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WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬态电压抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬态电压抑制器，专为保护电子设备免受瞬态电压的侵害而设计。在现代电子设备中，由于雷电、静电放电和其他电气瞬态事件，电路中的敏感组件经常面临损坏的风险。而WL2805N33-3/TR的出现，为这些设备提供了可靠的防护。  

      这款抑制器具有出色的瞬态抑制能力和低漏电流特性，能够在瞬态事件发生时迅速响应，将电压限制在安全范围内，从而保护电路中的敏感组件免受损坏。

      此外，WL2805N33-3/TR还具有低钳位电压和低电容值，确保了信号传输的准确性和稳定性。 其紧凑的封装设计使得它非常适合用于各种电子设备中，如通信设备、计算机、医疗设备和消费电子产品等。无论是对于工业应用还是日常消费应用，WL2805N33-3/TR都能提供优异的瞬态电压保护，确保设备的稳定运行和延长使用寿命。 

      安美斯科技作为专业的电子元器件代理分销商，致力于为客户提供优异的产品和服务。我们非常荣幸能为您推荐WL2805N33-3/TR这款瞬态电压抑制器，并愿意提供样品供您测试。如需了解更多信息或支持，请随时联系我们。 WD3139F-6/TR LED驱动 封装：TSOT-23-6。中文资料WILLSEMI韦尔ESD5661D12

WNM2021：单N沟道、20V、0.6A功率MOSFET

产品描述

    WNM2021是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2021为无铅产品。小型SOT-323封装

产品特性：

· 沟槽技术

· 超高密度单元设计

· 出色的导通电阻

· 极低的阈值电压

应用领域：

· DC/DC转换器

· 电源转换器电路

· 便携式设备的负载/电源切换

     WNM2021是一款高性能的N沟道功率MOSFET，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷。其先进的沟槽技术和高密度单元设计使其在DC-DC转换、电源开关和充电电路等应用中表现出色。极低的阈值电压和小型SOT-323封装使其成为便携式设备负载/电源切换的理想选择。此外，WNM2021作为无铅产品，符合环保要求。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WH2503DESD54031Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。

    WNM2020是一款N沟道增强型MOS场效应晶体管。它采用了先进的沟槽技术和设计，以在低栅极电荷下提供出色的RDS（ON）。这款器件非常适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WNM2020是无铅且无卤素的。

    WNM2020是一款高性能的N沟道MOS场效应晶体管，专为高效率的电源管理应用而设计。其采用的先进沟槽技术使得该晶体管在导通状态下具有很低的电阻（RDS（ON）），从而减少了功率损耗并提高了整体效率。同时，低栅极电荷使得该晶体管能够快速响应栅极驱动信号，进一步提高了开关速度。这款晶体管非常适合用于DC-DC转换器，其中高效率的电源开关是至关重要的。

    此外，它还可以用于各种充电电路，如电池充电器和太阳能充电器，以确保能量的有效转换和利用。作为一款标准产品，WNM2020不仅具有出色的电性能，还符合环保要求，不含有铅和卤素等有害物质。这使得它在各种环保法规日益严格的市场中具有广的适用性。总之，WNM2020是一款高性能、高效率且环保的N沟道增强型MOS场效应晶体管，非常适合用于各种电源管理和充电应用。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。

  BL1551B是一款模拟开关，具体地说：它是一个单通道、高带宽的单刀双掷（SPDT）模拟开关。这种开关特别适用于数据和音频信号的切换。

  以下是BL1551B的主要特性和优势：

高带宽：BL1551B具有高达350MHz的带宽，这使得它能够处理高速信号切换，满足许多高速应用的需求。

低导通电阻：在5V工作电压下，其导通电阻为2.7Ω，这有助于减少信号在开关过程中的损失，保证信号的完整性。

高效的隔离度：在1MHz的频率下，BL1551B的隔离度达到-84dB，这意味着在开关处于关闭状态时，信号泄漏非常小，从而确保了良好的信号隔离效果。

宽工作电压范围：BL1551B的工作电压范围从1.8V到5.5V，这意味着它可以在多种不同的电压环境下工作，为设计者提供了更大的灵活性。

  此外，BL1551B的封装类型为SC-70-6，这有助于实现紧凑的电路设计和高效的热性能。在实际应用中，BL1551B可广泛应用于移动电话、便携式电子设备等领域。其出色的性能参数和广泛的应用范围使得BL1551B在市场上具有一定的竞争力。

  安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销，我们非常荣幸能为您推荐BL1551B这款模拟开关，并提供样品供您测试，如需更多信息或支持，请随时联系我们。 ESD5471Z-2/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：DFN0603-2L。

RB521C30：肖特基势垒二极管

· 重复峰值反向电压 VRM 30 V

· 直流反向电压 VR 30 V

· 平均整流正向电流 IO 100 mA

产品特性：

     100mA平均整流正向电流：RB521C30具有出色的电流处理能力，能够处理高达100mA的平均整流正向电流，使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。

    低正向电压：肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点，这意味着在正向偏置条件下，它需要的电压较低，从而降低了功耗。

   低漏电流：RB521C30的漏电流非常低，这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。

   小型SOD-923封装：这款二极管采用紧凑的SOD-923封装，使其适合在空间受限的应用中使用，如便携式设备和小型电路板。

应用领域：

     RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中，它能够将交流信号转换为直流信号，这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性，它特别适用于需要高效能和低功耗的场合，如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外，其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格，请查阅相关的数据手册或联系我们。 WL2836E08-5/TR 线性稳压器(LDO) 封装：SOT-23-5L。中文资料WILLSEMI韦尔WCR190N65TF

ESD5302F-3/TR 静电和浪涌保护（TVS/ESD）封装：SOT-23。中文资料WILLSEMI韦尔ESD5661D12

    ESD5304D是一个专为保护连接到数据和传输线的敏感电子组件免受静电放电（ESD）引起的过应力而设计的极低电容瞬态电压抑制器（TVS）阵列。它结合了四对极低电容转向二极管和一个TVS二极管，旨在提供优异的ESD保护。

特性：

· 截止电压：5V

· 根据IEC61000-4-2标准的每线瞬态保护：±20kV（接触放电）

· 根据IEC61000-4-4标准的EFT保护：40A（5/50ns）

· 根据IEC61000-4-5标准的浪涌保护：4A（8/20μs）

· 极低电容：CJ=0.4pF（典型值）

· 极低漏电流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位电压：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固态硅技术

应用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便携式电子产品

· 笔记本电脑

    ESD5304D是专为高速数据接口设计的瞬态电压抑制器，保护接口免受静电放电和其他瞬态事件损害。利用先进固态硅技术，结合极低电容转向二极管和TVS二极管，提供优异保护。能承受±20kV接触放电和其他瞬态事件。极低电容和漏电流不影响数据传输。适用于USB、HDMI、SATA等接口，是电子设备中的关键保护组件。小巧封装且环保，易于集成。如需更多信息，请查阅数据手册或联系我们。 中文资料WILLSEMI韦尔ESD5661D12

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