RB521C30:肖特基势垒二极管
· 重复峰值反向电压 VRM 30 V
· 直流反向电压 VR 30 V
· 平均整流正向电流 IO 100 mA
产品特性:
100mA平均整流正向电流:RB521C30具有出色的电流处理能力,能够处理高达100mA的平均整流正向电流,使其在需要稳定电流处理的电路中表现出色。
低正向电压:肖特基势垒二极管以其低正向电压为特点,这意味着在正向偏置条件下,它需要的电压较低,从而降低了功耗。
低漏电流:RB521C30的漏电流非常低,这有助于在关闭或待机状态下减少不必要的功耗。
小型SOD-923封装:这款二极管采用紧凑的SOD-923封装,使其适合在空间受限的应用中使用,如便携式设备和小型电路板。
应用领域:
RB521C30肖特基势垒二极管特别适合用于低电流整流应用。在电路中,它能够将交流信号转换为直流信号,这对于许多电子设备来说都是至关重要的。由于其低正向电压和低漏电流的特性,它特别适用于需要高效能和低功耗的场合,如电池供电的设备或需要长时间运行的系统。此外,其紧凑的封装形式也使得它成为空间受限应用的理想选择。如需更详细的信息或技术规格,请查阅相关的数据手册或联系我们。 ESDA6V8AV5-5/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOT-553。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E12
WS4601是一款具有极低导通电阻的P-MOSFET高侧开关。集成的电流限制功能可以限制大电容负载、过载电流和短路电流的涌入,从而保护电源。WS4601还集成了反向保护功能,当设备关闭时,可以消除开关上的任何反向电流流动。设备关闭时,输出自动放电,使输出电压迅速关闭。热关断功能可以保护设备和负载。WS4601采用SOT-23-5L封装。标准产品是无铅且无卤素的。
特性:
· 输入电压范围:2.5~5.5V
· 主开关RON:80mΩ@VIN=5V
· 持续输出电流:1.0A
· 电流限制阈值:1.5A(典型值)
· 电流限制精度:±20%
· 输出短路电流:0.7A(典型值)
· 自动放电反向阻断(无“体二极管”)
· 过温保护
应用:
· USB外设USB Dongle
· USB 3G数据卡
· 3.3V或5V电源开关
· 3.3V或5V电源分配
WS4601是一款专为现代电子设备设计的高性能高侧开关。其极低导通电阻的P-MOSFET结构使其在处理大电流时高效且节能。集成的电流限制功能保护电源免受过大电流损害,确保系统稳定可靠。自动放电功能和反向保护功能进一步增强系统安全性。适用于USB外设、USB Dongle等需要高效电源管理的场合。无论3.3V还是5V系统,WS4601都提供出色的性能和保护机制,确保设备正常运行。如需更多信息,请查阅数据手册或联系我们。 规格书WILLSEMI韦尔WCR1K2N65TESD5451NL-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN1006-2L。
WS4665是一个单通道负载开关,提供可配置的上升时间以极小化涌流。该设备包含一个N型MOSFET,可以在0.8V至5.5V的输入电压范围内工作,并支持连续电流上线为6A。开关由开/关输入(ON)控制,该输入能够直接与低电压控制信号接口。在WS4665中,增加了一个230Ω的片上负载电阻,用于在开关关闭时进行快速输出放电。WS4665采用小型、节省空间的2.00mmx2.00mm8引脚DFN封装。标准产品为无铅且无卤素。
主要特性:
· 集成单通道负载开关
· 输入电压范围:0.8V至5.5V
· 极低导通电阻(RON)RON=14mΩatVIN=5V(VBIAS=5V)
· 连续开关上限电流为6A
· 低控制输入阈值,支持1.2V、1.8V、2.5V和3.3V逻辑
· 可配置的上升时间
· 快速输出放电(QOD)
· ESD性能经过JESD22测试2000VHBM和1000VCDM
应用领域:
· 超极本TM
· 笔记本电脑/上网本
· 平板电脑
· 消费电子产品
· 机顶盒/住宅网关
· 电信系统
