ADI基本参数
  • 品牌
  • ADI
  • 型号
  • AD9864BCPZ
ADI企业商机

    、低功耗、四通道、16位模拟前端(AFE)带隙电压参考器,专为高性能、高分辨率的模拟到数字转换器(ADC)前端设计。该芯片提供、、,具有低噪声、低失真、高电源抑制比(PSRR)和低输入偏置电流等特性,使其适用于恶劣的电磁环境和低功耗应用。此外,°C的低温度系数,使其适用于高精度的数据转换器和传感器接口应用。它采用16引脚、4mm×4mm、QFN封装,工作温度范围为-40°C至+85°C,并符合RoHS标准。总之,、高分辨率ADC前端设计的高性能、低噪声、带隙电压参考器芯片。 ADI品牌的IC芯片采用先进的封装技术,能够满足各种紧凑型设计的需求。AD8353ACPZ-REEL7

AD8353ACPZ-REEL7,ADI

ADM3057EBRWZ-RL是一款由AnalogDevices(亚德诺)制造的开关模式升压型DC/DC转换器,采用SOIC-20封装方式12。ADM3057EBRWZ-RL具有固定5.0V输出电压,可连续调整输出电压,输入电压为40V,小启动电压为4.5V,转换效率为92%,具有过热和过电流保护等特点1。该芯片主要应用于空间受限的、需要高效率DC/DC转换的应用中,如便携式电子设备、电信和网络设备、工业自动化、测试和测量设备等。ADM3057EBRWZ-RL是一款由AnalogDevices(亚德诺)制造的开关模式升压型DC/DC转换器,采用SOIC-20封装方式12。ADM3057EBRWZ-RL具有固定5.0V输出电压,可连续调整输出电压,输入电压为40V,小启动电压为4.5V,转换效率为92%,具有过热和过电流保护等特点1。该芯片主要应用于空间受限的、需要高效率DC/DC转换的应用中,如便携式电子设备、电信和网络设备、工业自动化、测试和测量设备等。AD5321BRMZADI的IC芯片的高效率使其成为许多电源应用的理想选择。

AD8353ACPZ-REEL7,ADI

    LT8646SEV#PBF是LinearTechnology公司推出的一款高性能、低噪声、快速瞬态响应的同步降压型DC-DC转换器IC芯片。该芯片采用先进的混合信号技术,具有1MHz的开关频率,可实现高效率和高密度电源设计。其内部具有过电流保护和热保护功能,可确保系统的稳定性和可靠性。此外,LT8646SEV#PBF具有快速瞬态响应性能,可防止负载突变对系统的影响,提高电源的稳定性。该芯片采用小巧的8引脚QSOP封装,方便集成,适用于各种需要直流电源的应用,如通信、计算机、工业控制等领域。总之,LT8646SEV#PBF是一款高性能、低噪声、快速瞬态响应的同步降压型DC-DC转换器IC芯片,可广泛应用于各种需要高性能电源设计的领域。

    HMC451LC3TR是一款高效GaAsPHEMTMMIC中等功率放大器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装1。该放大器具有5至20GHz的工作范围,提供19dB增益、+21dBm饱和功率和21%PAE(+)。50Ω匹配放大器无需任何外部元件,且RFI/O经过隔直,非常适合用作线性增益模块或HMCSMT混频器驱动器1。HMC451LC3TR是一款高效GaAsPHEMTMMIC中等功率放大器,采用符合RoHS标准的无引脚SMT封装1。该放大器具有5至20GHz的工作范围,提供19dB增益、+21dBm饱和功率和21%PAE(+)。50Ω匹配放大器无需任何外部元件,且RFI/O经过隔直,非常适合用作线性增益模块或HMCSMT混频器驱动器1。该品牌的IC芯片的低温度系数保证了其长期稳定的性能表现。

AD8353ACPZ-REEL7,ADI

AD9375BBCZ是高度集成的宽带射频收发器,提供双通道发射器(Tx)和接收器(Rx)、集成式合成器、完全集成的数字预失真(DPD)励磁器和自适应引擎,以及数字信号处理功能1。该IC在频分双工(FDD)和时分双工(TDD)应用中,可以实现3G/4G小蜂窝和大规模多入多出(MIMO)设备所需的多种高性能低功耗组合。工作范围为300MHz到6000MHz,可覆盖大部分许可和免许可蜂窝频段。DPD算法可线性化处理高达40MHz的信号带宽,具体取决于功率放大器(PA)特性。支持的接收器(Rx)带宽达100MHz,支持的观察接收器(ORx)和发射器(Tx)合成带宽高达250MHz,可适应数字校正算法1。ADI的IC芯片设计简洁大方,易于集成到各种设备中。ADE7763ARSZ

在高频和高温环境下,ADI品牌的IC芯片仍然能够保持出色的性能。AD8353ACPZ-REEL7

HMC472ALP4E是一款宽带6位GaAsIC数字衰减器,采用低成本无引脚表面贴装封装。这款每位单个正电压控制线路的数字衰减器,在接近直流的情况下工作,使得它非常适合各种RF和IF应用。在DC到3.8GHz频率下运行,插入损耗低于2.0dB典型值。衰减器位值为0.5(LSB)、1、2、4、8和16dB,总衰减为31.5dB。衰减精度非常高,典型步长误差为±0.25dB,IIP3为+54dBm。使用六个TTL/CMOS控制输入来选择每个衰减状态。需要+5V的单个Vdd偏置1。它主要应用在3G基础设施和接入点蜂窝、测试设备和传感器GSM、WCDMA和TD-SCDMA等中。AD8353ACPZ-REEL7

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