,倾力为客户创造更大利益!安徽双向晶闸管调压模块组件
正高教你区分可控硅模块损坏的原因当可控硅模块损坏后,一定要及时找到损坏的原因,然后立即进行故障处理,下面正高教你如何区分可控硅模块损坏的原因。当可控硅模块损坏后需求查看剖析其缘由时,可把管芯从冷却套中取出,翻开芯盒再取出芯片,调查其损坏后的痕迹,以判别是何缘由。下面介绍几种常见表象剖析。电流损坏。电流损坏的痕迹特征是芯片被烧成一个凹坑,且粗糙,其方位在远离操控极上。电压击穿。可控硅因不能接受电压而损坏,其芯片中有一个光亮的小孔,有时需用扩展镜才干看见。其缘由可能是管子自身耐压降低或被电路断开时发生的高电压击穿。电流上升率损坏。其痕迹与电流损坏一样,而其方位在操控极邻近或就在操控极上。边际损坏。他发生在芯片外圆倒角处,有细微光亮小孔。用放大镜可看到倒角面上有细细金属物划痕。这是制作厂家装置不小心所形成的。它致使电压击穿。以上4种缘由都是可控硅模块的常见损坏缘由,遇到可控硅模块损坏事情,应剖析。安徽双向晶闸管调压模块组件