代理分销商WILLSEMI韦尔WL2863C

WS4603E：可调电流限制、电源分配开关 

描述

   WS4603E是一款具有高侧开关和低导通电阻P-MOSFET的开关。其集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入，从而保护电源。此外，WS4603E还集成了反向保护功能，当设备关闭时，可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时，输出自动放电，使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4603E采用SOT-23-5L封装。标准产品无铅且不含卤素。

特性

1、输入电压范围：2.5~5.5V

2、主开关RON：80mΩ@VIN=5V

3、调整电流限制范围：0.4~2A（典型值）

4、电流限制精度：±20%

5、自动放电

6、反向阻断（无“体二极管”）

7、过温保护

应用

· USB外设

· USB Dongle

· USB 3G数据卡

· 3.3V或5V电源开关

· 3.3V或5V电源分配

    安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，可以提供样品供您测试。如有关于WS4603E的进一步问题或需求，请随时与我们联系。我们期待与您合作，为您提供优异的产品和服务。 ESD5471X-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：FBP-02C。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2863C

WS3202E：过压和过流保护IC

产品描述：

WS3202E是一款集过压保护（OVP）和过流保护（OCP）功能于一体的保护设备。当输入电压或输入电流超过阈值时，该设备会关闭内部MOSFET，断开IN到OUT的连接，以保护负载。此外，过温保护（OTP）功能会监控芯片温度，确保设备安全。封装形式：SOT-23-6L

产品特性：

· 高压技术

· 输入电压：25V

· 输出上电时间：8ms（典型值）

· OVP阈值：6.1V（典型值）

· OVP响应时间：<1us

· OCP阈值：2A（最小值）

· 输出放电功能

应用领域：

· GPS设备

· PMP（便携式媒体播放器）

· MID（移动互联网设备）

· PAD（平板电脑）

· 数码相机

· 数字摄像机

     WS3202E是一款功能强大的过压和过流保护IC，为电子设备提供了双重安全保障。其高压技术、快速响应时间和灵活的输出放电功能使其在各种应用场合中表现出色，特别适用于需要高稳定性和可靠性的电子设备，如GPS、PMP、MID、PAD以及数码相机和摄像机等。WS3202E采用SOT-23-6L封装，方便集成到各种电路板中，同时其无铅和无卤素特性也符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔WH2508FWL2851E33-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装:SOT-23-5L。

ESD73034D四线路、双向、极低电容瞬态电压抑制器

产品描述：

     ESD73034D是一种极低电容的瞬态电压抑制器（TVS）阵列，专为保护高速数据接口而设计。它被特别设计用于保护连接到数据和传输线的敏感电子元件，免受静电放电（ESD）引起的过度应力。ESD73034D结合了四对极低电容的转向二极管和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD73034D可用于提供高达±10kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准承受高达5.5A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD73034D采用DFN2510-10L封装。标准产品为无铅和无卤素。

产品特性

截止电压：±3.3VMax

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线路瞬态保护：±10kV（接触放电）

根据IEC61000-4-4（EFT）的瞬态保护：40A（5/50ns）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：5.5A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.2pFtyp

低漏电流

低箝位电压：VCL=8.7Vtyp.@IPP=16A(TLP)

固态硅技术

应用领域

USB3.0和USB3.1

HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

便携式电子设备

笔记本电脑

     ESD73034D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护敏感元件免受静电放电损害，适用于USB3.0、HDMI等高速接口和便携式设备，紧凑且环保。详情查阅数据手册或联系我们。

WNM6001：单N沟道、60V、0.50A功率MOSFET

产品描述：

     WNM6001是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的槽型技术和设计，以提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM6001为无铅且无卤素。小型SOT-23封装。

产品特性：

· 槽型技术

· 超高密度单元设计

· 出色的ON电阻，适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域：

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换器

· 电路电源开关

· 负载开关充电

       WNM6001是一款采用先进槽型技术的N沟道MOSFET，专为高效能应用而设计。其出色的RDS(ON)和低栅极电荷使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。此外，WNM6001的超高密度单元设计和极低的阈值电压保证了在高直流电流下的高效运行。这款器件的小型SOT-23封装使其成为空间受限应用中的理想选择。无论是驱动继电器、电磁阀还是电机，或是为LED供电，WNM6001都能提供稳定、高效的性能。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM2046E-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装：DFN-3L(1x0.6)。

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESD73011N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006。中文资料WILLSEMI韦尔WH2508F

ESD5341N-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN1006-2L。代理分销商WILLSEMI韦尔WL2863C

    ESD5311X是一款极低电容的瞬态电压抑制器（TVS），专为保护高速数据接口而设计。它特别用于保护连接到数据和传输线的敏感电子组件，免受由静电放电（ESD）引起的过应力影响。ESD5311X包含一个极低电容的转向二极管对和一个TVS二极管。根据IEC61000-4-2标准，ESD5311X可提供高达±20kV（接触放电）的ESD保护，并根据IEC61000-4-5标准，能承受高达4A（8/20μs）的峰值脉冲电流。ESD5311X采用WBFBP-02C-C封装，为标准无铅且无卤素产品。

主要特性：

截止电压：5V

根据IEC61000-4-2（ESD）的每条线瞬态保护：±20kV（接触放电）

根据IEC61000-4-5（浪涌）的瞬态保护：4A（8/20μs）

极低电容：CJ=0.25pF（典型值）

极低漏电流：IR<1nA（典型值）

低钳位电压：VCL=22V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固态硅技术

应用领域：

USB2.0和USB3.0

HDMI1.3和HDMI1.4

SATA和eSATA

DVI

IEEE 1394

PCI Express

便携式电子设备

笔记本电脑

    ESD5311X是一款专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，可承受高达±20kV的静电放电和4A的峰值脉冲电流，保护电子组件免受损害。适用于USB、HDMI、SATA等接口，确保数据传输的稳定性。紧凑、环保，广泛应用于便携式设备和笔记本电脑。如需更多信息，请查阅手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WL2863C

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