企业商机
WILLSEMI韦尔基本参数
  • 品牌
  • WILLSEMI韦尔
  • 型号
  • WILLSEMI韦尔
  • 封装形式
  • DIP,PGA,TQFP,SMD,MCM,PQFP,BGA,SDIP,TSOP,QFP,SOP/SOIC,QFP/PFP,CSP,PLCC
  • 导电类型
  • 单极型,双极型
  • 封装外形
  • 扁平型,单列直插式,双列直插式,金属壳圆形型
  • 集成度
  • 小规模(<50),中规模(50~100),大规模(100~10000),超大规模(>10000)
WILLSEMI韦尔企业商机

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以在低栅极电荷下提供出色的RDS(ON)。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管,专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻(RDS(ON)),从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时,低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号,进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器,其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外,它还可以用于各种充电电路,如电池充电器和太阳能充电器,以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品,WNM2020不仅具有出色的电性能,还符合环保要求,不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之,WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管,非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 WNM6002-3/TR 场效应管(MOSFET) 封装:SOT-323-3。代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2202

代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2202,WILLSEMI韦尔

    WS4508E是一款针对单节锂离子电池的完整恒流/恒压线性充电器。其内部采用MOSFET架构,无需外部感测电阻和阻断二极管。热反馈机制可以调节充电电流,以在高功率操作或高环境温度下限制芯片温度。充电电压固定为4.2V,而充电电流可以通过一个外部电阻进行编程。

特性:

· 可编程充电电流高达600mA

· 过温保护

· 欠压锁定保护

· 自动再充电阈值典型值为4.05V

· 充电状态输出引脚

· 2.9V涓流充电阈值

· 软启动限制浪涌电流

应用:

· 无线电话

· MP3/MP4播放器

· 蓝牙设备

    WS4508E是一款锂离子电池充电器,适用于便携式电子产品。其内置MOSFET简化了电路设计,降低了成本。其热反馈机制确保了在各种环境下的安全充电。充电电压固定为4.2V,电流可编程,至高600mA,适应不同电池和充电需求。充电结束和电源移除时,自动进入低电流和关机模式,降低功耗。采用SOT-23-5L封装,符合无铅标准,适用于各种电子设备。提供可靠、高效的充电解决方案。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD56321N15ESD56051N-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。

代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2202,WILLSEMI韦尔

WPM3401:单P沟道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一种P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管,采用高单元密度、DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别定制于小化导通电阻。这些器件特别适合低电压应用、笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关的电池供电电路。

其主要特性包括:

· 沟槽技术

· 超高密度的单元设计

· 优异的导通电阻,适用于更高的直流电流

· 小型SOT-23-3L封装

应用领域包括:

· 笔记本电脑的电源管理

· 便携式设备

· 电池供电系统

· DC/DC转换器

· 负载开关

      WPM3401是一种高性能的功率MOSFET,专为需要高效、紧凑和可靠功率管理的应用而设计。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。

    WL2803E系列是一款极低压差、低静态电流、高电源抑制比(PSRR)的CMOS低压差线性稳压器(LDO)。在500mA负载电流下,其压差电压典型值为130mV。采用CMOS结构,WL2803E在整个输入电压范围内的静态电流典型值为150μA,这使得它对于要求高输出电流的消费者、网络应用具有吸引力。WL2803E系列提供了从1.2V到3.3V的宽输出电压范围版本,步长为0.1V。WL2803E系列提供了过热保护(OTP)和电流限制功能,以确保芯片和电源系统在错误条件下的稳定性,并采用微调技术保证输出电压精度在±2%以内。WL2803E稳压器采用SOT-23-5L封装,为标准无铅且无卤素产品。

主要特性:

· 输入电压范围:2.5V至5.5V

· 输出电压范围:1.2V至3.3V

· 输出电流:500mA

· PSRR:在1KHz时为65dB

· 压差电压:在IOUT=0.5A时为130mV

· 输出噪声:100μV

· 静态电流:典型值为150μA

应用领域:

· 液晶电视(LCD TV)

· 机顶盒(STB)

· 计算机、显卡

· 网络通信设备

· 其他便携式电子设备

    WL2803E系列适用于电源管理,具有极低压差、低电流和高PSRR特性,确保灵活和准确的电压输出。紧凑环保,易于集成,适用于多种电子设备。提供稳定电源输出。详情查阅手册或联系我们。 WPM1481-6/TR 场效应管(MOSFET) 封装:DFN-6L(2x2)。

代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2202,WILLSEMI韦尔

ESDA6V8AV6静电放电(ESD)保护的瞬态电压抑制器

产品描述:

    ESDA6V8AV6是一款五线路的ESD瞬态电压抑制器,为可能受到静电放电(ESD)影响的敏感电子组件提供了极高的保护水平。对于正瞬态,这些设备将电压钳制在逻辑电平供电之上;对于负瞬态,则钳制在低于地的二极管压降。ESDA6V8AV6能够安全地消散±20kV的ESD冲击,超过了IEC61000-4-2国际标准的至高上限要求。使用MILSTD-883(方法3015)中的人体模型(HBM)ESD规格,该设备为大于±16kV的接触放电提供了保护。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封装,工作电压为5伏特。

规格特性:

· 工作峰值反向电压:5V

· 低漏电流:<1uA@3V

· 高ESD保护水平:每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四级ESD保护

· IEC61000-4-4四级EFT保护

· 五种单独的单向配置

机械特性:

· 无空洞、转移模制、热固性塑料外壳

· 耐腐蚀表面,易于焊接


应用领域:

· 手机和配件

· 个人数字助理(PDA)

· 笔记本电脑、台式机和服务器

· 便携式仪器

· 数码相机

· 外设MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五线路ESD保护器,保护电子组件免受静电放电影响。具有强ESD保护和低漏电流,能承受±20kV冲击。符合电磁兼容性标准,适用于手机、笔记本等便携式设备。详情查阅手册或联系我们。 WS742133H-14/TR 音频功率放大器 封装:TSSOP-14。代理分销商WILLSEMI韦尔WPM03137E

WS72042M-8/TR 运算放大器 封装:MSOP-8。代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2202

WPM1481:单P沟道、-12V、-5.1A功率MOSFET

产品描述:

    WPM1481是一款P沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1481为无铅产品。小型DFN2*2-6L封装。

产品特性:

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 适用于更高的直流电流

· 极低的阈值电压

应用领域:

· 继电器、电磁阀、电机、LED等的驱动器

· DC-DC转换电路

· 电源开关

· 负载开关

· 充电应用  

     WPM1481是一款高性能的P沟道功率MOSFET,专为高电流应用而设计。其出色的RDS(ON)和极低的阈值电压使其成为DC-DC转换、电源开关和充电电路的理想选择。同时,其小型DFN2*2-6L封装使得它在空间受限的应用中也能发挥出色。WPM1481作为无铅产品,还符合环保要求。无论是用于驱动继电器、电磁阀、电机还是LED,WPM1481都能提供可靠且高效的性能。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔WNMD2202

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