WS4665适用于多种应用场合,如超极本、笔记本电脑/上网本、平板电脑、消费电子产品、机顶盒/住宅网关以及电信系统等。如需更多信息或技术规格,请查阅相关数据手册或与我们联系。
WPM1483是一个单P沟道、-12V、-5A的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。它采用了先进的沟槽技术和设计,以提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。这款器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM1483为无铅、无卤素。
特性:
沟槽技术
超高密度单元设计
优异的ON电阻,适用于更高的直流电流
极低的阈值电压
小型SOT-23封装
应用:
继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器
DC-DC转换器电路
电源开关
负载开关
充电应用
WPM1483是一款P沟道功率MOSFET,采用先进沟槽技术,具有低RDS(ON)和低栅极电荷,适用于高效、高可靠性电力管理应用。可承受-5A直流电流,极低阈值电压降低功耗。小型SOT-23封装,无铅无卤素,环保且易于集成。适用于DC-DC转换、电源开关,驱动继电器、电机等应用。详情查阅手册或联系我们。 WPT2E33-3/TR 三极管(BJT) 封装:SOT-89-3。
WD3139:高效38V升压型白色LED驱动器
产品描述
WD3139是一款恒定电流、高效率的LED驱动器。其内部MOSFET可以驱动高达10个串联的白色LED,电流限制为1.2A,过压保护为38V。可以将脉冲宽度调制(PWM)信号应用于EN引脚以实现LED调光。该设备以1MHz的固定开关频率运行,以减少输出纹波、提高转换效率,并允许使用小型外部组件。
封装与环保信息:WD3139采用TSOT-23-6L封装,标准产品为无铅和无卤素。
产品特性:
输入电压范围:2.7~5.5V
开路LED保护:38V(典型值)
参考电压:200mV(±5%)
开关频率:1MHz(典型值)
效率:高达92%
主开关电流限制:1.2A(典型值)
PWM调光频率:5KHz至200KHzPWM
调光占空比:0.5%~100%
应用领域:
智能手机
平板电脑
便携式游戏机
WD3139是一款专为串联白色LED设计的高效驱动器。提供1.2A电流限制和38V过压保护,确保LED稳定安全。支持PWM调光,1MHz开关频率提升转换效率并减少输出纹波。适用于智能手机、平板等便携设备的LED背光或指示灯。小巧封装且环保,是理想选择。详情请查阅数据手册或联系我们。 ESD5344D-10/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:DFN2510-10。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E12
ESD56151W04-2/TR 静电和浪涌保护(TVS/ESD)封装:SOD-323。代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E12
ESD56151Wxx:电源保护新选择
ESD56151Wxx双向瞬态电压抑制器,是为现代电子设备中的电源接口设计。它的反向截止电压范围是4.5V至5V,有效保护电路免受过高电压的损害。这款抑制器符合IEC61000-4-5标准,为电路提供强大的浪涌保护,同时遵循IEC61000-4-2标准,提供±30kV的ESD保护。
ESD56151Wxx的特点在于其低钳位电压设计,能迅速将电压限制在安全范围内,减少对敏感电子元件的损害。其采用的固态硅技术确保了出色的稳定性和可靠性,确保在长期使用中仍能保持优异的性能。
这款ESD适用于各种需要电源保护和管理的应用场景,如便携式电子设备、通信设备、医疗设备以及工业控制系统等。它能从各方面保护电源接口,提高设备稳定性和可靠性,延长使用寿命,降低维修和更换成本。
安美斯科技专注于国产电子元器件代理分销。我们非常荣幸能为您推荐ESD56151Wxx这款ESD,并愿意提供样品供您测试。如需更多信息或技术支持,请随时联系我们。 代理分销商WILLSEMI韦尔ESD5682E12