二极管的起源早在20世纪40年代，人们就开始利用金属-半导体接触的单向导电性，当时将金属丝与氧化亚铜晶体接触做成点接触型二极管，将这种较简单的半导体器件用于检波。利用薄膜淀积技术可在半导体表面形成大面积的金属-半导体整流接触，做成面接触型的金属-半导体二极管，习惯上称之为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。目前，功率肖特基势垒二极管主要用铬、铂、钨、铝等金属与N型低阻硅制成 这里需要对阴极金属与重掺杂的N+层之间的接触进行说明。首先肯定是该接触为欧姆接触，与阳极的金属-半导体的整流接触不同。欧姆接触不光光看金属和半导体的功函数之差。更广义的所谓欧姆接触，是指接触电阻很小且不随外加电压的变化而改变其阻值的线性接触。 二极管的类型有很多，如硅二极管、锗二极管、肖特基二极管等。台州发光二极管功率
二极管VD1温度补偿电路分析：根据二极管VD1在电路中的位置，对它的工作原理分析思路主要说明下列几点：（1）VD1的正极通过R1与直流工作电压+V相连，而它的负极通过R2与地线相连，这样VD1在直流工作电压+V的作用下处于导通状态。理解二极管导通的要点是：正极上电压高于负极上电压。（2）利用二极管导通后有一个0.6V管压降来解释电路中VD1的作用是行不通的，因为通过调整R1和R2的阻值大小可以达到VT1基极所需要的直流工作电压，根本没有必要通过串入二极管VD1来调整VT1基极电压大小。广州恒流二极管分类二极管的正向电阻称为正向动态电阻。
正向偏压（Forward Bias）二极管的阳极侧施加正电压，阴极侧施加负电压，这样就称为正向偏置，所加电压为顺向偏压。如此N型半导体被注入电子，P型半导体被注入电洞。这样一来，让多数载流子过剩，空乏层缩小、消灭，正负载流子在PN接合部附近结合并消灭。整体来看，电子从阴极流向阳极（电流则是由阳极流向阴极）。在这个区域，电流随著偏压的增加也急遽地增加。伴随著电子与电洞的再结合，两者所带有的能量转变为热（和光）的形式被放出。能让正向电流通过的必要电压被称为开启电压，特定正向电流下二极管两端的电压称为正向压降。
二极管是一种电子元件，由半导体材料制成，具有两个电极，即正极（阳极）和负极（阴极）。它的主要作用是将电流限制在一个方向上流动，即只允许正向电流通过，而阻止反向电流的流动。二极管的工作原理基于PN结的特性。PN结是由P型半导体和N型半导体材料组成的结构。P型半导体中的杂质原子掺入了三价元素，使其具有正电荷；N型半导体中的杂质原子掺入了五价元素，使其具有负电荷。当P型和N型半导体材料相接触时，形成了一个PN结。当二极管处于正向偏置时，即正极连接到P型半导体，负极连接到N型半导体时，PN结的电场会阻止电子从N型半导体向P型半导体移动，但允许空穴从P型半导体向N型半导体移动。这样，正向电流可以通过二极管。而当二极管处于反向偏置时，即正极连接到N型半导体，负极连接到P型半导体时，PN结的电场会阻止空穴从P型半导体向N型我们的隔离二极管产品能够在高温环境下正常工作，具有良好的温度稳定性。
整流二极管的原理整流二极管基于PN结的特性工作。PN结是由P型半导体和型半导体通过扩散或外加电场形成的结构。当P型半导体与N型半导体相接触时，形成了一个具有特殊导电性质的区域。在整流二极管中，P型半导体称为阳极(Anode)，N型半导体称为阴极(Cathode)。当整流二极管的阳极连接到正电压，阴极连接到负电压时，PN结处形成了正向偏置。在正向偏置下，电子从N型半导体向P型半导体流动，同时空穴从P型半导体向N型半导体流动。这种流动形成了一个电流通路，使得电流可以顺利通过整流二极管。当整流二极管的阳极连接到负电压，阴极连接到正电压时，PN结处形成了反向偏置。在反向偏置下，电子和空穴被阻止通过PN结，形成了一个高阻抗状态。这时，整流二极管几乎不导电，电流无法通过。它由P型半导体和N型半导体组成。中山检波二极管使用注意事项
二极管当P型半导体和N型半导体相接触时，形成PN结，PN结的两侧分别为P区和N区。台州发光二极管功率
二极管PN结形成原理：P型半导体是在本征半导体（一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体）掺入少量三价元素杂质，如硼等。因硼原子只有三个价电子，它与周围的硅原子形成共价键，因缺少一个电子，在晶体中便产生一个空位，当相邻共价键上的电子获得能量时就有可能填补这个空位，使硼原子成了不能移动的负离子，而原来的硅原子的共价键则因缺少一个电子，形成了空穴，但整个半导体仍呈中性。这种P型半导体中以空穴导电为主，空穴为多数载流子，自由电子为少数载流子。 N型半导体形成的原理和P型原理相似。在本征半导体中掺入五价原子，如磷等。掺入后，它与硅原子形成共价键，产生了自由电子。在N型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。台州发光二极管功率
