ESD5471X1线双向瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD5471X是一款双向瞬态电压抑制器(TVS)。它特别设计用于保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子组件,免受由静电放电(ESD)、电气快速瞬态(EFT)和雷电引起的过应力影响。根据IEC61000-4-2标准,ESD5471X可用于提供高达±30kV(接触和空气放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达6A的峰值脉冲电流(8/20μs)。ESD5471X采用FBP-02C封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性:
反向截止电压:±5V
根据IEC61000-4-2(ESD)标准,每条线路的瞬态保护:±30kV(接触和空气放电)
IEC61000-4-4(EFT):40A(5/50ns)
IEC61000-4-5(浪涌):6A(8/20μs)
电容:CJ=9pF(典型值)
低漏电流
低钳位电压:VCL=12V(典型值)@IPP=16A(TLP)
固态硅技术
应用领域:
手机
平板电脑
笔记本电脑
其他便携式设备
网络通信设备
ESD5471X是专为保护敏感电子组件设计的双向瞬态电压抑制器,能抵御静电放电、电气快速瞬态和雷电等过应力。其优越的保护能力和低漏电流特性使其成为手机、平板、笔记本等便携式设备及网络通信设备的理想保护元件。采用固态硅技术,既高性能又紧凑,方便集成。详情请查阅数据手册或联系我们。 WL2805N33-3/TR 线性稳压器(LDO)封装:SOT-23-3L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56181W05
WPM2015xx是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管(MOSFET)。它采用先进的沟槽技术和设计,具有出色的RDS(ON)(导通电阻)和低栅极电荷。这使得WPM2015xx在中等电源电流和电流产出量的应用中表现出色,尤其适用于电池管理、电机控制和高速开关等场景。
WPM2015xx的主要特点包括:
1:稳定的走电电压和出色的导电电阻,这有助于在电子设备中实现高效、稳定的性能。
2:适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用,这些应用需要精确控制电流和电压。
3:采用无铅、无卤的环保封装,符合现代电子产品的环保要求。
4:具有超高密度电池设计,适用于需要高效率和高稳定性的电池管理系统。
5:极低的阈值电压和小型化的SOT-23封装使得WPM2015xx在空间受限的应用中也能发挥出色的性能。
在实际应用中,WPM2015xx可以用于继电器、电磁铁和电机等设备的驱动和控制。通过控制栅极电压,WPM2015xx可以实现对电流的精确调节,从而实现对电机等设备的控制。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐WPM2015xx这款MOS,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或支持,请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WD3168EESD5Z5VL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-523。
WS4612:60mΩ电流限制型电源分配开关
产品描述
WS4612是一款具有高侧开关和极低导通电阻的P-MOSFET。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。此外,WS4612还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4612提供SOT-23-5L和TSOT-23-5L两种封装。标准产品为无铅且无卤素。
产品特性
· 输入电压范围:2.5-5.5V
· 主开关RON:60mΩ@VIN=5.0V
· 电流限制精度:±15%
· 调整电流限制范围:0.1A-2.5A(典型值)
· 典型上升时间:600μS
· 静态供电电流:26μA
· 欠压锁定
· 自动放电
· 反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用领域
· USB外设
· USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4612是功能丰富的电源分配开关,专为现代电子设备电源管理和保护设计。极低导通电阻和集成电流限制功能,应对高电容负载和短路情况。反向保护和自动放电功能增强安全性。适用于USB外设、数据卡和电源分配,确保设备稳定运行。紧凑封装,环保无铅无卤素设计,易集成。详情查阅数据手册或联系我们。
WSB5546N-肖特基势垒二极管
特性:
· 低反向电流
· 0.2A平均整流正向电流
· 无铅和无卤素:WSB5546N是一款环保产品,不含铅和卤素。
· 快速开关和低正向电压降
· 反向阻断
应用:
· 电源管理
· 信号处理
· 电子设备保护
总之,WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管,具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型,它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降,而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此,WSB5546N结合了这些特点,提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WMM7027ATSN1-4/TR MEMS麦克风(硅麦)封装:LGA-4(1.9x2.8)。
ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器
产品描述:
ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器(TVS)阵列,专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件,免受静电放电(ESD)引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准,ESD73034D可用于提供高达±10kV(接触放电)的ESD保护,并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A(8/20μs)的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
· 截止电压:±3.3VMax
· 根据IEC61000-4-2(ESD)的每条线路瞬态保护:±10kV(接触放电)
· 根据IEC61000-4-4(EFT)的瞬态保护:40A(5/50ns)
· 根据IEC61000-4-5(浪涌)的瞬态保护:5.5A(8/20μs)
· 极低电容:CJ=0.2pFtyp
· 低漏电流低箝位电压:VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)
· 固态硅技术
应用领域:
· USB3.0和USB3.1
· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0
· 便携式电子设备
· 笔记本电脑
ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器,保护敏感元件免受静电放电损害。适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备。紧凑、环保。详情查阅数据手册或联系我们。 WNM6001-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-23。规格书WILLSEMI韦尔ESD56181W15
ESD5302N-3/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-3L。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56181W05
WAS3157B是一款高性能的单刀双掷(SPDT)CMOS模拟开关,专为总线切换或音频切换应用设计。它具备高达400MHz的-3dB带宽和低导通电阻(典型值为5.5Ω)。此外,其SEL引脚具有过压保护功能,允许引脚上的电压超过VCC,至高可达7.0V,而不会损坏部件或影响其操作,无论工作电压如何。WAS3157B还配备了智能电路,以至小化VCC泄漏电流,即使在SEL控制电压低于VCC电源电压时也是如此。简而言之,在实际应用中,无需额外的设备来使SEL电平与VCC电平保持一致。WAS3157B采用标准的SOT-363(SC-70-6L)封装,标准产品为无铅和无卤素。
特性:
· 电源电压:1.5~5.5V
· 导通电阻:在VCC=4.5V时为5.5Ω-3dB
· 带宽:在CL=5pF时为400MHz
· 断开隔离度:在10MHz时为-69dB
· 低静态电流:<1uA
· 先断后合功能ESD保护:HBM为±8000V,MM为±600V
应用领域:
· 手机
· MID(移动互联网设备)
· 其他便携式设备
WAS3157B是一款功能强大且易于集成的模拟开关解决方案,适用于需要高效、可靠的切换功能的各种便携式设备。其优异的性能和多种保护功能使其成为现代电子设备中的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56181W05
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