规格书WILLSEMI韦尔WAS4761Q

WSB5546N-肖特基势垒二极管

特性：

· 低反向电流

· 0.2A平均整流正向电流

· 无铅和无卤素：WSB5546N是一款环保产品，不含铅和卤素。

· 快速开关和低正向电压降

· 反向阻断

应用：

· 电源管理

· 信号处理

· 电子设备保护

    总之，WSB5546N是一款具有低反向电流、0.2A平均整流正向电流以及无铅无卤素环保特性的肖特基势垒二极管。它为各种应用提供了高效、可靠且环保的解决方案WSB5546N是一款肖特基势垒二极管，具有一些明显的特点和优势。肖特基势垒二极管是一种特殊的二极管类型，它结合了肖特基二极管和势垒二极管的优点。肖特基二极管具有快速开关能力和低正向电压降，而势垒二极管则具有出色的反向阻断能力。因此，WSB5546N结合了这些特点，提供了一种高效、可靠且环保的解决方案。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WS4603E-5/TR 功率电子开关 封装：TSOT-25。规格书WILLSEMI韦尔WAS4761Q

ESD5451N：双向瞬态电压保护神

     ESD5451N是一款高效的双向瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受静电放电、电气快速瞬变和雷电等瞬态电压侵害而设计。它能承受高达±30kV的接触和空气放电，以及峰值脉冲电流达8A（8/20μs），为低速数据线和控制线提供强大的保护

    这款抑制器采用DFN1006-2L封装，具有无铅和无卤素等环保特性。其反向截止电压为±5VMax，电容典型值为17.5pF，漏电流极低，典型值小于1nA。此外，其低钳位电压特性使其在电流脉冲下仍能保持稳定的电压输出。

    ESD5451N适用于多种应用场景，包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备，以及网络通信设备等。其出色的瞬态电压抑制能力和稳定性，为电子设备提供了可靠的保障。

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于ESD5451N的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 规格书WILLSEMI韦尔WAS4761QWSB5524D-2/TR 肖特基二极管 封装：FBP1608-2L。

    ESD5431N是一款双向瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到电源线、低速数据线和控制线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±3.3V

· 根据IEC61000-4-2标准，提供±30kV（接触放电）的ESD保护

· 根据IEC61000-4-4标准，提供40A（5/50ns）的EFT保护

· 根据IEC61000-4-5标准，提供10A（8/20μs）的浪涌保护

· 电容：典型值为17.5pF

· 低泄漏电流：典型值为1nA

· 低钳位电压：在脉冲电流为16A（TLP）时，典型值为8V。

· 固态硅技术

应用：

· 手机

· 计算机和外设：为计算机主板、显示器、键盘等

· 微处理器

· 电源线

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ESD5431N是专为保护电子元件免受静电、电气瞬变等过应力而设计的高性能双向瞬态电压抑制器。其瞬态保护出色，封装紧凑，环保特性强，广泛应用于手机、计算机和便携式设备，确保设备稳定运行和数据安全。如需详细信息，请查阅数据手册或联系我们。

ES9DN12BA瞬态电压抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬态电压抑制器（TVS），专为保护连接到数据和传输线的敏感电子元件免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电等过应力影响而设计。封装与环保特性：DFN1006-2L封装：紧凑的尺寸使得它易于集成到各种电路板中。无铅和无卤素：符合环保要求，适用于对无铅和无卤素有需求的场合。

特性：

· 截止电压：±12V。

· 按照IEC61000-4-2标准的ESD保护：±30kV（接触放电）

· 按照IEC61000-4-5标准的浪涌保护：5.5A（8/20μs）

· 典型电容：CJ=27pF

· 极低泄漏电流：IR=0.1nA

· 低钳位电压：在IPP=16A（TLP）时，VCL=20V。

· 固态硅技术：确保器件性能稳定和长寿命。

应用：

· 计算机及其外设：如键盘、鼠标、显示器等。

· 手机

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬态电压抑制器，专为保护敏感电子元件免受静电和电气瞬变的影响而设计。其优异的保护能力、紧凑的封装和环保特性使其成为各种电子设备制造商的理想选择。无论是计算机、手机还是便携式电子设备，ES9DN12BA都能提供强大的保护，确保设备的稳定性和可靠性。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WCM2001-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-6L-EP(2x2)。

ESD73011N：单线、双向、极低电容瞬态电压抑制器

     ESD73011N是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用来保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，以防止由静电放电（ESD）引起的过度压力。ESD73011N包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，它可以提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73011N采用DFN1006-2L封装，为标准产品，无铅且不含卤素。

其主要特性包括：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.40pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用领域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子设备

· 笔记本电脑

     ESD73011N为需要高速数据传输和严格ESD防护的应用提供了出色的保护。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系制造商。 WPM2031-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：SOT-723。规格书WILLSEMI韦尔WAS4761Q

WL2815D33-4/TR 线性稳压器(LDO) 封装：XDFN-4-EP(1x1)。规格书WILLSEMI韦尔WAS4761Q

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311X可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准，能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装，为标准无铅且无卤素产品。

主要特性：

截止电压：5V

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.25pF（典型值）

极低漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固态硅技术

应用领域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流，保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口，确保数据传输的稳定性。紧凑、环保，广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息，请查阅手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WAS4761Q